• 한국건설관리학회논문집
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• 제22권6호
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• pp.3-14
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• 2021

중국건설업에서는 BIM (Building Information Modeling)의 활용을 통해 건설업의 비효율적인 상호운용성의 문제를 해결하여 건설업의 총생산액 증가시키고자 한다. 하지만 중국 주건부에서 2011년부터 건설업의 BIM활용을 촉진하였음에도 불구하고 중국에서는 BIM 활용률은 45% 미만인 것으로 나타났다. 한편 한국 건설업은 중국보다 먼저 BIM 도입을 하여 활용하고 있는 만큼, BIM 활용수준과 BIM 수용의지가 중국보다 높을 것으로 예상된다. 따라서 본 연구에서는 한국과 중국의 BIM수용영향요인 비교분석을 통해 중국의 BIM 활용률을 향상시킬 수 있는 방안을 제안하고자 한다. 한국과 중국의 BIM수용영향요인 비교분석을 위해 기술수용이론(Technology Acceptance Model; TAM)과 BIM 수용모델 관련 선행연구고찰을 통해 BIM 수용영향요인을 분류하고, 중국의 국가적 특성과 중국건설업만이 가진 특성을 반영한 BIM 수용영향요인을 추가하여 실제 BIM 사용자인 한국과 중국 건설사업 참여주체(시공사, 설계사, CM)를 대상으로 설문조사를 실시하였으며, 통계값을 유의미한 차이를 알아보기 위해 SPSS 22.00을 활용하여 t-test 실시하였다. 마지막으로 t-test 결과를 기반으로 중국의 BIM 활용률을 향상시킬 수 있는 개선방안을 제안하였다. 본 연구의 결과를 통해 중국 건설업에 적합한 BIM 활용 활성화 방향을 제시하고, 중국 건설업의 BIM 활용 활성화 연구의 이론적 기초를 제공할 수 있을 것으로 기대한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.456-456
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• 2010

CMOS 소자가 서브마이크론($0.1\;{\mu}m$) 이하로 스케일다운 되면서 단채널 효과(short channel effect), 게이트 산화막(gate oxide)의 누설전류(leakage current)의 증가와 높은 직렬저항(series resistance) 등의 문제가 발생한다. CMOS 소자의 구동전류(drive current)를 높이고, 단채널 효과를 줄이기 위한 가장 효율적인 방법은 소스 및 드레인의 얕은 접합(shallow junction) 형성과 직렬 저항을 줄이는 것이다. 플라즈마 도핑 방법은 플라즈마 밀도 컨트롤, 주입 바이어스 전압 조절 등을 통해 저 에너지 이온주입법보다 기판 손상 및 표면 결함의 생성을 억제하면서 고농도로 얕은 접합을 형성할 수 있다. 그리고 얕은 접합을 형성하기 위해 주입된 불순물의 활성화와 확산을 위해 후속 열처리 공정은 높은 온도에서 짧은 시간 열처리하여 불순물 물질의 활성화를 높여주면서 열처리로 인한 접합 깊이를 얕게 해야 한다. 그러나 접합의 깊이가 줄어듦에 따라서 소스 및 드레인의 표면 저항(sheet resistance)과 접촉저항(contact resistance)이 급격하게 증가하는 문제점이 있다. 이러한 표면저항과 접촉저항을 줄이기 위한 방안으로 실리사이드 박막(silicide thin film)을 형성하는 방법이 사용되고 있다. 본 논문에서는 (100) p-type 웨이퍼 He(90 %) 가스로 희석된 $PH_3$(10 %) 가스를 사용하여 플라즈마 도핑을 실시하였다. 10 mTorr의 압력에서 200 W RF 파워를 인가하여 플라즈마를 생성하였고 도핑은 바이어스 전압 -1 kV에서 60 초 동안 실시하였다. 얕은 접합을 형성하기 위한 불순물의 활성화는 ArF(193 nm) excimer laser를 통해 $460\;mJ/cm^2$의 에니지로 열처리를 실시하였다. 그리고 낮은 접촉비저항과 표면저항을 얻기 위해 metal sputter를 통해 TiN/Ti를 $800/400\;{\AA}$ 증착하고 metal RTP를 사용하여 실리사이드 형성 온도를 $650{\sim}800^{\circ}C$까지 60 초 동안 열처리를 실시하여 $TiSi_2$ 박막을 형성하였다. 그리고 $TiSi_2$의 두께를 측정하기 위해 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 측정하였다. 화학적 결합상태를 분석하기 위해 XPS(X-ray photoelectronic)와 XRD(X-ray diffraction)를 측정하였다. 접촉비저항, 접촉저항과 표면저항을 분석하기 위해 TLM(Transfer Length Method) 패턴을 제작하여 I-V 특성을 측정하였다. TEM 측정결과 $TiSi_2$의 두께는 약 $580{\AA}$ 정도이고 morphology는 안정적이고 실리사이드 집괴 현상은 발견되지 않았다. XPS와 XRD 분석결과 실리사이드 형성 온도가 $700^{\circ}C$에서 C54 형태의 $TiSi_2$ 박막이 형성되었고 가장 낮은 접촉비저항과 접촉저항 값을 가진다.