• 제목/요약/키워드: C-V method

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승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장 (Growth of 6H-SiC Single Crystals by Sublimation Method)

  • 신동욱;김형준
    • 한국결정학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.19-28
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    • 1990
  • 단결정 6H-SiC는 에너지갭이 3.0eV인 반도체로서 청색발광소자 및 고온반도체소자로 응용이 기대되는 재료이다. 본 연구에서는 청색발광소자 제작을 위해 6H-SiC 단결정을 승화법으로 성장시켰다. 승화법으로 성장시 성장도가니내의 온도구배를 44℃/cm, 성장온도는 1800-1990℃ 압력은 50-1000 mTorr이었다. 사용한 종자정은 에치슨법으로 성장시킨 SiC 단결정을 사용하였다. 성장된 6H-SiC 결정은 종자징위에 epitaxial growtll를 하였음을 편광현미경과 Back reflection Xray Laue 법으로 확인하였다. 성장조건을 변화시켰을 때 생성되는 결정상의 변화를 XRD로 조사하였다. 성장 온도가 1840℃ 이상일 경우에는 6H-SiC이 성장되었으며, 그 이하에서는 6H-SiC가 성장되었다. 또한 3C-SiC는 저온 저파포화도 성장조건에서 성장되는 상임을 확인하였다. van der Pauw측정법에의한 전기적 특성을 조사하였는데, 전도형은 p형이고 hole 농도와 이동도는 7.6x1014cm-3와 19cm2 V-1sec-1였다.

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고장력강 용접부에 있어서 한계 COD값과 V charpy충격치와의 상관성에 관한 연구 (A study on the correlation between V charpy absorbed energy and critical COD value in the welded parts of high tensil strength steel under various welding methods)

  • 김영식;김충해
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제12권3호
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    • pp.57-67
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    • 1988
  • Although handicapped by the inability to bridge the size gap between small laboratory sample and large engineering component, the V charpy test sample method does possess certain advantages, such as each of preparation, simplicity of test method, speed, low cost in test machinery, and low cost per test. On the other hand, the COD test method does posses advantages, which reduce the size gap between the laboratory sample and actual engineering component. Consequently, the correlation between V charpy absorbed energy and the critical COD value is required for estimating critical COD value from the simple V charpy test results. In this paper, the high tensile strength steel AH36 plate specimens having a single edge cracked notch were investigated to find out the correlation between V charpy absorbed energy and critical COD value in the welded parts under such various welding methods as shielded metal arc welding, the submerged arc welding and the electro gas welding by means of V charpy impact test and static 3-point bending test. Main results obtained are as follow ; 1. The relationships between V charpy absorbed energy Wc' and critical COD value ($\delta_c$)show; $\delta_c$=0.0065 Wc'+0.1906. 2. Ductile- brittle transition behaviours can be estimated by means of fracture appearance and general yielding behaviours. 3. The V charpy absorbed energy of SMAW is higher than that of SAW, EGW and similar relationships are obtained in the COD tests.

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Molecular Cloning, Bioinformatics Analysis and Expression Profiling of a Gene Encoding Vacuolar-type $H^+-ATP$ Synthetase (V-ATPase) c Subunit from Bombyx mori

  • Lu, Peng;Chen, Keping;Yao, Qin;Yang, Hua-Jun
    • International Journal of Industrial Entomology and Biomaterials
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    • 제15권2호
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    • pp.115-122
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    • 2007
  • As the genome of B.mori is available in GenBank and the EST database of B.mori is expanding, identification of novel genes of B.mori is conceivable by data-mining techniques. We used the in silico cloning method to get the vacuolar-type $H^+-ATP$ synthetase (V-ATPase) c subunit (16 kDa proteolipid subunit) gene of B.mori and analysed with bioinformatics tools. The result was confirmed by RT-PCR and sequencing. The V-ATPase c subunit cDNA contains a 468 bp ORF. The ORF encoded a 155-residue protein that showed extensive homology with V-ATPase c subunits from other 15 species and contained four membrane-spanning helices. Tissue expression pattern analysis revealed that V-ATPase c expressed strongly in Malpighian tubules, not in fat body. This gene has been registered in GenBank under the accession number EU082222.

황의 Sublimatographic Characters에 관한 연구 (Study on the Sublimatographic Characters of Sulfur)

  • 손진언;김주봉
    • Elastomers and Composites
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    • 제7권1호
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    • pp.53-58
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    • 1972
  • Sublimatographic study on the method of test for sulfur in the petroleum and rubber products was as following results: (1) The relation between the heating temperature$(t_h)$ and the vacuum condensing point(V.C.P.) of sulfur at different degree of vacuum appeared as Fig.4. The results were in good agreement with those expected from the $t_h-V.C.P$ curves of sublimatographic separation of sulfur. (2) The relation between the degree of vacuum and the V.C.P. at different heating temperature of sulfur appeared as follows; $$tv.c.p.=\alpha+{\beta}logP_{va}$$ (3) The V.C.P of sulfur could be physical property comparing with melting point and boiling point. (4) The relation between the V.C.P. and the quantity of sublimation of sulfur becomes quantitative as Fig.7.

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몰리브덴을 첨가한 직접 소입 저탄소 비조질강에 관한 연구 (The Study of Low Carbon Microalloyed Forging Steels by Direct Quenching Method with Mo Additions)

  • 위겸복;이경섭
    • 한국재료학회지
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    • 제2권6호
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    • pp.452-460
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    • 1992
  • 공냉에 의한 중탄소 비조질강과 직접 소입 방법에 의한 저탄소 비조질강의 강도와 인성에 대하여 미량 첨가 원소와 온도 및 냉각 속도의 영향을 조사하였다. 공냉에 의한 중탄소 비조질강은 페라이트-펄라이트 조직으로 V+Nb 복합첨가로 강도와 인성의 조합을 이룰 수 있었으며 연구 결과 최적 조합은 0.40C+0.12V+0.07Nb에 의한 인장 강도 831MPa, 충격 52.1J이었다. 직접 소입 방법에 의한 저탄소 비조질강은 마르텐사이트 조직으로 Mo에 의한 강도와 인성의 조합을 이를 수 있었으며 가장 양호한 조합은 0.12C+0.10V+0.03Nb+1.13Mo에 의한 인장강도 855MPa, 충격인성 108J로써 중탄소 비조질강에 비해 충격 인성이 2배 정도 향상되었다. 가열온도 110$0^{\circ}C$가 120$0^{\circ}C$에 비해 더 양호한 강도 및 충격 인성을 나타내었고, 냉각속도는 1.$2^{\circ}C$/s가 가장 양호한 결과를 나타내었다. 또한 합금원소와 온도 및 냉각속도가 강도, 충격인성, 오스테나이트 결정립 크기 그리고 펄라이트 층간거리에 미치는 영향을 중회귀분석하여 계량화하였다.

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Measurement of Interface Trapped Charge Densities $(D_{it})$ in 6H-SiC MOS Capacitors

  • Lee Jang Hee;Na Keeyeol;Kim Kwang-Ho;Lee Hyung Gyoo;Kim Yeong-Seuk
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2004년도 ICEIC The International Conference on Electronics Informations and Communications
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    • pp.343-347
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    • 2004
  • High oxidation temperature of SiC shows a tendency of carbide formation at the interface which results in poor MOSFET transfer characteristics. Thus we developed oxidation processes in order to get low interface charge densities. N-type 6H-SiC MOS capacitors were fabricated by different oxidation processes: dry, wet, and dry­reoxidation. Gate oxidation and Ar anneal temperature was $1150^{\circ}C.$ Ar annealing was performed after gate oxidation for 30 minutes. Dry-reoxidation condition was $950^{\circ}C,$ H2O ambient for 2 hours. Gate oxide thickness of dry, wet and dry-reoxidation samples were 38.0 nm, 38.7 nm, 38.5 nm, respectively. Mo was adopted for gate electrode. To investigate quality of these gate oxide films, high frequency C- V measurement, gate oxide leakage current, and interface trapped charge densities (Dit) were measured. The interface trapped charge densities (Dit) measured by conductance method was about $4\times10^{10}[cm^{-1}eV^{-1}]$ for dry and wet oxidation, the lowest ever reported, and $1\times10^{11}[cm^{-1}eV^{-1}]$ for dry-reoxidation

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$HgGa_2S_4$ 단결정의 광학적 특성 (Optical properties of $HgGa_2S_4$ single crystal)

  • 김형곤;김남오;김병철;최영일;김덕태;현승철;방태환;이경섭;구할본
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.47-52
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    • 2004
  • $HgGa_2S_4$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method. The $HgGa_2S_4$ single crystal crystallized into a defect chalcopyrite structure $(I\bar{4})$. The lattice constants of the single crystal were found to be a=5.635 ${\AA}$ and c=10.473 ${\AA}$. The direct and indirect optical energy gaps were found to be 2.84 eV and 2.78 eV, respectively. Photoluminescence peaks of $HgGa_2S_4$ single crystal were observed at 2.37 eV, 2.18 eV, and 1.81 eV. In the single crystal, the donor level of 0.25 eV, the acceptor levels of 0.97 eV and 0.41 eV were obtained by TSC, PICTS, and absorption measurements. The photoluminescence peaks were analyzed to relate to the indirect conduction band, the donor level, and the acceptor levels.

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$BiNbO_4$ 세라믹스를 이용한 태핑기법의 적층칩 대역 필터에 관한 연구 (Experimental fabrication of tapped band pass filter of $BiNbO_{4}$ ceramics)

  • 고상기;지기만;김경용
    • 한국통신학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.988-996
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    • 1998
  • BN 세라믹에 소결조제로 0.07wt% $V_{2}O_{5}$ 와 0.03wt% CuO을 첨가 하였을 때(BNC3V7) Ag 전극과 동시 소성이 가능한 $900^{\circ}C$ 소결할 수 있었다. 이때 BNC3V7 시편은 유전상수 44.3 $Qxf_{o}$값 22,000 GHz, TCF 값 ppm$/^{\circ}C$의 유전특성을 얻을 수있었다. PCS대역에서 사용 가능한 적층칩 대역 필터를 기존의 방법과 태핑기법에 의한 2가지 방법으로 설계하였다. 입출력 태핑 기법을 이용하여 필터를 제조할 경우 입출력 커플링을 이용한 기존방법에 비해 layer를 감소시킬 수 있어 구조가 간단해진다는 장점이 있다. 적층칩 대역 필터는 Tape casting한 후 Ag전극을 이용하여 Screen printing하여 제작 하였다. 제작된 필터는 $900^{\circ}C$에서 소결하여 설계된 필터와 특성 값을 비교 하였다. 태핑된 칩 필터와 기존 칩 필터 모두 중심주파수는 90MHz 낮은 주파수 대역으로 이동 하였지만 대역 통과 특성은 설계 값과 유사 하였다. 태핑된 칩 필터의 스퓨리어스 특성은 기존 칩 필터에 비해 향상되었다.

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Metagonimus yokogawai 세르카리아의 감각유두에 관한 연구 (Study on Sensory Papillae of Metagonimus yokogawai Cercaria)

  • 김재진;민득영소진탁
    • Parasites, Hosts and Diseases
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    • 제22권1호
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    • pp.11-20
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    • 1984
  • A number of studies on the papillae of cercariae of trematodes reported that the papillar patterns (or chaetotaxy) of cercariae might be an excellent method to attain better understanding of the digenetic trematodes (Richard, 1971 ; Short and Cartrett, 1973; Bayssade-Dufour, 1979) . The present study was aimed to determine the number, distribution pattern and structure of the sensory papillae of Metagonimus yokogawai cercariae, and to elucidate the chaetotaxy of this digenetic trematode. M. yokogawai cercariae were pipetted from a vial in which infected snails (Semisulcospira libertina) had been kept for 3 hours. The snails were collected from an endemic area of M. yokogawai, Boseong river in west-southern part of Korea. Observations of papillae were based on light microscopy of those stained with silver nitrate, and on scanning electron microscopy The results are summarized as follows: 1, All papillae observed were uniciliated. 2. Cilia in anterior tip were shorter than the others in other portions. 3. The body papillae were arranged in essentially symmetrical patterns, Total number of the papillae was 126(63 pairs) in average; anterior tip 40(20 pairs), ventral 20(10 pairs), lateral 42(21 pairs), and caudal 8(4 pairs). 4. The chaetotany of M. yokogawai cercaria was: Ci cycle ($3+3C_{I}V,{\;}2+2C_{I}L,{\;}2+3C_{I}D),{\;}C_{II}{\;}cycle(2C_{II}V,{\;}1C_{II}L,{\;}2C_{II}D),{\;}C_{lll}{\;}cycle{\;}(1+lC_{III}V,{\;}1C_{IlI}L),{\;}C_{IV}{\;}cycle{\;}(1C_{IV}V,{\;}IC_{lV}L){\;}in{\;}cephalic{\;}region:{\;}A_I(1A_{IV}V,{\;}1+2A_{I}L,{\;}1A_{I}D),{\;}A_{II}(1A_{II}V,{\;}1+3A_{II}L,{\;}1A_{II}D),{\;}A_{III}(1A_{III}V,{\;}1+1A_{III}L,{\;}1A_{III}D){\;}and{\;}A_{IV}(1A_{IV}V,{\;}2A_{IV}L)$ in antacetabular region: $1M_{I}V{\;}and{\;}2M_{I}L$ in median: $1+1P_{I}L,{\;}1P_{II}L,{\;}1P_{II}D,{\;}1P_{III}L,{\;}1P_{IV}L{\;}and{\;}1P_{IV}D$ in postacetabular region: 2-2-2-2 in caudal region.

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소부대 교전훈련 Virtual-Constructive 시뮬레이션 연동개념 연구를 위한 테스트베드 (Test-Bed for the Interoperation of Virtual-Constructive Simulation)

  • 권순걸;최미선;김문수;이태억
    • 한국시뮬레이션학회논문지
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    • 제19권4호
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    • pp.219-233
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    • 2010
  • L-V-C 시뮬레이션 연동은 실병력이 실장비를 가지고 참여하는 Live 시뮬레이션 모델, 실병력이 모의된 장비를 가지고 참여하는 Virtual 시뮬레이션 모델, 그리고 모의된 시스템에 모의된 병력이 참여하는 Constructive 시뮬레이션 모델을 연결하여 통합 운용하는 개념으로써, 각각의 모델이 갖고 있는 장점을 취하고, 단점을 보완하며, 보다 실전적인 통합 훈련이 가능하도록 하는데 그 목적이 있다. 본 논문에서는 L-V-C 시뮬레이션 연동을 위한 연구로서, 소부대 교전훈련을 위한 Virtual-Constructive 시뮬레이션 연동개념 연구를 위한 테스트베드를 구축하여, 이를 바탕으로 V-C 시뮬레이션 연동을 위한 요구사항 및 기술을 제안 하고, 기술의 효용성을 검증하였다. 또한 본 논문의 연구 결과는 추후 임무 / 교전급 규모 부대의 L-V-C 연동을 위한 핵심기술 개발에 활용될 수 있을 것이다.