• 제목/요약/키워드: BiTe thermoelectrics

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가압소결된 다결정 $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ 열전재료의 열전특성 (Thermoelectric properties of hot pressed polycrystalline $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$)

  • 황창원;홍인근;백동규;최승철
    • 한국결정성장학회지
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    • 제4권4호
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    • pp.363-369
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    • 1994

  • $Bi_2Te_3$계 열전반도체에서 단결정재료는 성능이 우수한 반면에 그 제조에 있어서 긴 공정시간과 그에 따른 구성성분의 손실이 있다. 본 연구에서는 짧은 공정시간으로 단결정 $Bi_2Te_3$계 열전반도체 제조 공저으이 단점을 극복하기 위해서 $Bi_2Te_3$계 열전반도체 제조 공저의 단점을 극복하기 위해서 $Bi_2Te_3$계 열전반도체를 교류 통전 가압법으로 제작하였다. 이 소결 방법에서는 소결시간이 다른 방법과 비교하여 짧기 때문에 Te의 증발로 인한 결함의 발생을 줄일 수 있었으며 제조공정시 재료의 손실도 최소화할 수있었다. 가압 소결한 95 mol% $Bi_2Te_3-5 mol% Bi_2Se_3$ 다결정 열전반도체의 최적의 소결조건은 분말입도, 소결온도, 시간, 압력별로 각각 $125~250 {\mu}m, 400^{\circ}C$, 2분, $1500Kgf/cm^2$이고, 이조건에서 열전성능지수 $Z=2.2{\times}10^{-3}/K$이다.

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Electrical Current Applied Hot Pressing Processing of $Bi_2Te_3$- $Bi_2Se_3$ Thermoelectrics

  • Park, S.C.;D.G.Baik;Hwang, C.W.
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1996년도 The 9th KACG Technical Annual Meeting and the 3rd Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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    • pp.516-518
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    • 1996

  • Bimuth telluride type thermoelectrics are prepared by AC current applied got pressing method. It is possible to minimize the defects arising from the vaporization of Te, because of the very short processing time. The optimum conditions for the got pressing of 95mol% $Bi_2Te_3$-5mol%$Bi_2Se_3$ themoelectrics are sintered at $400^{\circ}C$, for 2min. with 1500 kgf/$cm^2$ from the particle size of 125 to 250 $\mu$m rang of powder. the resulted Z value (figure of merit) was 2.2$\times$10-3deg-1.

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n형 Bi-Te 나노와이어와 p형 Sb-Te 나노와이어로 구성된 미세열전소자의 형성공정 및 열전발전특성 (Fabrication Process and Power Generation Characteristics of the Micro Thermoelectric Devices Composed of n-type Bi-Te and p-type Sb-Te Nanowires)

  • 김민영;박경원;오태성
    • 대한금속재료학회지
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    • 제47권4호
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    • pp.248-255
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    • 2009

  • A micro thermoelectric device was processed by electroplating the n-type Bi-Te nanowires and ptype Sb-Te nanowires into an alumina template with 200 nm pores. Power generation characteristics of the micro devices composed of the Bi-Te nanowires, the Sb-Te nanowires, and both the Bi-Te and the Sb-Te nanowires were analyzed with applying a temperature difference of $40^{\circ}C$ across the devices along the thickness direction. The n-type Bi-Te and the p-type Sb-Te nanowire devices exhibited thermoelectric power outputs of $3.8{\times}10^{-10}W$ and $4.8{\times}10^{-10}W$, respectively. The output power of the device composed of both the Bi-Te and the Sb-Te nanowires decreased to $1.4{\times}10^{-10}W$ due to a large electrical resistance of the Cu electrode connecting the Bi-Te nanowire array with the Sb-Te nanowire array.

  • KSCI

Bi-Te 및 Bi-Sb-Te 나노와이어로 구성된 열전소자의 형성공정 (Fabrication Process of the Thermoelectric Module Composed of the Bi-Te and the Bi-Sb-Te Nanowires)

  • 김민영;임수겸;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제15권4호
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    • pp.41-49
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    • 2008

  • n형 Bi-Te 박막과 p형 Bi-Sb-Te 박막을 전기도금법으로 형성하여 열전특성을 측정하였으며, Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어의 전기도금 성장거동을 분석하였다. 알루미나 템프레이트의 200nm 직경의 나노기공 내에 전기도금으로 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 형성시 각기 81%와 77%의 filling 비를 나타내었다. 알루미나 템프레이트에 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 순차적으로 전기도금하여 열전소자를 구성하였으며, Bi-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극과 Bi-Sb-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극 사이에서 $15{\Omega}$의 저항이 측정되었다.

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