• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년 학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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• pp.609-611
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• 2006

This paper describes a CMOS sub-bandgap reference using Pseudo-Resistors which can be widely used in flash memory, DRAM, ADC and Power management circuits. Bandgap reference circuit operates weak inversion for reducing power consumption and uses Pseudo-Resistors for reducing the chip area, instead of big resistor. It is implemented in 0.35um Standard 1P4M CMOS process. The temperature coefficient is 5ppm/$^{\circ}C$ from $40^{\circ}C$ to $100^{\circ}C$ and minimum power supply voltage is 1.2V The core area is 1177um${\times}$617um. Total current is below 2.8uA and output voltage is 0.598V at $27^{\circ}C$.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권12호
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• pp.135-141
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• 1994

A linear BiCMOS operational transconductance amplifier (OTA) is described. It consists of a CMOS linear transconductor and a bipolar translineear current gain cell followed by three CMOS current mirrors. The proposed circuit has comparable linearity and temperature stability but superior dc characteristics to its bipolar counterpart. A test circuit with a transconductance of 47.3$\mu$s has been simulated. Simulation results show that a linearity error of less than $\pm$1 percent over an input volgate range from -1.0 to 1.0 V and a output dc offset current as small as-3.6 nA can be obtained.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권4호
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• pp.116-126
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• 1994

In this paper, the switch-level fault simulator for CMOS circuits with a gate-to-drain/source short fault is implemented. A fault model used in this paper is based on the graphical analysis of the electrical characteristics of the faulty MOS devices and the conversion of the faulty CMOS circuit to the equivalent faulty CMOS inverter in order to find its effect on the successive stage. This technique is very simple and has the increased accuracy of the simulation. The simulation result of the faulty circuit using the implemented fault simulator is compared with the result of the SPICE simulation.

• 전기학회논문지
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• 제61권3호
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• pp.422-426
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• 2012

Transient radiation is emitted during a nuclear explosion. Transient radiation causes a fatal error in the CMOS circuit as a Upset and Latch-up. In this paper, transient radiation NMOS, PMOS, INVERTER SPICE model was proposed on the basisi of transient radiation effects analysis using TCAD(Technology Computer Aided Design). Photocurrent generated from the MOSFET internal PN junction was expressed to the current source and Latch-up phenomenon in the INVERTER was expressed to parasitic thyristor for the transient radiation SPICE model. For example, the proposed transient radiation SPICE model was applied to CMOS NAND circuit. SPICE simulated characteristics were similar to the TCAD simulation results. Simulation time was reduced to 120 times compared to TCAD simulation.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제14권4호
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• pp.268-271
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• 2016

An efficient inductive switching noise suppression technique for mixed-signal integrated circuits (ICs) using standard CMOS digital technology is proposed. The proposed design technique uses a parallel RC circuit, which provides a damping path for the switching noise. The proposed design technique is used for designing a mixed-signal circuit composed of a ring oscillator, a digital output buffer, and an analog noise sensor node for $0.13-{\mu}m$ CMOS digital IC technology. Simulation results show a 47% reduction in the on-chip inductive switching noise coupling from the noisy digital to the analog blocks in the same substrate without an additional propagation delay. The increased power consumption due to the damping resistor is only 67% of that of the conventional source damping technique. This design can be widely used for any kind of analog and high frequency digital mixed-signal circuits in CMOS technology

• 전기학회논문지
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• 제57권7호
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• pp.1254-1259
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• 2008

A new CMOS current-mode integrator for low-voltage analog integrated circuit design is presented. The proposed current-mode integrator is based on cross-coupled gain-boosting topology. When it is compared with that of the typical current-mirror type current-mode integrator, the proposed current-mode integrator achieves high current gain and unity gain frequency with the same transistor size. As a application circuit of the proposed integrator, we designed the 1.8V 200MHz band current-mode lowpass filter. These are verified by Hspice simulation using $0.18{\mu}m$ CMOS technology.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.1041-1044
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• 2003

In this paper, a new CMOS fully integrated frequency-to-digital converter is proposed. The operation of the proposed circuit is based on a pulse-shrinking delay element. In the proposed circuit, a resolution of the converted digital output can be easily improved by increasing the number of the pulse-shrinking element. Also the input frequency range can be easily changed through controlling bias voltage in the pulse-shrinking element. The simulation of the designed circuit carried out by HSPICE using the CMOS 0.35${\mu}{\textrm}{m}$ process technology.

• 전자공학회논문지SC
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• 제39권2호
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• pp.123-131
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• 2002

본 논문에서는 전류모드 CMOS를 통한 GF(3/sup ｍ/)상의 표준기저 승산회로를 제안하였다. 먼저, GF(3)연산을 위해 필요한 가산 및 승산을 진리표를 통해 정의하고 이를 CMOS회로로 설계하였다. GF(3/sup ｍ/)상의 임의의 두 원소들간의 승산의 전개방식을 수식을 통해 보였으며, 정의된 3치 기본연산자를 조합하여 GF(3/sup ｍ/) 승산회로를 설계하였다. 제안된 수식과 회로를 m에 대하여 일반화하였고, 그 중 m=3에 대한 설계의 예를 보였다. 본 논문에서 제안된 승산회로는 그 구성이 블록의 형태로 이루어지므로 m에 대한 확장이 용이하며, VLSI에 유리하다. 또한 회로내부에 메모리소자를 사용하지 않고, 연산디지트들이 병렬로 연산되므로 빠른 연산이 가능하다. 제안된 회로의 논리연산동작을 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제35권5A호
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• pp.504-512
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• 2010

본 논문에서는 무선 USB 칩-셋 내 무선통신시스템단에 적용될 수 있는 6비트 800MS/s 플래쉬 A/D 변환기를 설계하였다. 기존의 A/D 변환기에서 서로 독립적으로 사용되던 오차보정회로단과 동기화단을 하나의 회로로 간소화 시켜서, 하드웨어에 대한 부담을 감소시켰다. 제안한 오차보정회로는 기존의 오차보정회로보다 MOS 트랜지스터의 수를 5개 감소시킬 수 있으며, 오차보정회로 한 개당 면적은 9% 정도 감소하게 된다. 설계된 A/D 변환기는 $0.18{\mu}m$ CMOS 1-poly 6-metal 공정으로 제작되었으며 측정 결과 입력 범위 0.8Vpp, 1.8V의 전원 전압에서 182mW의 전력 소모를 나타내었다. 800MS/s의 변환속도와 128.1MHz의 입력주파수에서 4.0비트의 ENOB을 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권5B호
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• pp.974-984
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• 2000

전압 강하 변환기의 구동 회로를 제안하였다. 구동 회로의 load regulation 특성을 개선하기 위하여 적응 바이어스(adaptive biasing) 개념을 제안하였고 이 개념을 도입한 NMOS 구동 회로를 설계하였다. 적응 바이어스 전류 구동 개념이 적용된 NMOS 구동 회로는 구동단에서의 밀러(Miller) 효과가 없으므로 위상 여유가 크고 안정된 주파수 특성을 보여주고 있다. NMOS 구동단은 같은 구동 전류를 흘려줄 경우 PMOS 구동단에 비해 훨씬 적은 트랜지스터 크기 비로 설계 제작이 가능하므로 칩 면적을 크게 줄일 수 있으며 PMOS 구동단에서의 같은 보상 커패시터나 보상 추로 회로가 없다. 제안된 회로는 0.8 $\mu\textrm{m}$ CMOS 공정 기술을 이용하여 구현되었으며 설계가 간단하고, 대기 전력(quiescent power)이 60 ㎼로 측정되었다. 전체 크기는 150 $\mu\textrm{m}$$\times$ 360 $\mu\textrm{m}$이고 100$\mu\textrm{A}$부터 50 ㎃ 까지의 구동 전류 변화 조건하에서 5.6 ㎷의 load regulation 값을 얻었다.