• Title/Summary/Keyword: CF4 가스

Search Result 90, Processing Time 0.028 seconds

Reactive Ion Etching Process of Low-K Methylsisesquioxance Insulator Film (저유전율 물질인 Metylsilsesquioxance의 반응 이온 식각 공정)

  • 정도현;이용수;이길헌;김광훈;이희우;최종선
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2000.02a
    • /
    • pp.40-40
    • /
    • 2000
  • 직접 회로의 소자크기가 더욱 미세화에 따라, 기존에 사용하는 금속 배선의 저항과 금속 배선과 층간 유전 물질에 의한 정전용량의 증가로 인한 시간 지연 (RC time delay) 문제가 크게 대두되고 있다. 이 문제를 해결하기 위해 비유전율이 낮은 물질을 층간 유전체로 사용하여 정전용량을 낮추는 것이 필요하다. 기존의 실리콘 산호막 대신에 MSSQ(methylsilsequioxance)를 이용할 때 필요한 건식 식각 공정을 연구하였다. MSSQ 물질을 patterning 하기 위해 습식 공정의 부산물인 폐액 등의 문제점이 발생하지 않을 뿐만 아니라, 소자의 손상이 적고 선택비가 높으며, 식각의 이방성을 향상시킬 수 있는 장점을 갖고 있는 반응 이온 식각기(reactive ion etchin)을 이용하였다. CF4/O2 plasma를 사용하였는데, 가스의 양의 flow rate와 조성비, RF pover(50, 100, 150 W)등의 변화에 따른 식각 특성을 알아보았다. atep, SEM, AFM등을 이용하여 측정·분석하였다.

  • PDF

Application Amount of Anaerobic Digestion Waste Water from Methane Fermentation of Pig Manure on Rice (벼에 대한 돈분뇨 혐기성 소화액비의 시용적량 구명)

  • Lim, Dong-Kyu;Park, Woo-Kyun;Kwon, Soon-Ik;Nam, Jae-Jak;Lee, Sang-Beom
    • Korean Journal of Environmental Agriculture
    • /
    • v.21 no.4
    • /
    • pp.248-254
    • /
    • 2002
  • This study was carried out to evaluate the proper application amount of anaerobic digestion waste water and the environmental influence on rice. The waste water collected after methane fermentation process of pig manure was used as a liquid manure. Liquid manure 100%+chemical fertilizer 30%(LM 100%+CF 30) treatment was the most favorable at all growth stages of rice. The LM 100%+CF 30% treatment was applied to 100% amount of liquid manure which was correspond to the same amount of nitrogen for the standard application amount on rice, with adding 30% amount of chemical fertilizer(urea) at tillering stage. The yields of rice in the treatments of 100%(LM 100%) and 150% amount(LM 150%) of liquid manure were similar or a little higher than NPK treatment but LM 100%+CF 30% treatment was less than the NPK treatment due to the increase of straw weight and plant lodging. In periodic changes of the $NH_4-N$ and $NO_3-N$ contents, the LM 70%+CF 30% treatment in paddy soil was the highest in all treatments. The NPK and the LM 100% treatments in irrigation water quality were higher than other treatments. In infiltration water quality, $NH_4-N$ content was leached out much in the LM 150% treatment and $NO_3-N$ content was in the LM 100%+CF 30% treatment. The proper application amount of anaerobic digestion waste water as a liquid manure must be to analyse the nitrogen content of the waste water and to apply the same amount of nitrogen for the standard application amount on rice.

유리기판의 광추출 효율 향상을 위한 마스크 제작 공정 없는 플라즈마 식각 연구

  • Seo, Dong-Wan;Gwon, O-Hyeong;Lee, U-Hyeon;Kim, Ji-Won;Hwang, Gi-Ung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2013.02a
    • /
    • pp.507-507
    • /
    • 2013
  • 유리기판으로 투과되는 빛들 중에는 내부 전반사나 wave-guided mode로 인하여 손실이 일어나 일반적으로 20%의 광추출 효율을 가진다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 연구에는 Photonic Crystal과 같은 주기적인 나노 구조물이 있는데 이러한 구조물을 제작하기 위한 마스크 공정 과정은 대부분 복잡하거나 비싼 단점이 있다. 이에 본 발표에서는 마스크 없이 비정질소다라임 유리의 구조물 생성으로 광 추출 효율이 상승하는지 보고자 하였다. M-ICP (Magnetized-Induced Coupled Plasma)란 용량 결합형 플라즈마와 유도 결합형 플라즈마 두 가지 방식의 플라즈마를 이용한 것인데 용량 결합형 플라즈마를 이용해 이온이 sheath에 의해 가속되어 유리표면에 부딪히고 그에 따라 유리가 식각되는 물리적 식각을 이용하였다. 또한 이온의 밀도를 조절하기 위해 유도결합형 플라즈마 방식을 이용하여 식각률을 높였다. 화학적 식각을 위해서는 CF4와 O2혼합 가스를 이용해 F가 Si와 결합하여 SiF4가 되어 사라지고 탄소잔여물인 C는 O2와 반응하여 제거하였다. 그 결과, 랜덤한 분포를 가지는 미세한 구조물(stochastic sub-wavelength structure)을 유리 표면에 형성할 수 있었고, 또한 다양한 가스 종류와 압력, source power와 bias power, 그리고 시간을 바꿔가며 미세 구조물들을 관찰하였다. 실험 결과, 가시광선 파장 이하의 높이를 갖고 수 마이크로미터의 너비를 갖는 구조물이 전반사되는 빛을 효율적으로 추출하는 것을 산란되는 빛의 정도인 diffusive transmittance 가 기존 0%에서 15% 정도로 증가하는 것으로 스펙트로포토미터 측정을 통해 확인하였다. 이러한 유리 기판 위 구조물 생성방법을 OLED에 적용한다면 적은 비용으로 소자의 효율을 크게 향상 시킬 수 있을 것이다. 또한 본 처리 과정의 장점은 기존의 방법에 필요한 스퍼터링이나 RTA 처리 과정이 필요 없어 공정 단가 절감과 제조 공정의 단순화로 높은 생산성을 얻을 수 있으며 대면적화에도 유리하다.

  • PDF

The Character of Electron Ionization and Attachment Coefficients in Perfluoropropane(C3F8) Molecular Gas by the Boltzmann Equation (볼츠만 방정식에 의한 C3F8분자가스의 전리 및 부착 계수에 관한 연구)

  • Song, Byoung-Doo;Jeon, Byoung-Hoon;Ha, Sung-Chul
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
    • /
    • v.18 no.4
    • /
    • pp.375-380
    • /
    • 2005
  • CF₄ molecular gas is used in most of semiconductor manufacture processing and SF/sub 6/ molecular gas is widely used in industrial of insulation field. but both of gases have defect in global warming. C₃F/sub 8/ gas has large attachment cross-section more than these gases, moreover GWP, life-time and price of C₃F/sub 8/ gas is lower than them, therefor it is important to calculate transport coefficients of C₃F/sub 8/ gas like electron drift velocity, ionization coefficient, attachment coefficient, effective ionization coefficient and critical E/N. The aim of this study is to get these transport coefficients for imformation of the insulation strength and efficiency of etching process. In this paper, we calculated the electron drift velocity (W) in pure C₃F/sub 8/ molecular gas over the range of E/N=0.1∼250 Td at the temperature was 300 K and gas pressure was 1 Torr by the Boltzmann equation method. The results of this paper can be important data to present characteristic of gas for plasma etching and insulation, specially critical E/N is a data to evaluate insulation strength of a gas.

The reliability enhancement according to the trench etching profile (트렌치 식각 형상에 따른 신뢰성 향상)

  • Kim, Sang-Gi;Lee, Ju-Wook;Kim, Gwan-Ha;Park, Hoon-Soo;Kim, Bo-Woo;Koo, Jin-Gun;Kang, Jin-Young
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • 2007.06a
    • /
    • pp.127-128
    • /
    • 2007
  • 고밀도 트렌치 게이트 전력소자 제조를 위해 HBr. He-$O_2$, $SiF_4$, $CF_4$ 등의 식각 가스를 이용하여 형성한, 트렌치 표면 거칠기 및 손상을 최소화 하여 고밀도 트렌치 게이트 전력소자를 제조하였다. 트렌치 형상 각도가 약 900일 경우 항복전압은 약 29 V인 반면, 트렌치 각도가 $88^{\circ}$일 경우 항복전압이 37V로 트렌치 형상에 따라 약 25%의 항복전압이 높아졌음을 알 수 있었다. n-채널 트렌치 게이트 전력소자의 전압-전류 측정 결과 트렌치 게이트 수가 45.000개일 때 게이트에 10 V를 인가했을 때 전류는 약 46 A로 측정되어 고밀도 트렌치 게이트 전력소자의 특성이 좋음을 알 수 있었다.

  • PDF

Comparison of Methane Production in Korean Native Cattle (Hanwoo) Fed Different Grain Sources (곡류 사료원별 육성기 한우 장내발효에 의한 메탄가스 배출량 비교)

  • Seol, Yong-Joo;Kim, Kyoung-Hoon;Baek, Youl-Chang;Lee, Sang-Cheol;Ok, Ji-Woun;Lee, Kang-Yeon;Hong, Seong-Koo;Park, Kyu-Hyun;Choi, Chang-Weon;Lee, Sung-Sil;Oh, Young-Kyoon
    • Journal of Animal Science and Technology
    • /
    • v.53 no.2
    • /
    • pp.161-169
    • /
    • 2011
  • Methane production during anaerobic fermentation in the rumen represents an energy loss to the host animal and induces emissions of greenhouse gases in the environment. Our study focused on comparison in methane production from growing Korean native steers fed different grain sources. Six Hanwoo steers (BW = $180.6{\pm}3.1$ kg) were fed, on a DM basis (TDN 2.80 kg), 40% timothy and 60% barley concentrate (Barley) or corn concentrate (Corn), respectively, based on the Korean Feeding Standards. Each period lasted 18 days including a 14-day adaptation and a 4-day measuring times. The steers were in the head hood chamber system (one cattle per chamber) during each measuring time to measure heat and methane production per day. Different grain sources did not affect digestibilities of dry matter, crude protein, crude fiber, crude fat, NDF, ADF and nitrogen-free extract. The mean methane concentrations per day were 202.0 and 177.1 ppm for Barley and Corn, respectively. Methane emission averaged 86.8 and 77.7 g/day for Barley and Corn, respectively. Methane emission factor by maintenance energy requirement for the growing steers fed barley based concentrate was higher than the steers fed corn based concentrate (Barley vs. Corn, 31.7 kg $CH_4\;head^{-1}\;yr^{-1}$ vs. 28.4 kg $CH_4\;head^{-1}\;yr^{-1}$). Thus, methane conversion rate was 0.065 (6.5%) and 0.055 (5.5%) for Barley and Corn, respectively.

Time Resolution of Fourier Cutoff Probe for Electron Density Measurement

  • Na, Byeong-Geun;Yu, Gwang-Ho;Kim, Dae-Ung;Yu, Dae-Ho;Yu, Sin-Jae;Kim, Jeong-Hyeong;Jang, Hong-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2012.08a
    • /
    • pp.273-273
    • /
    • 2012
  • 컷오프 진단법은 두 개의 탐침 형태로 제작된 마이크로 웨이브 진단법으로, 간단한 수식을 통해 전자밀도, 전자온도 등을 측정할 수 있다. 컷오프 탐침은 방사 안테나, 측정 안테나와 네트워크 분석기로 구성되어 있다. 네트워크 분석기는 두 안테나 사이의 플라즈마 투과 스펙트럼을 만드는데 쓰이며, 스펙트럼 분석을 통해 플라즈마 변수들을 측정할 수 있다. 이 진단법은 장치나 분석방법이 매우 간단한 장점을 지니며, 약 1 mW 정도의 적은 파워를 사용하여 플라즈마 상태를 거의 변화시키지 않는 측정이 가능하다. 또한 CF4와 같은 공정 가스를 이용한 플라즈마에서도 사용이 가능하다. 그러나 컷오프 진단법을 사용한 측정은 다른 종류의 진단법과 마찬가지로, 약 1초 정도의 긴 시간을 필요로 하는 단점이 있어, 펄스 플라즈마나 토카막과 같이 빠르게 변하는 플라즈마를 측정하기에는 무리가 있다. 최근에 개발된 푸리에 컷오프 탐침(Fourier Cutoff Probe, FCP)는 기존의 컷오프 탐침의 느린 시간분해능을 개선하기 위해 개발되었다. [1] 펄스 형태의 단일신호를 플라즈마를 투과하기 전후로 비교하면 투과 스펙트럼 및 플라즈마 변수들을 얻을 수 있으며, 기존 연구에서 구한 시간 분해능은 약 15 나노초였다. 이 값은 펄스 발생장치의 스펙에 따라 변하게 된다. 펄스폭이 짧을수록 시간분해능이 좋아지지만, 무한정 좋아질 수는 없다. 이 논문에서는 FCP 측정의 시간 분해능을 이론적으로 구하고, 시간 분해능의 이론적 한계를 구했다.

  • PDF

Advanced Dry Etch Process with Low Global Warming Potential Gases Toward Carbon Neutrality (반도체 탄소 중립을 위한 친환경 가스 기반 식각 공정 연구)

  • Jeonga Ju;Jinkoo Park;Joonki Suh;Hongsik Jeong
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
    • /
    • v.36 no.2
    • /
    • pp.99-108
    • /
    • 2023
  • Currently, semiconductor manufacturing industry heavily relies on a wide range of high global warming potential (GWP) gases, particularly during etching and cleaning processes, and their use and relevant carbon emissions are subject to global rules and regulations for achieving carbon neutrality by 2050. To replace high GWP gases in near future, dry etching using alternative low GWP gases is thus being under intense investigations. In this review, we report a current status and recent progress of the relevant research activities on dry etching processes using a low GWP gas. First, we review the concept of GWP itself and then introduce the difference between high and low GWP gases. Although most of the studies have concentrated on potentially replaceable additive gases such as C4F8, an ultimate solution with a lower GWP for main etching gases including CF4 should be developed; therefore, we provide our own perspective in this regard. Finally, we summarize the advanced dry etch process research with low GWP gases and list up several issues to be considered in future research.

대면적 플라즈마 공정에서 자장이 내장형 선형 유도결합형 플라즈마 특성에 미치는 영향에 관한 연구

  • 경세진;이영준;김경남;염근영
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
    • /
    • 2003.05a
    • /
    • pp.55-55
    • /
    • 2003
  • 최근 높은 해상도의 평판 디스플레이 장치 특히 차세대 TFT-LCD를 개발하기 위해서는 건식식각공정의 개발이 필수 불가결하며 이는 플라즈마 공정장치의 대면적화가 가능해야 한다. 따라서 산업계는 이러한 제조 조건에 알맞는 대면적 플라즈마 반응기 개발을 추구하고 있다. 이를 위해서는 건식식각공정의 개발이 필수 불가결하며 이를 위해선 플라즈마 공정장 치의 대면적화가 가능해야 한다. 이러한 대면적 공정을 위해서는 낮은 공정압력, 고밀도, 높은 플라즈마 균일도가 요구된다. 또한 이러한 대면적 고밀도 플라즈마에의 적용을 위하여 새로운 유도결합형 플라즈마 소오스의 개발이 진행되고 있으며, 안정적인 300mm웨이퍼 공정을 위하여 여러 형태의 안테나가 연구되어지고 있다. 그러나 차세대 TFT-LCD에 적용 가 능하게끔 기존의 ICP 소오스를 직접적으로 대면적화 하는데 있어서는 안테나의 인덕턴스의 값이 키지며, 유전물질의 두께 증가 및 그에 따른 재료비의 상슴에 의해 그 한계점을 나타 내었다. 본 연구에서는 차세대 TFT-LCD 및 POP 대면적 공정에 적용 가능한 고밀도 플라즈마를 발생시키기 위해서 내장형 유도결합형 선형 안테나를 사용하였다. 내장형 유도결합형 선형 안테나가 가지고 있는 고유의 정전기적 결합효과를 최소화시키기 위해 직사각형모양의 플라즈마 챔버(830mm*1,020mm)에서 영구자석을 사용하였다. 영구자석을 사용하여 외부자 장을 인가하였을 때가, 그럴지 않은 때보다 RF 안테나에 걸리는 코일의 전압을 낮춰주었으며, 영구자석의 배열에 따라 코일의 인덕턴스의 값이 크게 변함을 알 수 있었다. 그리고, 최적화된 자장의 배열은 플라즈마의 이온밀도를 증가시켰으며, 플라즈마 균일도 또한 10% 이 내로 유지됨을 알 수 있었다. 따른 식각 메커니즘에 대하여 알아보고자 하였다. $CF_4/Cl_2$ gas chemistry 에 첨 가 가스로 $N_2$와 Ar을 첨 가할 경 우 텅 스텐 박막과 하부 layer 간의 etch selectivity 증가는 관찰되지 않았으며, 반면에 첨가 가스로 $O_2$를 사용할 경우, $O_2$의 첨가량이 증가함에 따라 etch s selectivity 는 계속적으로 증가렴을 관찰할 수 있었다. 이는 $O_2$ 첨가에 따라 형성되는 WOF4 에 의한 텅스텐의 etch rates 의 감소에 비하여, $Si0_2$ 등의 형성에 의한 poly-Si etch rates 이 더욱 크게 감소하였기 때문으로 사료된다. W 과 poly-Si 의 식각 특성을 이해하기 위하여 X -ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하였으며, 식각 전후의 etch depth 를 측정하기 위하여 stylus p pmfilometeT 를 이용하였다.X> 피막이 열처리 전후에 보아는 기계적 특성의 변화 양상은 열역학적으로 안정한 Wurzite-AlN의 석출에 따른 것으로 AlN 석출상의 크기에 의존하며, 또한 이러한 영향은 $(Ti_{1-x}AI_{x})N$ 피막에 존재하는 AI의 함량이 높고, 초기에 증착된 막의 업자 크기가 작을 수록 클 것으로 여겨진다. 그리고 환경의 의미의 차이에 따라 경관의 미학적 평가가 달라진 것으로 나타났다.corner$적 의도에 의한 경관구성의 일면을 확인할수 있지만 엄밀히 생각하여 보면 이러한 예의 경우도 최락의 총체적인 외형은 마찬가지로

  • PDF

컷오프 진단법을 이용한 RF CCP의 위상에 따른 변화 측정

  • Na, Byeong-Geun;Yu, Gwang-Ho;Kim, Dae-Ung;Yu, Sin-Jae;Kim, Jeong-Hyeong;Jang, Hong-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2012.02a
    • /
    • pp.507-507
    • /
    • 2012
  • 컷오프 진단법은 두 개의 탐침 형태로 제작된 마이크로 웨이브 진단법으로, 간단한 수식을 통해 전자밀도, 전자온도 등을 측정할 수 있다. 컷오프 탐침은 방사 안테나, 측정 안테나와 네트워크 분석기로 구성되어 있다. 네트워크 분석기는 두 안테나 사이의 플라즈마 투과 스펙트럼을 만드는데 쓰이며, 스펙트럼 분석을 통해 플라즈마 변수들을 측정할 수 있다. 이 진단법은 장치나 분석방법이 매우 간단한 장점을 지니며, 약 1 mW 정도의 적은 파워를 사용하여 플라즈마 상태를 거의 변화시키지 않는 측정이 가능하다. 또한 CF4와 같은 공정 가스를 이용한 플라즈마에서도 사용이 가능하다. 그러나 컷오프 진단법을 사용한 측정은 다른 종류의 진단법과 마찬가지로, 약 1초 정도의 긴 시간을 필요로 하는 단점이 있어, 펄스 플라즈마나 토카막과 같이 빠르게 변하는 플라즈마를 측정하기에는 무리가 있다. 컷오프 탐침의 시간 분해능을 향상시키고자, 최근에 푸리에 컷오프 탐침(FCP)이 개발되었다. 펄스 형태의 단일신호를 플라즈마를 투과하기 전후로 비교하면 투과 스펙트럼 및 플라즈마 변수들을 얻을 수 있으며, 측정시간을 약 15 ns 정도로 줄일 수 있었다. 이 방법의 신뢰도 및 성능은 이미 CW 플라즈마와 펄스 플라즈마에서 확인되었다. 본 연구에서는 FCP의 초고속 측정의 장점을 이용해서 13.56 MHz의 CCP 및 400 kHz의 CCP에서 RF 위상에 따라 변하는 플라즈마를 측정하였으며, 이에 따라 RF CCP에서의 전자의 동역학 분석을 할 수 있었다.

  • PDF