The author analyzes the luminous efficiency of the phosphor-conversion white light-emitting diode (LED) that consists of a blue LED chip and a yellow phosphor. A theoretical model is derived to find the relation between luminous efficiency (LE) of a white LED, wall-plug efficiency (WPE) of a blue LED chip, and the phosphor absorption ratio of blue light. The presented model enables to obtain the theoretical limit of LE and the lower bound of WPE. When the efficiency model is applied to the measured results of a phosphor-conversion white LED, the limit theoretical value of LE is obtained to be 261 lm/W. In addition, for LE of 88 lm/W at 350 mA, the lower bound of WPE in the blue LED chip is found to be ~34%. The phosphor absorption ratio of blue light was found to have an important role in optimizing the luminous efficiency and colorimetric properties of phosphor-conversion white LEDs.
We investigate the temperature dependence of the phosphor conversion efficiency (PCE) of the phosphor material used in a white light-emitting diode (LED) consisting of a blue LED chip and yellow phosphor. The temperature dependence of the wall-plug efficiency (WPE) of the blue LED chip and the PCE of phosphor are separately determined by analyzing the measured spectrum of the white LED sample. As the ambient temperature increases from 20 to $80^{\circ}C$, WPE and PCE decrease by about 4.5% and 6%, respectively, which means that the contribution of the phosphor to the thermal characteristics of white LEDs can be more important than that of the blue LED chip. When PCE is decomposed into the Stokes-shift efficiency and the phosphor quantum efficiency (QE), it is found that the Stokes-shift efficiency is only weakly dependent on temperature, while the QE decreases rapidly with temperature. From 20 to $80^{\circ}C$ the phosphor QE decreases by about 7% while the Stokes-shift efficiency changes by less than 1%.
Kim, Jeong-Seog;Piao, Ji-Zhe;Choi, Jin-Ho;Cheon, Chae-Il;Park, Joo-Suk
한국세라믹학회지
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제42권3호
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pp.145-149
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2005
[ $Eu^{2+}$ ]-activated barium magnesium silicate phosphor, $(Ba,Ca)_{3}MgSi_{2}O_{8}:Eu_{x}$, has been known to emit blue-green light. In this study we report the manufacturing processes for producing either pure green or pure blue light-emitting phosphor from the same composition of $Ba_{2-x}Ca_{2}CaMgSi_{2}O_{8}:Eu_{x}$ (0 < x < 1) by controlling heat treatment conditions. Green light emitting phosphor of $Ba_{1.9}CaMgSi_{2}O_{8}:Eu_{0.1}$ can be produced under the sample preparation condition of highly reducing atmosphere of $23\%\;H_2/77\%\;N_2$, while blue or blue-green light emitting phosphor under reducing atmosphere of $5\~20\%\;H_2\;/\;95\~80\%$ N_2. The green light-emitting phosphors are prepared in two steps: firing at $800\~1000^{\circ}C$ for $2\~5$ h in air then at $1100\~1350^{\circ}C$ for 2-5 h under reducing atmosphere $23\%$$H_2/77\%\;N_2$. The excitation spectrum of the green light-emitting phosphor shows a broadband of $300\~410$ nm. The emission spectrum has a maximum intensity at the wavelength of about 501 nm. The CIE value of green light emission is (0.162, 0.528). The pure blue light-emitting phosphors can be produced using the $Ba{2_x}CaMgSi_{2}O_{8}:Eu_{x}$ by introducing additional firing step at $1150\~1300^{\circ}C$ in air before the final reducing treatment. The XRD analysis shows that the green light-emitting phosphor mainly consisted of $Ba_{1.31}Ca_{0.69}SiO_{4}$ (JCPDS $\#$ 36-1449) and other minor phases i.e., $MgSiO_3$ (JCPDS $\#$ 22-0714) and $Ca_{2}BaMgSi_{2}O_{8}$ (JCPDS $\#$ 31-0128). The blue light-emitting phosphor mainly consisted of $Ca_{2}BaMgSi_{2}O_{8}$ phase.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1276-1278
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2009
A novel blue emitting $Ca_{1-x}Mg_2Si_3O_9:Eu_x$ phosphor was synthesized by the solid state reaction and its photoluminescence properties were optimized by controlling concentration of the activator contents and substituting concentration of Ca ion by Sr ion. The photoluminescence (PL) showed that this phosphor is efficiently excited by ultraviolet (UV)-visible light in the wavelength range from 200 to 410 nm. Also this phosphor emits intensely blue light with a broad peak at around 450 nm.
A phosphor-conversion white light source is demonstrated using an InGaN-based blue laser diode (LD) and a yellow-emitting phosphor excited by the blue LD. The photometric and colorimetric properties of this blue-LD-based white light source are characterized. When injection current of the LD is 100 mA, luminous flux and luminous efficiency of the white light are found to be over 5 lm and 10 lm/W, respectively. When injection current is >90 mA, luminance is estimated to be larger than 10 Mcd/$cm^2$. In addition, color characteristics of the white light such as chromaticity coordinates, a correlated color temperature, and a color rendering index are found to be quite stable as current and temperature of the LD varies. The demonstrated LD-based white light source is expected to be used in high-brightness illumination applications with good color stability.
Various colors of light emitting diodes(LED) and four-band white light sources are obtained using a violet LED and various phosphor films. $BaMg_2Al_{16}O_{27}:Eu\;(blue),\;SrGa_2S_4:Eu\;(green),\;and\;Eu(TTA)_3(PTA)$ (red) phosphors are dispersed in poly-vinyl-alcohol aqueous solutions, and phosphor films are prepared by coating the suspensions to PET film. The narrow band emission of $Eu(TTA)_3(PTA)$ phosphor has excellent red luminescent property for four-band white light excited by the violet LED.
Recently, various screen film system have been introduced in diagnostic radiology. There are two kinds of screen film system : blue emitting $CaWO_4$ screen has been largely used in these days. However, it tends to be changed to use green emitting $Gd_2O_2S$ : Tb screen. In this study, photographic characteristics of $CaWO_4$ and $Gd_2O_2S$ : Tb screen were investigated with luminescence, spectroscopy. The morphology of $CaWO_4$ and $Gd_2O_2S$ : Tb were also observed by using scanning electron microscope. The result obtained were as follows : 1. There was small difference in the thickness of phosphor layers for the front and back screen of blue emitting system, but little difference in those of green emitting system. 2. There was no difference in the size of phosphor particles between the front and back screen for each screen. However, the particle size was different for the various kinds of screens. 3. The shape of phosphor particle was round with many faces for all the screens. 4. In the exposure of X-ray with the same intensity, luminescent intensity of a green emitting system was $6{\sim}7$ times larger than that of a blue emitting system. 5. The thickness of phosphor layers does not affect on the sensitivity of the screens exposed by X-ray.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1279-1282
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2009
The luminescence properties of a potential blue-emitting $RbBaPO_4:Eu^{2+}$ phosphor substituted with various metal ions have been investigated. The main emission wavelength of the phosphor samples was red-shifted by the substitution with K and Sr ions. The maximum peak intensity was obtained from the sample $Rb_{0.25}K_{0.75}Ba_{0.99}Eu_{0.01}PO_4$ which showed 144% relative intensity versus that of BAM:$Eu^{2+}$ phosphor under 254 nm excitation.
In this study, we attempt to synthesize the $Sr_{3}SiO_{5}:Eu$ yellow phosphor by sol-gel technique. Based on the blue emitting diodes as primary light source, white light emitting diodes have been manufactured using the $Sr_{3}SiO_{5}:Eu$ yellow phosphor as the luminescent material. Luminescent efficiency of yellow phosphor as well as that of blue LED is very important factor to enhance the luminescent efficiency of white LED. In order to improve the luminescent efficiency, we have synthesized the $Sr_{3}SiO_{5}:Eu$ phosphor by sol-gel technique. To research optimum condition of gelation reaction, the ratio of $H_{2}O$ to TEOS was fixed as 60:1. When the drying temperature was at $100^{\circ}C$, emission intensity was better than at $70^{\circ}C$. The critical $Eu^{2+}$ concentration was estimated to be about 0.05 mol and sintering temperature at $1300^{\circ}C$ was indicated best emission intensity.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제15권2호
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pp.69-72
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2014
White LEDs, based on blue LED chips coated with a yellow emitting phosphor (YAG:Ce), have several disadvantages. In this paper, we report the improvement in CRI [Color Rendition Index] using $GdAl_5O_{12}:Ce$ (GdAG:Ce) and related phosphors for blue LEDs. A modified combustion synthesis route using mixed fuel was used for synthesis route. By using this procedure, we formed the desired compounds in a single step. LEDs were then fabricated by coating the blue LED chips (CREE 470 nm, 300 micron) with the GdAG:Ce phosphor dispersed in epoxy resin. The CRI typically between 65~70 for the YAG:Ce based LED was improved to 87 for LEDs fabricated from the Gd(Al,Ga)G phosphors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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