The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.17
no.5
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pp.187-192
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2017
We investigated the effects of the CSRR-metamaterial on microstrip comb-line array antennas. Microstrip comb-line array antennas was designed with 12 radiators, gain of 16.09dBi and bandwidth of 0.24GHz in the 24GHz ISM band. The designed antenna had radiation beam perpendicular to the antenna plane, co-polarization gain of 16.09dBi and cross-polarization gain of -10.86dBi. the CSRR-metamaterial increased largely the impedance bandwidth of the antenna from 0.24GHz to 3.6GHz. however as co-polarization gain became 10.08dBi and cross-polarization gain became 14.1dBi, co-polarization was mixed with cross-polarization. And the antenna gain lowered by 1.99dB. On the investigation of the dependence on the split-direction of the CSRR rings, it showed nearly the same characteristics for up-splitted ring used case and down-splitted ring used case. However in the case of arranging up-splitted ring and down-splitted ring in alternation, co-polarization gain decreased to -1.29dBi and cross-polarization gain increased to 13.9dBi, which meant the wave was transited to cross-polarization majority wave.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.27
no.3
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pp.71-77
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2022
In this paper, we propose 1×2 array antenna with dual linear polarization characteristics for mmWave band operation. The proposed antenna is designed two microstirp feeding structure and FR-4 substrate, which is thickness 0.4 mm, and the dielectric constant is 4.3. The size of 1×2 array antenna is 2.33 mm×2.33 mm, and total size of array antenna is 13.0 mm×6.90 mm. From the fabrication and measurement results, bandwidths of 1.13 GHz (28.52~29.65 GHz) for port 1 and 1.08 GHz (28.45~29.53 GHz) for port 2 were obtained based on the impedance bandwidth. Cross polarization ratios are obtained from 7.68 dBi to 16.90 dBi in case of vertical polarization, and from 7.46 dBi to 15.97 dBi in case of horizontal polarization for input port 1, respectively. Also, cross polarization ratios are obtained from 8.59 dBi to 13.72 dBi in case of vertical polarization and from 9.03 dB to 14.0 dB in case of horizontal polarization for input port 2, respectively.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.15
no.7
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pp.67-74
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2010
TIn this paper, it is designed the polarization selective antenna for UHF RFID system. The proposed antenna is consist of microstrip patch antenna with dual feeding and two SPDT switches and a SP4T switch and 3dB hybrid coupler. Through control of voltage of switches, the proposed reader antenna can select horizontally linear polarization, vertically linear polarization, left-hand circular polarization (LHCP) and right hand circular polarization (RHCP). The proposed reader antenna satisfied 2:1 VSWR at 902MHz~928MHz. and it has under 3dB AR(axial ratio). Peak gain of antenna is 7.71dBi, 7.55dBi with linear polarization and 7.31dBic, 7.81dBic with circular polarization at x-y plane. Also Axial ratio of antenna is 2.01~2.83dB and 2.02~2.60dB respectively. It is satisfied 3dB axial ratio.
This study conducted to examine about the income inequality and bi-polarization for forestry household. For this purpose, Gini coefficient and Atkinson index were used to analyze the income inequality for forestry household. Also, DER index were employed to show their income bi-polarization. Before using these methodologies, forestry household income was divided into three parts that was forestry income, non forestry business income and transfer income. And then, income inequality and bi-polarization were analyzed respectively. The result shows that forestry household income inequality was higher than whole household inequality. Apart from transfer income, forestry household income, forestry income and non forestry business income inequality was aggravated. At the same time, these tendency was able to observe the bi-polarization for forestry household income and other income sources.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.371-374
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2002
Bismuth lanthanum titanate thin films with excess Bi contents were prepared onto Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by metalorganic decomposition (MOD) technique. The structure and morphology of the films were analyzed using X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM), respectively. From the XRD analysis, BLT thin films show polycrystalline structure and the layered-perovskite phase was obtained over 10% excess of Bi contents. As a result of ferroelectric characteristics related to the Bi content of the BLT thin film, the remanent polarization and dielectric constant decreased with increasing over Bi content of 10 % excess. The BLT film with Bi content of 10% excess was measured to have a dielectric constant of n9 and dielectric loss of 1.85[%]. The BLT thin films showed little polarization fatigue test up to 3.5 x $10^{9}$ bipolar switching cycling.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.37-37
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2003
Ferroelectric random acess memories (FeRAMs) 재료로 주목받고 있는 강유전 물질은 이미 여러 해 전부터 많은 물질들에 대해 연구가 진행되어 왔다. 그 중 낮은 공정 온도를 가지며 큰 remanent polarization 값을 갖는 lead zirconium titanate (PZT) 박막에 대해 많은 연구가 진행되고 있다. 하지만 Pt 기판위에 증착된 PZT 박막은 높은 피로 현상을 보이는 문제가 있다. 최근 Pulsed laser deposition이나 metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) 등의 방법에 의해 epitaxial substituted-$Bi_4Ti_3O_{12}$ (La, Nd) 박막에 대해 보고가 되고 있다. 본 연구에서는 높은 remanent polarization 값을 갖는 $(Bi,Ce)_4Ti_3O_{12}$ (BCT) 박막을 pulsed laser deposition 방법을 사용하여 증착하였다. 또한 Bismuth의 양을 변화시켜 Bismuth의 양에 따른 remanent polarization의 변화를 확인하여 보았다. 사용된 기판은 Pt/$TiO_2$/$SiO_2$/Si 기판을 사용하였다.
Yttrium(Y)-substituted bismuth titanate $(Bi_{4-x},Y_x)Ti_3O_{12}$ [x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1](BYT) thin films were deposited using an RF sputtering method on the $Pt/TiO_2/SiO_2/Si$ substrates. The structural properties and electrical properties of yttrium-substituted $(Bi_4-xYx)Ti_3O_{12}$ thin films were analyzed. The remanent polarization of $(Bi_4-xYx)Ti_3O_{12}$ films increased with increasing Y-content. The $(Bi_{3.25}Y_{0.75})Ti_3O_{12}$ films fabricated using a top Au electrode showed saturated polarization-electric field(P-E) switching curves with a remanent polarization(Pr) of $8{\mu}C/cm^2$ and coercive field (Ec) of 53 kV/cm at an applied voltage of 7 V. The $(Bi_{3.25}Y_{0.75})Ti_3O_{12}$ films exhibited fatigue-free behavior up to $4.5{\times}10^{11}$ read/write switching cycles at a frequency of 1MHz.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.113-117
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1999
SrBi$_2$Ta$_2$$O_{9}$ (SBT) thin films were fabricatcd with different Sr/Bi ratios by MOD. SBT thin films of thickness 2500$\AA$ deposited on Pt/Ti/SiO$_2$/Si were crystallized at $700^{\circ}C$ ~85$0^{\circ}C$ using RTA method. As the Sr/Bi ratio was decreased, dielectric constant and remanent polarization were increased. SrBi$_2$Ta$_2$$O_{9}$ showed a maximum dielectric constant value of $\varepsilon$$_{r}$= 268, and maximum remanent polarization (2Pr) of ~9.86 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ when annealed at 8$0^{\circ}C$ for 8 min.min.n.
The accurate polarization state of the light inside BSO crystal was calculated with consideration of optical activity. By solving Maxwell's equations, the general form of the polarization matrix for any direction of the electric field was obtained. Examples of output polarization states in BSO crystals were also calculated, and their properties were discussed.
Upon analyzing several Korean Income data sets, it is confirmed that the relationship between Gini coefficient and bi-polarization measure (EGR) is empirically not different although they each come from different theoretical basis. Furthermore, it is difficult to state that the degree of polarization of income distribution, measured by DER, in Korea has deepened more than that of income inequality, estimated by Gini coefficient, in the periods of before and after the economic crisis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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