• 한국재료학회지
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• 제9권4호
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• pp.414-418
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• 1999

Typical metal oxide thin films having optical and electrical properties are widely used as inorganic functional materials. Liquid phase deposition(LPD) method, a new low temperature process, has been developed for the several advantages of no vacuum system, low cost, high throughput, and low processing temperature(<$50^{\circ}C$). Silica powder was added to 40wt% hydrofluoro-silicic acid($H_2$SiF\ulcorner) to obtain an immersing solution of silica-saturated hydrofluorosilicic acid solution. Boric acid solution was continuously added in the range from 0 to 0.05M to prepare supersaturated hydrofluorosilicic acid solution. LPD $SiL_2$film was formed with the variation of added amount of $H_2$O. The SiO$_2$thin film could be prepared from hydrofluorosilicic acid by LPD method. The thickness of LPD $_SiO2$film was influenced by the boric acid concentration and added amount of $H_2$O. Silicon in thin film existed as SiF\ulcorner by Raman spectrum.

• 한국재료학회지
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• 제10권3호
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• pp.204-211
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• 2000

초음파 분무법으로 $(Y,Gd)BO_3:Eu$의 PDP 적색 형광체를 제조하여 147nm VUV 여기에 따른 발광 특성을 분석하였다. 초음파 분무에 사용된 전구체 용액은 Y, Gd, Eu의 아세트산염과 $H_3BO_3$를 증류수에 용해하여 1.7MHz의 초음파 분무기로 고온의 반응관내로 분무하였다. 분무된 액적은 반응관내에서 통과시 불충분한 반응으로 C-C와 C-H를 함유한 비정질 상이었으나, $1100^{\circ}C$에서 추가 열처리 한 시편은 고상반응법으로 제조한 형광체와 동일한 결정구조와 성분을 보였다. 고상반응법으로 제조한 형광체의 분말 크기는 $3{\mu\textrm{m}}$으로 조대하고 불균일한 분포를 보인 반면, $500^{\circ}C$에서 분무한 후 $900^{\circ}C$에서 열처리하여 제조한 $(Y_{0.7}Gd_{0.3})_{0.95}BO_3:Eu_{0.05}\;^{3+}$ 형광체의 모양은 비교적 구형이었으며 평균 입자크기는 $0.7{\mu\textrm{m}}$로 미세하고 균일한 분포를 하고 있었다. 147nm VUV 여기시 초음파 분무로 제조한 $(Y_{0.7}Gd_{0.3})_{0.95}BO_3:Eu_{0.05}\;^{3+}$ 형광체의 적색 발광강도는 고상반응법으로 제조한 시편이나 상용품인 $(Y,Gd)BO_3:Eu$ 형광체에 비해 그 휘도가 증가되었다.