• 한국화재소방학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.35-41
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• 2006

본 논문에서는 22.9 kV용 변압기 부싱 절연 커버의 실태조사를 실시하였다. 절연 커버에 열적 스트레스를 인가하여 열화 패턴, 열 중량 변화, 적외선 특성 등을 해석하여 전기사고 원인 분석을 위한 근거를 제시하고자 한다. 노출된 변압기 단자를 보호하기 위해 설치한 절연 커버의 크기 및 길이가 부적절한 것이 확인되었다. 절연 커버에 $150^{\circ}C$의 열적 스트레스를 인가한 경우 플라스틱 절연 커버(A, B, D, E)는 심한 변형이 일어났으나, 고무 절연 커버 C는 정상이었다. 열 중량 분석 결과 절연 커버 A는 $307.8{\sim}405.9^{\circ}C$에서 33.3%의 감소가 있었으며, 절연 커버 C는 $258.8{\sim}332.9^{\circ}C$에서 53.7%의 감소가 발생하였다. FT-IR 분석에서 플라스틱 절연 커버는 $CH_2,\;CH_3$, C=O, C=C 결합 구조를 갖는 것으로 나타났으며, 고무 절연 커버는 OH, $CH_2,\;CH_3$, C=O, C=N, C=C 등의 결합인 것을 알 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1352-1354
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• 1998

$LiNbO_3$ transistor showed relatively stable characteristic, low interface trap density, and large remanent polarization. This paper reports ferroelectric $LiNbO_3$ thin films grown directly on p-type Si(100) substrates by 13.56 MHz rf magnetron sputtering system for FRAM applications. To take advantage of low temperature requirement for growing films, we deposited $LiNbO_3$ films lower than $300 ^{\circ}C$. RTA(Rapid Thermal Anneal) treatment was performed for as-deposited films in an oxygen atmosphere at $600^{\circ}C$ for 60 sec. We learned from X-ray diffraction that the RTA annealed films were changed from amorphous to poly-crystalline $LiNbO_3$ which exhibited (012), (015), and (022) orientations. The I-V characteristics of $LiNbO_3$ films before and after anneal treatment showed that RTA improved the leakage current of films. The leakage current density of films decreased from $10^{-5}$ to $10^{-7} A/cm^2$ at room temperature measurement. Breakdown electric field of the films exhibited higher than 500 kV/cm. The C-V curves showed the clockwise hysteresis represents ferroelectric switching characteristics. From C-V curves, we calculated dielectric constant of thin film $LiNbO_3$ as 27.5 which is close to that of bulk value.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권5호
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• pp.497-503
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• 2015

It is essential to acquire an accurate and simple technique for extracting the interface trap density ($D_{it}$) in order to characterize the normally-off gate-recessed AlGaN/GaN hetero field-effect transistors (HFETs) because they can undergo interface trap generation induced by the etch damage in each interfacial layer provoking the degradation of device performance as well as serious instability. Here, the frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) method (FDCM) is proposed as a simple and fast technique for extracting $D_{it}$ and demonstrated in normally-off gate-recessed AlGaN/GaN HFETs. The FDCM is found to be not only simpler than the conductance method along with the same precision, but also much useful for a simple C-V model for AlGaN/GaN HFETs because it identifies frequency-independent and bias-dependent capacitance components.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권10호
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• pp.1-8
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• 2009

본 논문에서는 아날로그 및 디지털 집적시스템에서 사용될 수 있는 온도변화에 무관한 파워-업 검출기 회로를 제안하였다. 제안된 파워-업 검출기는 트랜지스터의 문턱전압과 이동도의 상호 온도보상 기술을 이용하여 nMOS 분압기와 pMOS 분압기의 출력 전압이 온도에 무관한 특성을 갖도록 하여 온도 변화에 따른 파워-업 전압의 변화량을 최소화하였다. 68-nm CMOS 공정을 이용한 시뮬레이션 결과, 제안된 파워-업 검출기는 파워-업 전압 1.0V 기준으로 $-30^{\circ}C$에서 $90^{\circ}C$의 온도변화 조건에서 4 mV의 매우 작은 파워-업 감지 전압 변화량을 갖는 출력 특성을 보였고, 기존 회로에 비해 92.6%의 파워-업 감지 전압 변화량 감소를 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제22권1호
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• pp.51-56
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• 2012

본 연구에서는 출발원료로 ${\sigma}$-VCo 금속간화합물과 $V_{50}Co_{50}$ 혼합분말을 각각 사용하여 기계적 합금화에 따른 비정질화 가능성을 조사하였다. X선 회절에 의해 얻어진 전구조인자 S(Q) 및 동경분포함수 RDF(r)의 결과로부터 볼밀링이 진행됨에 따라 비정질상의 구조적 특징이 분명히 관찰되었다. 120시간 MA 처리에 의하여 두 경우 모두에서 비정질상이 생성됨을 알 수 있었다. 60시간 동안 MA 처리한 $V_{50}Co_{50}$ 분말시료의 열분석 에서는 약 $600^{\circ}C$에 비정질상의 결정화에 의한 발열 peak가 관찰되었다. X선 회절법에 의해 얻어진 전구조인자 및 동경분포함수의 분석으로부터 MA 시간에 따라 출발 결정상은 비정질상의 특징적인 원자구조로 서서히 변화함을 알 수 있었다.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제10권2호
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• pp.75-79
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• 2015

본 연구에서는 폴리이미드 박막위에서의 수직 및 수평배향에서 혼합액정의 배향 특성에 대해서 연구하였다. 혼합액정은 러빙을 이용하여 배향처리하였으며, 러빙에 사용된 폴리이미드 박막은 알킬기를 Side Chain으로 가진 수직배향용 배향막과 그렇지 배향막으로 나누어서 프리틸트각 특성을 측정하였다. 실험결과 혼합액정을 사용하여 양호한 배향상태를 얻을 수 있었으며, 고온에서의 열 안정성에서도 우수한 특성을 보이는 것을 알 수 있었다. 또한 프리틸트각의 발생 원리를 이해하기 위해서 접촉각 측정을 실시하였으며, 이 둘이 밀접한 상관관계를 갖고 있음을 알 수 있었다

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권4호
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• pp.23-28
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• 2004

본 논문에서는 Mo을 PMOS의 금속 게이트로 사용하였을 때의 Mo의 특성에 대해서 연구 하였다. Mo을 게이트 물질로 사용한 MOS 커패시터를 제작하였고, 소자의 C-V 특성 곡선으로부터 일함수를 추출하였다. 그 결과 Mo 게이트는 PMOS에 적합한 일함수를 나타내는 것을 알 수 있었다. Mo의 전기적/화학적 안정성을 검증하기 위해서 600, 700, 800 그리고 900℃에서 급속 열처리를 수행하였으며 열처리 이후 유효 산화막의 두께와 일함수의 변화를 살펴보았다. 또한 900℃ 열처리 이후의 XRD 분석을 통해서 Mo 금속 게이트가 SiO₂에 대해서 안정하다는 것을 확인하였다. 4점 탐침기로 측정한 Mo 금속 게이트의 면저항은 10Ω/□ 미만으로 폴리 실리콘에 비해서 매우 작은 값을 나타냈다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제43권6호
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• pp.27-32
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• 2006

전기 저항식 습도 센서를 이용하여 온도 보상된 습도계를 개발하였다. 개발된 습도계는 사인파 발생기, 대수 변환기, 정류기, 그리고 증폭기로 구성되며, 사용된 센서의 선형화와 온도 보상을 수행한다. 습도계의 동작 원리를 제시하였고, 실험 결과들을 이용하여 이론적인 예측의 타당성을 증명하였다. 실험 결과는 습도계의 변환 감도가 약 24.8 mV/%RH이고 변환 특성의 선형 오차가 30에서 80 %RH의 상대습도 범위에서 17.2 %보다 작다는 것을 보여준다. 실험 결과는 또, 출력 전압의 온도 계수가 22에서 $40^{\circ}C$의 온도 범위에서 $10149ppm/^{\circ}C$ 이하라는 것을 보여준다.

• 한국표면공학회지
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• 제46권1호
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• pp.16-21
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• 2013

CIGS (Cu-In-Ga-Se) films were deposited on the Mo coated soda lime glass (Mo/SLG) by RF magnetron sputtering using a single sintered target with different chemical compositions. Heat treatment of the CIGS films were carried out under three different conditions, 1step ($350^{\circ}C$ for 2 hour and $550^{\circ}C$ for 2 hour) and 2step ($350^{\circ}C$ for 1 hour and $550^{\circ}C$ for 1 hour). In the case of CIGS films post-annealed on 2step method, grain size remarkably increased compared to other methods, indicating that chemical composition [Cu/(Ga+In) = 1] of CIGS films was same as CIGS target. After heat treatment by 2step method, band gap energy of the CIGS film deposited at RF 80 W showed 1.4 eV which is broadly similar to identical band gap energy (1.2 eV) of CIGS film prepared by evaporation method. Therefore, 2step heat treatment method could be expected to low temperature process.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.47-52
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• 2009

We studied the electrical characteristics of low-k SiOCH interlayer dielectric(ILD) films fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). BTMSM precursor was evaporated and introduced with the flow rates from 16 sccm to 25 sccm by 1 sccm step with the constant flow rate of 60 sccm $O_2$ in process chamber. The vibrational groups of SiOCH thin films were analyzed by FT!IR absorption lines, and the dielectric constant of the low-k SiOCH thin films were obtained by measuring C-V characteristic curves. The heat treatment on SiOCH thin films reduced the FTIR absorption intensity of the Si-O-$CH_3$ bonding group and Si-$CH_3$ bonding group but increased the intensity of Si-O-Si(C) bonding group. The SiOCH ILD films could have low dielectric constant $k\;{\simeq}\;2$ and also be reduced further by decreasing the $CH_3$ group density and increasing Si-O-Si(C) group density through annealing process.