Tungsten film was deposited on the TiN surface in a low pressure chemical vapor deposition reactor and chemical reaction mechanism between TiN surface and ($WF_{6}\;and\;SiH_{4}$ was studied. Interaction of ($WF_{6}\;or\;SiH_{4}$ with TiN surface and tungsten was deposited more easily. $WF_6$ reacted with TiN activated the TiN surface to form volatile TiF_4$ and tungsten nuclei were formed. ($SiH_{4}$ was dissociated on the TiN surface to form silicon nuclei. From RBS and AES analysis, we could not detect the impurities(such as Si or TiF$_x$)at the interface between tungsten and TiN. The adhesion at the W/TiN interface became poor when the deposition temperature was below 275$^{\circ}C$.
Electrical properties such as tracking resistance, dielectric constant, $tan\delta$, and volume resistivity, and mechanical properties such as tensile, and strength, and % elongation were measured with the alumina trihydrate filled with EPDM. The results were dicussed in terms of the effect of hydroxyl group. The test results show that the tracking resistance of EPDM improves with the increase in ATH content, whereas volume resistivity, dielectric constant, $tan\delta$ decrease wi th increasing ATH content due to polar nature of ATH. In the charge accumulation characteristics, the homocharge is formed in pure EPDM, and as the ATH content increases in the EPDM compound, the amount of homocharge decrease.
The present investigation has been performed on the manufacturing process of Ni-P doped W-Cu electric contacts by infiltration techniques. The addition of small amount of Ni-P alloy aimed at forming a rigid and homogeneous skeleton structure of W-powders which favours subsequent infiltration process of Cu-melts. The experimental results revealed that the small addition of Ni-P alloy appreciably enhances the sintering process of W at low temperatures (even at 1000$^{\circ}C$), simultaneously causing a considerable change of skeleton Morphology and its related best infiltration behaviour of Cu-melts.
The electrochemical properties of W-modified austenitic stainless steels containing Ta and La were evaluated in a $H_{3}PO_{4}$ type PEMFC environment. Electrochemical test was conducted in 0.05 M $H_{3}PO_{4}$ solution at $80^{\circ}C$ and electrical property was conducted by contact resistance test. XPS was conducted to analyze the chemical elements consisting of passive film. Addition of La and Ta in W-modified austenitic stainless steel shows not only better corrosion resistance but also better electrical property.
Kim, Chang-Seong;Park, Seon-Gyu;Yoo, Bong-Chul;Kim, Wan-Joong;Jun-Rovillos
대한자원환경지질학회:학술대회논문집
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대한자원환경지질학회 2003년도 춘계 학술발표회 논문집
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pp.180-183
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2003
Epithermal deposits are an important class of hydrothermal deposits, that have recently seen an surge of exploration and research, principally as significant resources of gold and silver. Epithermal deposits form at shallow depths (surface to 1-2km) and temperatures less than 30$0^{\circ}C$ (Hayba et al., 1985), and encompass a variety of low-sulfidation (near-neutral pH, reduced fluid; LS) and high-sulfidation (acidic and oxidized fluid; HS) deposits (Sillitoe, 1993; White and Hedenquist, 1995). (omitted)
Various heat-treatments were conducted to Ti-48.1at%Al and Ti-48.3at%Al-1.2at%Mn alloys casted by plasma arc melting system. Mechanical properties, microstructure and high temperature oxidizing behaviors of as-casted and heat-treatment alloys were investigated. Ti-48.1Al and Ti-48.3Al-1.2Mn alloys were decreased in strength according to increased of heattreatment temperature. Oxidizing weight gain of Ti-48.1Al alloy which conducted at $1273^{\circ}K$ was linearly increased. In case of adding Mn to alloy, there was no rapid increase of oxidizing weight gain during early time.
경상대학교 교내에 설치되어 있는 1-2W형 온실을 대상으로 전기 방열기를 이용하여 국화 재배온실의 난방효과를 검토한 결과는 다음과 같다. 실험기간동안 최고, 평균 및 최저 외기온은 각각 $-3.8{\sim}21.3^{\circ}C$, $-5.2{\sim}16.1^{\circ}C$ 및 $-12.5{\sim}14.4^{\circ}C$ 정도의 범위로 나타났으며, 온실 내외의 평균상대습도 각각 43.5~98.6% 및 35.2~100%로 나타났다. 12월 중순부터 2월 상순까지 최저 외기온은 대략 $-5.0{\sim}-10.0^{\circ}C$ 전후로 나타나 진주기상대의 최근 자료와 비교하면 상대적으로 최저기온이 낮게 나타나는 경향이 있었다. 야간의 경우, 방열기 직하부의 엽온이 방열기 중간 지점에서 측정한 엽온 보다 크게 $2{\sim}3^{\circ}C$정도 높게 나타나거나 또는 미미하지만 약간 높게 나타나는 경향이 있었다. 근권부의 경우, 직하부나 중간 지점에서의 온도 차이는 거의 없는 것으로 나타났고, 근권부의 최고온도와 기타 최고 온도의 발생 시점을 보면, 약 2시간정도의 지체현상이 있음을 알 수 있었다. 그리고 실험기간동안 난방에 소요된 총 소비전력량, 공급에너지 및 총 난방비는 각각 2,800kWh, 2,408,000kcal 및 112,000won 정도였다. 화석연료인 경유로 난방할 경우, 총난방비는 224,500won 정도였다. 방열기를 이용하여 난방할 경우, 난방비를 약 50% 정도 줄일 수 있을 것으로 판단되었다.
본 연구에서는 0.5M NaCI 용액내에서 일어나는 고분자재료로 피복된 강의 퇴화현상을 광학현미경 관찰 및 A.C. impedance spectroscopy를 이용하여 연구하였다. 강의 부식은 고분자재료로 피복된 강의 경우 국부부식(localized corrosion)의 형태로 나타난 반면, 피복되지 않은 강의 경우에는 전면부식(uniform corrosion)의 형태로 진행되었다. 고분자재료로 피복된 강의 부식이 국부적으로 진행되는 것은 피복층내에 존재하는 기공이나 크랙과 같은 결함 등에서 부식이 선택적으로 일어나기 때문으로 사료된다. 피복층의 박리(delamination) 현상은 고분자재료로 피복된 강/구리 갈바닉쌍(galvanic couple)의 경우 구리표면 위의 피복층에서만 관찰되었다. 이는 캐소드(cathode)로 작용하는 구리의표면에서 산소의 환원반응에 의해서 형성된 수산화이온(OH-)이 피복층의 박리를 조장하고 있음을 보여준다. 또한, 고분자재료 피복층의 파손 현상은 고분자재료/강의계면에서 석출된 부식생성물에 의해서 크게 조장되고 있음을 알 수 있다.
10% ethanol에 의한 처녀발생유가 및 체외수정된 돼지 난포란을 CZB와 CRlaa 에서 배양하여 배발달율을 조사하였다. 또한 CZB에 각기 다른 농도의 cholesterol (0$\mu$g/mL, 2$\mu$g/mL, 5$\mu$g/mL, 10$\mu$g/mL)을 첨가한 후 체외수정된 돼지 난포란을 배양하여 배발달률을 조사하였다. CZB 구는 BOEC와 공배양하였다. 처녀발생유가 48시간 후 2~8세포기로 발달한 난자의 비율은 CZB 구가 32.2%, CRlaa구가 16.8%였으며, 192시간후 상실배로 발달한 난자의 비율은 CZB구가 5.75%, CRlaa구가 0%였다. 체외수정 48시간 후 2~8세포기로 발달한 난자의 비율은 CZB 구가 42.4%, 81%, CRlaa 구가 17.6%였으며, 192시간 후 상실배로 발달한 난자의 비율은 CZB 구가 5.81%, CRlaa 구가 0%였다. 각기 다른 농도의 cholesterol이 첨가된 CZB구에서 상실배로 발달한 난자의 비율은 각각 0,10,0.45,0%였다.
Park, Eunchul;Inki Hong;Hyunsuk Hwang;Taehyun Sung;Kwangsoo No
Progress in Superconductivity
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제3권1호
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pp.95-98
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2001
Recently, NiO films have been studied as a buffer layer to fabricate the superconductor with preferred orientation and as a diffusion barrier to prevent the reaction between superconductor and textured nickel substrate . We fabricated NiO films on textured Ni substrate by thermal oxidation with various variables of temperature, oxidation time, atmosphere, and cooling rate. We investigated the alignment of NiO films by XRD and pole figure and the microstructures by SEM. (200) <001> alignment of NiO film was observed at the oxidation condition of $1200^{\circ}C$ far 10min and slow cooling in O2 atmosphere. During the process in Ar atmosphere, we could also observe the thermal faceting which affects the alignment of NiO alms on Ni substrate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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