Antioxidative activity of c비ture of Streptomyces sp. BH-405 was investigated. After removal of pellets of Streptomyces sp. B BH-405, antioxidative substances were is미ated and suc$\infty$sively purified from culture of Streptomyces sp. BH-405 by by thin | layer chromatography $\pi$LC) or silica gel column chromatography. The fraction 3 obtained from ethylether fractionation of the C culture appeared highest level of anti oxidative activity as determined by thiocyanate method. Band 2 obtained by further P purification of this fraction showed higher anti oxidation level than that of same concentration of dl- $\alpha$ -tocopherol, butylated h hydroxy anisole (BHA). The band 2 showed higher rate of 1, 1.diphenyl 2-picrylhydrazyl (DPPH) decolorization than dl-$\alpha$-tocopherol. In the rat liver microsomes, band 2 rapidly inhibited lipid peroxidation which was initiated enzymatically by r reduced nicotinamide adenine dinucleotide phosphate (NADPH) or non-enzymatically by Fenton’s reagent. Band 2 inhibited on | lipid peroxidation of mitochondria or the linoleic acid hydro peroxide induced peroxidation system. It is concluded that band 2 obtained by fractionation of Streptomyces sp. BH-405 cultivation contained antioxidants with the capacity to inhibit oxidative m modification.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.11
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pp.911-914
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2010
In this paper, the $CuInSe_2$ thin film was prepared by using co-evaporation method in four different substrate temperatures $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$. When the substrate temperature was at $200^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$, the single-phase $CuInSe_2$ was crystallized. As the temperature increased, it was shown that the thickness of the thin film was decreased with increment of the hall coefficient. When the sample was prepared at $200^{\circ}C$ of the subsrate temperature, the values of band gap energy (Eg), sheet resister and resistivity were measured 0.99 eV, $89.82\;{\Omega}/{\square}$ and $103{\times}10^{-4}\;{\Omega}{\cdot}cm$, respectively.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.4
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pp.267-272
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2010
In this paper, a Gm-C LPF utilizing common-mode feedforward (CMFF) CMOS inverter type operational transconductance amplifier (OTA) has been designed and verified by circuit simulations. The CMFF CMOS inverter OTA was optimized for wide input linearity and low current consumption using a standard 0.18 ${\mu}m$ CMOS process; gm of 100 ${\mu}S$ and current of 100 ${\mu}A$ at supplied voltage of 1.3 V. Using this optimized CMFF CMOS inverter type OTA, an elliptic 5th order Gm-C LPF for GPS specifications was designed. Gain and frequency tuning of the LPF was done by changing the internal supply voltages. The designed Gm-C LPF gave pass-band ripple of 1.6 dB, stop-band attenuation of 60.8 dB, current consumption of 0.60 mA at supply voltage of 1.2 V. The gain and frequency characteristics of designed Gm-C LPF was unchanged even though the input common-mode voltage is varied.
We present the discovery of rare active galactic nuclei (AGNs) in nearby (z<0.05) compact elliptical galaxies (cEs) located in isolated environments. Using spectroscopic data from the Sloan Digital Sky Survey (SDSS) Data Release 12, four AGNs were identified based on the optical emission-line diagnostic diagram. SDSS optical spectra of AGNs show the presence of distinct narrow-line emissions. Utilizing the black hole (BH) mass-stellar velocity dispersion scaling relation and the correlation between the narrow L([OIII])/L(Hβ) line ratio and the width of the broad Hα emission line, we estimated the BH masses of the cEs to be in the range of 7×105-8×107 solar mass. The observed surface brightness profiles of the cEs were fitted with a double Sérsic function using the Dark Energy Camera Legacy Survey r-band imaging data. Assuming the inner component as the bulge, the K-band bulge luminosity was also estimated from the corresponding Two Micron All Sky Survey images. We found that our cEs follow the observed BH mass-stellar velocity dispersion and BH mass-bulge luminosity scaling relations, albeit there was a large uncertainty in the derived BH mass of one cE. In view of the observational properties of BHs and those of the stellar populations of cEs, we discuss the proposition that cEs in isolated environments are bona fide low-mass early-type galaxies (i.e., a nature origin).
밀러-유리 실험으로 알려진 전기방전 실험은 지구초기대기를 모사하여 아미노산을 합성하여, 지구에서 생명의 기원을 연구하는 실험중의 하나이다. 메탄(CH4), 암모니아(NH3), 질소(N2) 가스를 주입하고 전기방전으로 에너지를 가했다. 그 결과 용액에서는 아미노산인 글라이신(C2H5NO2), 알라닌(C3H7NO2), 히스티딘(C6H9N3O2), 프롤린(C5H9NO2), 발린(C5H11NO2)이 검출되었고, 기존 Miller 1953과 Parker et al. 2014의 결과와 비교하였다. 전기방전에서는 C2 Swan Band 와 CN emission을 발견하였다. 이 두 방출선들은 혜성에서도 일반적으로 보여지는 방출선들이다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.115-115
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1999
GaN는 직접천이형 wide band gap(3.4eV) 반도체로서 청색/자외선 발광소자 및 고출력 전자장비등에의 응용성 때문에 폭넓게 연구되고 있다. 이러한 넓은 분야의 응용을 위해서는 열 적으로 안정된 Ohmic contact을 반드시 실현되어야 한다. n-type GaN의 경우에는 GaN계면에서의 N vacancy가 n-type carrier로 작용하기 때문에 Ti, Al, 같은 금속을 접합하여 nitride를 형성함에 의해서 낮은 접촉저항을 갖는 Ohmic contact을 하기가 쉽다. 그러나 p-type의 경우에는 일 함수가 크고 n-type와 다르게 nitride가 형성되지 않는 금속이 Ohmic contact을 할 가능성이 많다. 시료는 HF(HF:H2O=1:1)에서 10분간 초음파 세척을 한 후 깨끗한 물에 충분히 헹구었다. 그런 후에 고순도 Ar 가스로 건조시켰다. Pd와 Ni은 열적 증착법(thermal evaporation)을 사용하여 p-GaN에 상온에서 증착하였다. 현 연구에서는 열처리에 의한 Pd의 clustering을 줄이기 위해서 wetting이 좋은 Ni을 Pd 증착 전과 후에 삽입하였으며, monchromatic XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 와 SAM(scanning Auger microscopy)을 사용하여 열처리 전과 40$0^{\circ}C$, 52$0^{\circ}C$ 그리고 695$0^{\circ}C$에서 3분간 열처리 후의 온도에 따른 morphology 변화, 계면반응(interfacial reaction) 및 벤드 휨(band bending)을 비교 연구하였다. Nls core level peak를 사용한 band bending에서 Schottky barrier height는 Pd/Ni bi-layer 접합시 2.1eV를, Ni/Pd bi-layer의 경우에 2.01eV를 얻었으며, 이는 Pd와 Ni의 이상적인 Schottky barrier height 값 2.38eV, 2.35eV와 비교해 볼 때 매우 유사한 값임을 알 수 있다. 시료를 후열처리함에 의해 52$0^{\circ}C$까지는 barrier height는 큰 변화가 없으나, $650^{\circ}C$에서 3분 열처리 후에 0.36eV, 0.28eV 만큼 band가 더 ?을 알 수 있었다. Pd/Ni 및 Ni/Pd 접합시 $650^{\circ}C$까지 후 열 처리 과정에서 계면에서 matallic Ga은 온도에 비례하여 많은 양이 형성되어 표면으로 편석(segregation)되어지나, In-situ SAM을 이용한 depth profile을 통해서 Ni/Pd, Pd/Ni는 증착시 uniform하게 성장함을 알 수 있었으며, 후열처리 함에 의해서 점차적으로 morphology 의 변화가 일어나기 시작함을 볼 수 있었다. 이는 $650^{\circ}C$에서 열처리 한후의 ex-situ AFM을 통해서 재확인 할 수 있었다. 이상의 결과로부터 GaN에 Pd를 접합 시 심한 clustering이 형성되어 Ohoic contact에 문제가 있으나 Pd/Ni 혹은 Ni/Pd bi-layer를 사용함에 의해서 clustering의 크기를 줄일 수 있었다. Clustering의 크기는 Ni/Pd bi-layer의 경우가 작았으며, $650^{\circ}C$ 열처리 후에 barrier height는 Pd/Ni bi-layer의 경우에도 Ni의 영향을 받음을 알 수 있었다.
This study was carried out to establish the standard karyotype of Jeju horse by G-, C- and AgNOR-banding patterns. Blood samples were collected from 37 Jeju horses and 24 Thoroughbred that had been raised at the National Institute of Subtropical Agriculture in Jeju. The lymphocytes were cultured in vitro and then chromosomes prepared. The diploid chromosome number of Jeju horse is 64, which consists of 31 pairs of autosomes and X, Y sex chromosomes. The Jeju horse has 13 pairs of metacentric/submetacentric and 18 pairs of acrocentric autosomes. The X chromosome is the fifth largest submetacentric, while the Y chromosome is one of the smallest acrocentric chromosomes. The G-banding pattern of Jeju horse chromosomes showed a light band at centromeres in all autosomes, and also exhibited a typical and identical banding pattern in each homologous chromosome. Overall chromosomal morphology and positions of typical landmarks of the Jeju horse were virtually identical to those of International Committee for the Standardization of the Domestic Horse Karyotype. C-bands of Jeju horse chromosomes appeared on centromeres of almost all autosomes, but chromosome 8 showed a heterochromatin heteromorphism. The NORs in Jeju horse chromosomes showed polymorphic patterns within breed, individuals and cells. By the AgNOR staining, the NORs were located at the terminal of p-arm on chromosome 1 and near centromeres on the chromosome 26 and 31. The mean number of NORs per metaphase was 4.68 in Jeju horse.
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.23
no.1
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pp.59-65
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2020
Many technologies are being studied to reduce the RCS(Radar Cross Section) of stealth aircraft. Most RCS-reduction technlogies correspond to platforms. It is important to identify factors that RCS performance through simulation analysis of aircraft Mounted equipment. In particular, there are no studies of RCS performance in the radar frequency band when antenna transmit signals are applied. In this paper, the RCS performance variation on the transmit signal on/off of antennas mounted on a stealth aircraft was verified. Antennas were selected for each frequency band and simulated analysis to the RCS performance changes during antenna transmitting signal. Finally, to verify the characteristics of the change in RCS performance, RCS test measurements on the low-profile antenna transmit signal on/off were performed. In addintion, antenna RCS test measurement was performed according to the change of transmit signal power output. As a result, it was confirmed that there is no change in RCS performance when an antenna transmit signal is applied.
We investigated the quantum well intermixing (QWI) of a compressively strained InGaAs/InGaAsP multiple quantum well (MQW) by using impurity free vacancy diffusion technique. The samples with InGaAs/$SiO_2$ capping layer showed a higher degree of intermixing compared to that of InP/$SiO_2$ capping layer after rapid thermal annealing (RTA). Band-gap shift difference as large as 123 meV (195 nm) was observed between samples capped with InGaAs/$SiO_2$ and with InP/$SiO_2$ layer at RTA temperature of $700^{\circ}C$. Using the InGaAs/$SiO_2$ cap layer, the band-gap wavelength of MQW was changed by the intermixing from 1.55 $\mu\textrm{m}$ band to 1.3 $\mu\textrm{m}$ band with a wavelength shift of a 237 nm. The transform from MQW structure to homogenous alloy was observed above the RTA temperature of $700^{\circ}C$.
Kim, Hyeong-Gon;Kim, Byeong-Cheol;Sin, Seok-Du;Kim, Deok-Tae;Choe, Yeong-Il;Kim, Nam-O
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.48
no.1
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pp.12-17
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1999
$MgIn_2Se_4 and MgIn_2Se_4 : Ni^{2+}$ single crystals were grown in the rhombohedral structure by the chemical transport reaction (C.T.R.) method using iodine as a transport agent. The optical absorption measured near the fundamental band edge showed that the optical energy band structure of these compounds had a direct band gap. The fundamental absorption band edge of these single crystals shift to a shorter wavelength region by decreasing temperature and the temperature dependence of the optical energy gaps in these compounds satisfy Varshni equation. The impurity optical absorption peaks due to nickel are observed in $MgIn_2Se_4 and MgIn_2Se_4 : Ni^{2+}$ single crystal. These impurity optical absorption peaks can be attributed to the electronic transitions between the split energy levels of $Ni_{2+}$ ions located at $T_d$ symmetry site of $MgIn_2Se_4$ host lattice. In the hotoluminescence spectrum of the single crystal at 10 K, a blue emission with a peak at 687nm and a green emission with a peak at 815nm for the $MgIn_2Se_4$ single crystal were observed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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