• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
• /
• 2003.04a
• /
• pp.49.1-49
• /
• 2003

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2006.05a
• /
• pp.32.2-32.2
• /
• 2006

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.19 no.7
• /
• pp.662-666
• /
• 2006

Microstructure and electrical properties of ZnO varistors as a function of sintering temperature and times were investigated. Sintering temperature and times greatly affected electrical properties and Bi-rich liquid phase of the microstructure. The varistor which were sintered at $1125^{\circ}C\sim1150^{\circ}C$, for 2 hr exhibited the varistor voltage$(V_c)$, nonlinear coefficient $(V_{10mA}/V_{1mA})$, leakage current$(I_L)$ dielectric constant and dissipation factor as $225\sim250V/mm,\;0.89\sim0.92,\;0.8\sim1.1{\mu}A,\;720\sim740\;and\;1.8\sim2.0%$, respectively.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.21 no.2
• /
• pp.126-130
• /
• 2008

In this study, in order to develop low loss multilayer piezoelectric actuator, PZN-PZT ceramics were fabricated using $Li_2CO_3,\;Bi_2O_3$, CuO and ZnO as sintering aids, their structural, piezoelectric and dielectric characteristics were investigated according to the amount of ZnO addition, At the sintering temperature of $870^{\circ}C$, the density, electromechanical coupling factor(kp), mechanical quality factor(Qm), dielectric constant(${\epsilon}_r$) and piezoelectric constant($d_{33}$) of 0.4 wt% ZnO added specimen (sintered at $870^{\circ}C$) showed the optimum value of $7.812g/cm^3$, 0.535, 916, 1399, 335 pC/N respectively. Taking into consideration above piezoelectric properties of the specimen sintered at low temperature, it was concluded that PZN-PZT ceramics using 0.4 wt% ZnO as additive showed the optimum characteristics as the composition ceramics for low loss multilayer piezoelectric actuator application.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2003.08a
• /
• pp.48-52
• /
• 2003

Low melting crystalline solder glasses for CRT sealing were prepared from the composition of PbO 73.0~75.5 wt%, ZnO 12~15 wt%, $B_2O_3$ 7.0~9.0 wt%, BaO 1.5~3.5 wt%, $P_2O_5$ 1.0~2.5 wt%, $Bi_2O_3$ 0.5~20 wt%. The nucleation and crystallization of the crystalline solder glasses were studied by DTA, SEM and XRD. $2PbO{\cdot}ZnO{\cdot}B_2O_3$ crystalline phase was formed from glass matrix by heat-treatment of glass frits Crystalline solder glasses developed from this paper have good firing condition of $430{\sim}440^{\circ}C$ for 10min and good physical properties

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2015.08a
• /
• pp.253-253
• /
• 2015

최근 세계적으로 대체 에너지는 중요한 이슈가 되고 있으며 특히 열전 재료는 유망한 에너지 기술로서 주목 받고 있다. 특히 고 직접화 전자 소자의 발열 문제를 해결하기 위해, 소형화와 정밀 온도 제어가 가능한 박막형 열전 소자에 대한 관심이 크다. 박막형 열전소자 중 산화물 반도체계에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이러한 산화물 반도체계 중 In2O3는 BiTe, PbTe 등의 기존의 재료에 비해 독성이 낮을 뿐만 아니라 고온에서 열적 안정성이 우수하여 고온에서 적용 불가능한 금속계 열전 재료의 한계를 극복할 수 있다는 장점을 가진다. 좋은 성능의 열전 재료는 높은 전기 전도도 및 제백 계수 그리고 낮은 열전도도 특성을 가져야 한다. 비정질 구조를 가지는 박막 열전 재료는 격자에 의한 열 전도도가 낮기 때문에 결정질 구조와 비교하여 전체 열 전도도 값이 낮을 것으로 기대된다. 이러한 특성을 바탕으로 본 연구에서는 비정질 구조를 갖는 ZnO와 SnO2를 동시에 첨가한 In2O3 박막의 전기적 특성과 열전 특성에 관한 연구를 하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
• /
• 2003.06a
• /
• pp.91-94
• /
• 2003

하소온도에 따른 (Zn/sub 0.8.Mg/sub 0.2/)TiO₃ 마이크로파 유전체 세라믹스의 소결거동과 마이크로파 유전특성의 변화를 연구하였다. 저온소결을 위하여 0.45 wt.％Bi₂O₃와 0.55wt.％V₂O/sub 5/를 첨가하였으며, 1000℃이하의 온도에서 소결하여 치밀한 소결체를 얻을 수 있었다. 800℃～1000℃의 범위의 여러 온도에서 하소를 하고 소결 전ㆍ후의 존재상과 미세구조의 분석을 통하여, 하소한 분말에 존재하는 미반응상 및 이차상이 최소화 될 때 높은 Q×f/sub o/값을 갖는 것을 알 수 있었다. 1000℃에서 하소한 후 900℃에서 소결했을 때, 주상이 Hexagonal이고 미세구조가 균일하였으며, 이때 Q×f/sub o/ = 42,000㎓, ε/sub r/ = 22를 나타냈다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2000.07a
• /
• pp.198-203
• /
• 2000

This paper investigated the effects of doping elements on the Bi-Sr-Ca-Cu-O ceramics. The doping elements can be classified into four groups depending on their superconducting characteristics in the Bi-Sr-Ca-Cu-O structure. The first group of doping elements(Co, Fe, Ni and Zn) substitute into the copper site and can reduce the critical temperatures of the 2223 and 2212 phases. The second group of doping elements(Y and La) substitute into the Ca site and cause the disappearance of the 2223 phase and increase the critical temperatures in the 2212 phase. The third group of doping elements(P and K) have a tendency to decompose the superconducting phase and reduce the optimal sintering temperature. The fourth group of doping elements(B, Si, Sn and Ba) almost unaffected the superconductivity of the 2223 and 2212 phase.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2010.06a
• /
• pp.310-310
• /
• 2010

ZnO 바리스터는 정전기 (ESD) 및 순간적인 써지(surge)로부터 전자기기 및 전자회로 등을 보호하기 위해 개발된 전자 세라믹스 소재이다. 최근 전자기기 등의 고속통신 추세에 따라 ZnO 바리스터는 높은 비선형 특성과 함께 보다 낮은 유전율 및 유전손실 특성이 특별히 요구되고 있다. 본 연구에서는 현재 양산되고 있는 Bi-계와 Pr-계 ZnO 바리스터가 아닌 새로운 조성계에 $Mn_3O_4$를 0.0~3.0 at% 첨가하여 소결 및 전기적 특성들 살펴보았다. 시편은 일반적인 세라믹 공정에 따라 제조하여 $1200^{\circ}C$에서 1 시간 공기 중에서 소결하였으며, 소결 및 전기적 특성과 유전 특성(밀도, 미세구조, I-V 특성, 유전율, 유전손실, ZnO 비저항)은 FE-SEM, Keithley237, Agilent 4294a 및 Agilent 4991a 장비를 사용하여 첨가제에 따른 ZnO 바리스터의 특성 변화를 관찰하였다. 그 결과 Mn이 0.2 at% 첨가한 계의 바리스터의 상대밀도는 95%, 비선형계수는 14, 유전율은 140 (at 1MHz), 손실값은 0.147 (at 1 MHz)를 나타내었다. 이를 통하여 새로운 바리스터 조성계에서 Mn의 첨가에 따른 효과에 대하여 논하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1998.08a
• /
• pp.60.1-60
• /
• 1998