• 전자통신동향분석
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• 제16권2호통권68호
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• pp.10-30
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• 2001

본 고에서는 차세대 인터넷 구축을 위한 요소 기술에 대하여 전반적으로 살펴본다. 우리는 현재보다 1,000배 빠른 차세대 인터넷의 구축을 목표로 하고 있다. 따라서 과연 그만큼 빠른 인터넷의 구축이 필요할 것인가를 검증하는 차원에서 향후 5년 정도의 가까운 시일 내에 있을 인터넷 트래픽의 증대에 대한 수요를 서비스 측면에서 살펴본다. 차세대 인터넷은 풍부한 전송대역폭의 제공과 QoS를 기반으로 한 신뢰성 있는 데이터의 전달을 특징으로 하며, 이를 위해서 광스위칭 기반의 전송 하부구조 위에 MPLS 기술이 사용될 것으로 예상된다. 이를 위한 요소기술로 DWDM 전송기술, MEMS 기반의 광스위칭 소자기술과 함께 광스위칭 기술에 지능을 부여하기 위한 표준화 동향에 대하여 살펴본다. 현재의 IP 기반 인터넷에서 제공하지 못하는 QoS 기능은 MPLS에서 가능하게 될 것이다. MPLS에서의 중요한 응용인 트래픽 엔지니어링과 VPN 서비스는 망이 보다 안정적으로 유지될 수 있도록 지원하면서 기업들이 MPLS 망을 이용하여 자신의 망을 구축할 수 있도록 지원할 것이다. MPLS 기술은 IETF에서 표준화가 진행되고 있으며 라우터 개발업체 및 ISP의 큰 지원을 받고 있다. 차세대 인터넷을 위해서는 전달망의 구축도 필요하지만 이와 함께 차세대 인터넷 응용을 위한 컴퓨팅 인프라도 균형있게 개발되어야 한다. 따라서 현재 그 윤곽을 드러내고 있는 차세대 인터넷 응용 인프라 환경에 대하여 그 등장 배경과 관련 기술에 대하여 조망한다. 차세대 인터넷의 개발을 위해서는 광처리 관련 원천 기술, 프로세서 개발 기술, 라우터 설계 기술 및 서버 개발 기술, 어플리케이션 기반 기술 및 사용자 인터페이스 기술들이 전략적으로 이음새 없이 매끄럽게 통합되어야 한다. 이러한 관점에서 필요한 요소기술들을 다수 보유하고 있는 ETRI의 역할은 매우 중요하리라 생각된다.

• 한국식품영양학회지
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• 제10권1호
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• pp.110-116
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• 1997

여과제균한 배추즙에 김치에서 분리한 7주의 젖산균을 단독 접종하고 1$0^{\circ}C$, 2$0^{\circ}C$, 3$0^{\circ}C$ 및 4$0^{\circ}C$에서 배양하면서 각각의 증식곡선을 작성하고, 이를 이용하여 각 배양온도에서의 유도시간과 세대시간을 구하였다. 3$0^{\circ}C$에서 배양할 때의 유도시간은 Leu. mesenteroides subsp. dextranicum은 168분, Leu. mesenteroides subsp. mesenteroides는 204분, Leu. paramesenteroides는 612분, Lac. bavaricus는 258분, Lac. homohiochii는 228분, Lac. plantarum은 270분 그리고 Lac. brevis는 264분이었고, 세대시간은 Leu. mesenteroides subsp. dextranicum 및 Leu. mesenteroides subsp. mesenteroides는 36분, Lac. bavaricus는 33분, Lac. homohiochii는 39분, Lac. plantarum은 66분, Lac. brevis는 42분 그리고 Leu. paramesenteroides는 162분이었다. 배양온도를 3$0^{\circ}C$에서 1$0^{\circ}C$로 낮출 때 모든 균주들의 유도시간과 세대시간이 크게 연장되었는데, 이러한 연장은 Lac. plantarum에서 더욱 현저하게 나타났다. 1$0^{\circ}C$, 2$0^{\circ}C$ 및 3$0^{\circ}C$에서는 Leu. mesenteroides subsp. mesenteroides의 유도시간과 세대시간이 Lac. plantarum의 그것보다 더 짧았다. 그러나 4$0^{\circ}C$에서는 이러한 양상이 완전히 전도되었다. 전반적으로 보아 배양온도가 낮아질수록 Leu. mesenteroides subsp. mesenteroides의 증식에 상대적으로 더 유리하였고, 배양온도가 높아질수록 Lac. plantarum의 증식에 상대적으로 더 유리하였다.

• KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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• 제2권2호
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• pp.143-165
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• 2016

COP21에서 채택된 파리협정에서 명시한 지구 대기온도 $2^{\circ}C$ 이하 상승억제 목표를 달성하기 위해서는 현재 각 당사국이 제출한 감축 목표치로만은 부족한 상황이다. 이에 따라 향후 감축목표를 상향하기 위한 작업이 이루어질 것이다. $CO_2$ 배출량을 줄이기 위한 여러 수단 중 이산화탄소 포집 및 저장(CCS: Carbon Capture and Storage)은 필수 옵션으로 현재 전세계에서 대규모 실증이 진행되고 있다. 실증 단계에 있는 1세대 기술의 경우 높은 포집비용 및 발전원가 상승으로 정책적 뒷받침 없이는 시장보급이 어려운 실정이다. 이에 비용을 저감하기 위한 2세대, 3세대 혁신 포집기술들이 개발되고 있으며 2세대 기술들은 파일럿 규모로, 3세대 기술들은 벤치규모로 연구되고 있다. 본 리뷰 논문에서는 전세계 대규모 CCS 실증 사업 현황을 살펴보고, 2세대, 3세대 포집기술에 대해 연소전, 연소후, 신연소기술로 구분하고 습식 포집기술, 건식 포집기술, 분리막 기술, 산소연소기술의 세부 기술개발 내용에 대한 현재까지의 기술개발 결과를 요약정리하였다.

• 세라미스트
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• 제4권1호
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• pp.5-13
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• 2001

차세대 ULSI 소자의 다층금속배선을 위한 저유전 물질중에서, 기존의 절연막인 TEOS-$SiO_2$ 증착 장비 및 공정을 최대한 이용할 수 있으며, 물성 또한 TEOS oxide와 유사하다는 점에서 적용 시점을 앞당길 수 있는 SiOF 박막과 SiOC 박막의 특성에 대해 고찰해 보았다. 1세대 저유전 물질이라 할 수 있는 SiOF는 후속공정에도 안정적인 상태의 박막을 얻기 위해서는 3.0이하의 유전상수를 얻는 것이 불가능한 반면, SiOC는 3.0 이하의 유전상수를 가지는 안정적인 박막을 얻을 수 있다. SiOC 물질은 저밀도의 단일물질로서, 물질 내부에 후속공정에 영향을 미칠만한 기공을 포함하지 않기 때문에 후속 CMP 공정에 적합하였으며, $450^{\circ}C$이하의 열 공정에서도 응력변화 및 박막성분 탈착이 거의 일어나지 않는 점 또한 SiOC 박막의 우수한 후속공정 적합성을 보여주는 결과였다. 이러한 결과를 종합하여 볼 때, 현재 사용되고 있는 1세대 저유전 물질인 SiOF 박막을 대체할 차세대 저유전 물질로 SiOC 물질이 유망하며, 이는 3.0 이하의 유전상수를 요구하는 Gb DRAM 소자나 보다 빠른 동작속도가 생명인 논리회로(logic circuit) 소자에 적용될 경우 큰 소자특성 개선이 기대된다.

• IT SoC Magazine
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• 통권22호
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• pp.46-51
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• 2007

• 한국IT서비스학회:학술대회논문집
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• 한국IT서비스학회 2006년도 춘계학술대회
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• pp.547-554
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• 2006

국내외적으로 차세대 아키텍처인 SOA에 대한 관심이 높아지고 있으며, 수년 내에 SOA가 일반적인 아키텍처가 될 것으로 전망 되고 있다. 하지만, 여전히 많은 기업들이 막연하게 SOA가 현실화 되기 에는 아직은 많은 위험 요소가 있는 것으로 판단 하고 있다. 본 논문에서는 SOA기반 차세대 Architecture에 대한 시나리오 기반의 정성적, 정량적인 검증을 수행 하여 아키텍처적인 관점에서 타당성을 제시하고, SOA를 실제 구축 프로젝트에 적용하기 위한 방안을 제시하여, 이론 및 사상적인 측면에서 벗어나 현실화된 Architecture로써 SOA가 도입 될 수 있도록 하고자 한다.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2008년도 제31회 추계학술대회논문집
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• pp.67-71
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• 2008

추력조정이 유연한 차세대 고체추진기관 그리고 위성제어용 차세대 비냉각 액체엔진 소형추력기는 $2500^{\circ}C$급의 가혹한 작동조건에서 비삭마, 내열 내산화와 같은 내구성을 가진 내열부품을 요구하고 있다. 본 연구에서는 차세대 추진기관의 작동조건을 제시하고 그에 맞는 내열부품의 국내외 기술현황을 조사하였다. 또한 레늄(Re)을 기본으로하는, 고체 및 액체추진기관에 동시 적용이 가능한 $2500^{\circ}C$급 초고온 장수명 추력기(thruster) 내열부품의 국내연구 필요성과 방향을 제시하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.199-199
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• 2010

최근 평판 디스플레이 산업의 발전에 따라 능동행렬 액정 표시 소자 (AMOLED : Active Matrix Organic Liquid Crystral Display) 가 차세대 디스플레이 분야에서 각광을 받고있다. 기존의 TFT-LCD에 사용되는 a-Si:H는 균일도가 좋지만 전기적인 스트레스에 의해 쉽게 열화되고 낮은 이동도는 갖는 단점이 있으며, ELA (Eximer Laser Annealing) 결정화 poly-Si은 전기적인 특성은 좋지만 uniformity가 떨어지는 단점을 가지고 있어서 AMOLED 및 대면적 디스플레이에 적용하기 어렵다. 따라서 a-Si:H TFT보다 좋은 전기적인 특성을 보이며 ELA 결정화 poly-Si TFT보다 좋은 uniformity를 갖는 SPC (Solid Phase Crystallization) poly-Si TFT가 주목을 받고있다. 본 연구에서는 차세대 디스플레이 적용을 위해서 glass 기판위에 증착된 a-Si을 SPC 로 결정화 시킨 후 TFT를 제작하고 평가하였다. 또한 TFT 형성시에 저온공정을 실현하기 위해서 소스/드레인 영역에 실리사이드를 형성시켰다. 소자 제작시의 최고온도는 $500^{\circ}C$ 이하에서 공정을 진행하는 저온 공정을 실현하였다. Glass 기판위에 a-Si이 80 nm 증착된 기판을 퍼니스에서 24시간 동안 N2 분위기로 약 $600^{\circ}C$ 에서 결정화를 진행하였다. 노광공정을 통하여 Active 영역을 형성시키고 E-beam evaporator를 이용하여 약 70 nm 의 Pt를 증착시킨 후, 소스와 드레인 영역의 실리사이드 형성은 N2 분위기에서 $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$에서 열처리를 통하여 형성하였다. 게이트 절연막은 스퍼터링을 이용하여 SiO2를 약 15 nm 의 두께로 증착하였다. 게이트 전극의 형성을 위하여 E-beam evaporator 을 이용하여 약 150 nm 두께의 알루미늄을 증착하고 노광공정을 통하여 게이트 영역을 형성 후 에 $450^{\circ}C$, H2/N2 분위기에서 약 30분 동안 forming gas annealing (FGA)을 실시하였다. 제작된 소자는 실리사이드 형성 온도에 따라서 각각 다른 특성을 보였으며 $450^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 on currnet와 SS (Subthreshold Swing)이 가장 낮은것을 확인하였다. $500^{\circ}C$와 $550^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 거의 동일한 on current와 SS값을 나타냈다. 이로써 glass 기판위의 SB-TFT 제작 시 실리사이드 형성의 최적온도는 $500^{\circ}C$로 생각되어 진다. 위의 결과를 토대로 본 연구에서는 SPC 결정화 방법을 이용하여 SB-TFT를 성공적으로 제작 및 평가하였고, 차세대 디스플레이에 적용할 경우 우수한 특성이 기대된다.

• 정보처리학회논문지C
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• 제8C권4호
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• pp.437-442
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• 2001

무선, 컴퓨터와 인터넷 기술이 결합된 무선 인터넷 서비스는 급속히 확대될 것으로 전망되며, 이에 따라 음성은 물론 멀티미디어 통신까지 지원하는 고속의 전송기술이 요구되어지고 있다. 그러나 현재 사용하고 있는 DSSS(Direct Sequence Spread Spectrum) 전송방식은 전송속도의 제한 때문에 미래의 무선 환경하에서 충분치 않을 것으로 보인다. 본 논문에서는 차세대 전송기술로 부각되고 있는 고속의 무선 데이터 전송을 위한 OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 전송기술에 대해 고찰해 보고, 동일한 환경하에서 DSSS와 OFDM 전송장비의 성능 평가 실험을 실시하여 보았다. 무선 환경하에서의 DSSS/OFDM전송장비의 성능평가 결과, OFDM 전송기술을 사용한 장비의 성능이 성능면에서 훨씬 우월함을 보여주었다. 따라서 고속을 요하는 차세대 무선 인터넷의 전송기술로서 적합하게 사용될 수 있을 것으로 보인다.

• 한국인쇄학회지
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• 제19권1호
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• pp.17-27
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• 2001

플라티늄포르피린 핵과 주위에 8, 16, 32 그리고 64 개의 벤질 단위를 갖는 새로운 덴드리머를 압력 감지형 페인트에 사용할 발광체로 합성하였다. 플라티늄포르피린 핵을 갖는 제 1 세대의 덴드리머는 Lindsey형 합성법을 이용하여 제조하였으며, 제 2 세대에서 제 4 세대까지의 플라티늄포르피린 핵을 갖는 덴드리머는 플라티늄 테트라키스(3,5-디히드록시페닐)포르피린을 적합한 덴드론 브로마이드와 Williamson 에테르 합성법에 따라 알킬화반응시켜 제조하였다. 이러한 에테르 연결의 생성 반응들은 $K_2$CO$_3$와 18-크라운-6를 사용하여 아세톤 용매에서 질소 기류 하에서 6$0^{\circ}C$에서 수행하였을 때 가장 좋은 결과를 주었다. 그리고 이렇게 합성한 덴드리머들을 $^1$H-NMR, $^{13}$C-NMR, Mass spectrum 이용하여 구조를 확인하고, 그리고 UV-VIS spectroscopy를 이용하여 분광학적인 특성을 조사하였다.