• The Korean Journal of Ceramics
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• v.5 no.2
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• pp.183-188
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• 1999

The crystallization behavior and electrical conductivity of the $CuO-Bi_2O_3-V_2O_5$ glasses with various CuO content were investigated. The glass formation regin was 0~20 mol% Bi2O3, 5~55 mol% CuO, and 30~90 mol% $V_2O_5$ with Tg=$275^{\circ}C$~$290^{\circ}C$. Among glasses with various compositions, the 31CuO-$14Bi_2O_3-55V_2O_5$ (mol%) glass heat-treated at $358^{\circ}C$ for 8 h showed the highest conductivity of ~ at room temperature. The heat-treated glasses increased in electrical conductivity by the order of 104 compared to non heat-treated glass. The linear relationship between 1n($\sigma$T)and $T^{-1}$ indicated that electrical conduction in the 31CuO-$14Bi_2O_3-55V_2O_5$ (mol%) glass occurred by a small polaron hopping.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.299-299
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• 2016

SiC는 넓은 에너지갭 (Eg=~3.4 eV)을 갖는 반도체로써, 고전압, 고온에서 동작이 가능하여 기존의 Si기반의 파워디바이스를 대체하기 위한 물질로 많은 연구가 이루어지고 있다. 파워 디바이스의 성능 향상을 위해서는 기판과 절연체 사이의 계면에 생성되는 계면 결함을 감소시켜야 한다. 따라서 본 연구에서는 SiC 기판에 high-k 물질인 HfO2를 증착하여 HfO2/SiC 계면에 유도된 결함을 분석하고 이를 감소시킬 수 있는 방법에 대한 연구를 수행하였다. HfO2 박막은 atomic-layer-deposition (ALD) 방법을 이용하여 SiC 기판 위에 $200^{\circ}C$에서 증착하였다. HfO2 박막 증착 후 NH3 분위기에서 rapid thermal annealing 방법을 이용하여 $600^{\circ}C$에서 1분 동안 열처리 진행하였다. Current-voltage (I-V) 측정을 통해 열처리 전 HfO2/SiC의 절연파괴 전압이 약 8.3 V 임을 확인하였다. NH3 열처리 후 HfO2/SiC의 절연파괴 전압이 10 V로 증가하였으며 누설 전류가 크게 감소하는 것을 확인하였다. 또한 capacitance-voltage (C-V) 측정을 통해 열처리 후 flat band voltage가 negative 방향에서 positive 방향으로 이동함을 확인하였고, 이를 통해 NH3 열처리 방법이 HfO2/SiC 계면에 존재하는 결함을 감소시킬 수 있음을 확인하였다. 전자 구조상의 conduction band edge에 존재하는 결함 준위를 분석하기 위해 x-ray absorption spectroscopy (XAS) 분석을 실시하였고, 열처리 전 HfO2/SiC 계면에 많은 결함 준위가 존재함을 확인하였으며, x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 통해 이 결함 준위가 oxygen deficiency state과 관련됨을 알 수 있었다. NH3 열처리 후 결과와 비교해보면, oxygen deficiency state가 감소함을 확인하였으며 이로 인해 conduction band edge에 존재하는 결함 준위가 감소함을 알 수 있었다. 따라서, NH3 열처리 방법을 이용하여 HfO2/SiC 계면에 존재하는 결함을 감소시킬 수 있으며, HfO2/SiC의 물리적, 전기적 특성을 향상시킬 수 있다는 결과를 도출하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.14 no.3
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• pp.38-42
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• 2000

Plasma polymerized thin films were manufactured inter-electrode coupled plasma polymerization apparatus. The deposition rate reached its maximum between 40[W] and 100[W]. In the ESCA analysis, peaks revealing -CH2, -CH, -C- were present at 285.4 and 285.5[eV] respectively. The C=O peak at 532.8[eV] and the C-O peak at 533.8[eV], which were grouped with an unignorable amount of oxygen were conformed. In ESR analysis, the curve revealing strong amplification was in saturation, which was affected by weak power. This is considered as a -CH-Ch=Ch- structure containing the Allyl group. The relative permittivity of the plasma polymerized thin films was about 3.5 at a frequency of 100[Hz]∼200[kHz]. The dissipation factor showed allow value of 0.008.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.16 no.11
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• pp.975-978
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• 2003

The microwave dielectric properties and the microstructures on B $i_{0.97}$T $m_{0.03}$Nb $O_4$ doped with $V_2$ $O_{5}$ were systematically investigated. B $i_{0.97}$T $m_{0.03}$Nb $O_4$ ceramics sintered at 920-96$0^{\circ}C$ were mainly consisted of orthorhombic and triclinic phases after addition of $V_2$ $O_{5}$. The apparent density increased slightly with increasing the $V_2$ $O_{5}$ addition. The dielectric constants($\varepsilon$$_{r}$) also increased with $V_2$ $O_{5}$ addition(30-45). The Q${\times}$ $f_{0}$ values measured on B $i_{0.97}$T $m_{0.03}$Nb $O_4$ ceramics doped with $V_2$ $O_{5}$ were between 2,000 and 12,000[GHz] when the sintering temperatures were in the range of 920-960[$^{\circ}C$]. It was confirmed that the temperature coefficient of the resonant frequency($\tau$$_{f}$) can be adjusted from a positive value of +10ppm/$^{\circ}C$ to a negative value of -15ppm/$^{\circ}C$ by increasing the amount of $V_2$ $O_{5}$ Based on our experimental results, the B $i_{0.97}$T $m_{0.03}$Nb $O_4$(added $V_2$ $O_{5}$) ceramics can be applied to multilayer microwave devices at low sintering temperatures.ng temperatures.emperatures.ratures.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.11a
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• pp.350-353
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• 2002

The microwave dielectric properties and the microstructures on $Bi_{0.97}Nb_{0.03}O_{4}$doped with $V_{2}O_{5}$ were systematically investigated. $Bi_{0.97}Tm_{0.03}Nb_{0.03}O_{4}$ ceramics sintered at $920-960^{\circ}C$were mainly consisted of orthorhombic and triclinic phases after addition of $V_{2}O_{5}$. The apparent density increased slightly with increasing the $V_{2}O_{5}$ addition. The dielectric $constants(\varepsilon_r)$ also increased with $V_{2}O_{5}$ addition(30-45). The $Q{\times}f_0$ values measured on $Bi_{0.97}Tm_{0.03}NbO_4$ ceramics doped with $V_{2}O_{5}$ were between 2,000 and 12,000[GHz] when the sintering temperatures are in the range of $920-960[^{\circ}C]$. It was confirmed the temperature coefficient of the resonant $frequency(\tau_f)$ can be adjusted from a positive value of $+10[ppm/^{\circ}C]$ to a negative value of $-15ppm/^{\circ}C$ by increasing the amount of $V_{2}O_{5}$. Based on our experimental results, the Bi0.97Tm0.03NbO4(added V2O5) ceramics can be applied to multilayer microwave devices at low sintering temperatures.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.71-71
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• 2000

본 연구에서는 차세대 마이크로파 유전체 소자로서의 응용을 목적으로 펄스 레이저 방식에 의하여 증착된 MgTiO3 박막의 전기적 특성을 종합적으로 연구 분석하였다. 이를 바탕으로 MgTiO3 박막의 유전손실 등과 같은 열화를 야기시키는 박막 내부 또는 박막과 기판간의 결함의 특성을 파악하여 열화 메카니즘을 분석하였다. MgTiO3는 마이크로파 영역에서의 우수한 유전특성과 같은 낮은 유전손실을 가지며, 온도 안정성 또한 우수하다. 현재까지 벌크 세라믹 MgTiO3 의 응용 광범위하게 연구되어 왔으나 박막의 제조공정 및 전기적 특성 분석은 미흡한 형편이다. 따라서 벌크 세라믹과는 특성이 상이한 박막의 전기적 특성분석 및 연구가 필요하다. 분석을 위한 소자의 기본 구조로서 Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) 구조를 채택하였다. MgTiO3 박막을 증착하기 위한 기판으로는 n형 Si(100)기판과 p형 Si(100)기판을 사용하였고, Si 기판 위에 급속 열처리기 (RTP)를 이용하여 SiO2를 ~100 두께로 성장시킨 것과 성장시키지 않은 것으로 구분하여 제작하였다. MgTiO3 박막은 펄스 레이저 증착 방식(PLD)에 의하여 약 2500 두께로 증착되었으며, 200mTorr 압력의 산소 분위기 하에서 기판의 온도를 40$0^{\circ}C$~55$0^{\circ}C$까지 5$0^{\circ}C$간격으로 변화시키며 제작하였다. 상하부의 전극 금속으로는 Al을 이용하였으며, 열증발 증착기로 증착하였다. 증착된 MgTiO3 박막의 결정구조를 확인하기 위하여 XRD 분석을 수행하였으며, 박막의 전기적 특성을 분석하기 위해 Boonton7200 C-V 측정기와 HP4140P를 이용한 경우에는 C-V 곡선에 이력현상이 나타났으나, MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 이력현상이 나타나지 않았고, 유전율은 감소하는 것으로 나타났다. I-V 측정 결과, 절연층으로 MgTiO3/SiO2를 이용한 경우에는 MgTiO3만을 절연층으로 사용한 경우에 비해 동일한 전계에서 낮은 누설전류 값을 가짐을 알 수 있었다. 또한 박막의 증착온도가 증가함에 따라서 C-V 곡선의 위치가 양의 방향으로 이동함을 확인하였다. 위의 현상은 기판의 종류에 관계없이 발생하는 것으로 보아 벌크 또는 계면에 존재하는 결함에 의한 것으로 추정된다. 현재 C-V 곡선의 이동 원인과 I-V 곡선의 누설전류 메카니즘을 분석 중에 있으며 그 결과를 학회에서 발표할 예정이다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.30 no.6
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• pp.532-537
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• 1986

The kinetics of the reaction of $[Mo_2O_4(H_2O)_6]^{2+}$ with $VO_2^+$ have been studied at $25^{\circ}C$ by spectrophotometric method. Stoichiometry of the oxidation of$ [Mo_2O_4(H_2O)_6]^{2+}$ is followed as $Mo_2^V + 2V^V {\rightleftharpoons} 2Mo^{VI} + 2V^{IV}$. Observed rate constants are dependent on $ [H^+]\;and\;[VO_2^+]$. Mechanism for the redox of $[Mo_2O_4(H_2O)_6]^{2+}\;and\;VO_2^+$ is proposed and discussed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.345-345
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• 2011

MgO는 암염구조를 가진 전형적인 이온 결합성 화합물로서 7.8eV의 띠틈을 갖고 흡습성이 강하다. 면 방전 구조 PDP에서 MgO 보호막은 면 방전으로 인한 유전층의 식각을 보호하고 2차 전자 방출을 통해 방전 전압을 낮추는 역할을 한다. 하지만 MgO 보호막은 증착시 흡수된 수분이 제거되어야 하고, 방전 특성 개선 및 방전 효율 향상을 위해 가공 처리에 관한 연구가 진행 되어야 한다. 본 연구는 MgO 보호막의 전자적 특성의 변화를 알아보기 위해 $O_2$ 분위기에서 전자빔 증착법을 이용해 MgO Powder를 사용하여 시료를 제작하였다. 표면에 흡착된 수분제거로 인한 특성 변화를 알아보기 위해 진공 챔버내에서 시료를 $500^{\circ}C{\sim}550^{\circ}C$의 열처리를 실시한 후 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy), REELS(Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy), UPS(Ultraviolet photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 전자적 특성을 연구하였다. XPS 측정결과 시료의 열처리를 통해 C1s spectrum의 O-C=O(289eV) binding energy가 없어져 박막에 흡착된 불순물이 제거 되었으며 O1s spectrum에서 Hydroxides가 감소하고 530.0eV의 MgO 결합에너지쪽으로 커짐으로써 박막의 구조를 확인할 수 있었다. 그리고 $O^2$ 분위기에서 성장시킨 MgO 박막 기판을 열처리 후 REELS를 이용해 띠틈을 얻어보면 Ep=500eV에서 띠틈이 6.77eV, Ep=1500eV에서 띠틈이 7.33eV로 각각 측정되었다. Ep=500eV의 REELS 스펙트럼으로부터 산소 결함에 의한 표면 F Center는 4.22eV로 확인되었다.

• Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
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• v.28 no.1
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• pp.15-22
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• 1995

To study ecological properties of Vibrio cholerae non-Ol and Vibrio mimicus which have been described as new food poisoning bacteria recently, the influence of factors such as temperature, salinity, pH and chemical oxygen demand (COD) on detection rate and density of these bacteria were evaluated. Fifty four seawater samples and 49 bottom deposit samples from estuary of Kum river from March 26th, 1993 to February 22nd, 1994 were used for this study. The detection rate of V cholerae non-O1 were $16.7\%$ for seawater and $10.2\%$ for bottom deposit, respertively. The total detertion rate of V. cholerae non-O1 $(11.7\%)$ was a little higher than V mimicus $(10.7\%)$. Both V choierae non-O1 and V. mimicus were mainly detected in estuary water of which showed temperature $24^{\circ}C$ above and salinity $10\%o$ below. These bacteria were also detected in bottom deposit on January when the water temperature was $3.5^{\circ}C$. From these results, we supposed that temperature, salinity and organic material were important factors to growth of V. cholerae non-O1 and V. mimicus. V cholerae non-O1 might be grown better than V. mimicus under the fluctuating aquatic environmental condition such as salinity.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.17 no.7
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• pp.713-719
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• 2016

The NOx conversion properties of Mn-Cu-$TiO_2$ and $V_2O_5$/$TiO_2$ catalysts were studied for the selective catalytic reduction (SCR) of NOx with ammonia. The performance of the catalysts was investigated in terms of their $NOx$ conversion activity as a function of the reaction temperature and space velocity. The activity of the Mn-Cu-$TiO_2$ catalyst decreased with increasing reaction temperature and space velocity. However, the activity of the $V_2O_5$/$TiO_2$ catalyst increased with increasing reaction temperature. High activity of the Mn-Cu-$TiO_2$ catalyst was observed at temperatures below $200^{\circ}C$. H2-TPR and XPS analyses were conducted to explain these results. It was found that the activity of the Mn-Cu-$TiO_2$ catalyst was influenced by the thermal shock caused by the change of the initial reaction temperature, whereas the $V_2O_5$/$TiO_2$ catalyst was not affected by the initial reaction temperature. In the case of catalyst C, the $NO_x$ conversion efficiency decreased with increasing space velocity. The decrease in the $NO_x$ conversion efficiency with increasing space velocity was much less for catalyst D than for catalyst C.