In this letter, a standard deviation based optimization technique has been applied on High Resolution X-ray Diffraction symmetric and asymmetric scan results to accurately determine the Aluminum molar fraction and lattice relaxation of Molecular Beam Epitaxy grown compositionally graded Aluminum Gallium Nitride (AlGaN)/Aluminum Nitride/Gallium Nitride (GaN) heterostructures. Mathews-Blakeslee critical thickness model has been applied in an alternative way to determine the partially relaxed AlGaN epilayer thicknesses. The coupling coefficient determination has been presented in a different perspective involving sample tilt method by off set between the asymmetric planes of GaN and AlGaN. Sample tilt is further increased to determine mosaic tilt ranging between $0.01^{\circ}$ and $0.1^{\circ}$.
The control of the data retention time is a main issue for realizing future high density dynamic random access memory. The novel junction process scheme in sub-micron DRAM cell with STI(Shallow Trench Isolation) has been investigated to improve the tail component in the retention time distribution which is of great importance in DRAM characteristics. In this' paper, we propose the new implantation scheme by gate-related ion beam shadowing effect and buffer-enhanced ${\Delta}Rp$ (projected standard deviation) increase using buffered N-implantation with tilt and 4X(4 times)-rotation that is designed on the basis of the local-field-enhancement model of the tail component. We report an excellent tail improvement of the retention time distribution attributed to the reduction of electric field across the cell junction due to the redistribution of N-concentration which is Intentionally caused by ion Beam Shadowing and Buffering Effect using tilt implantation with 4X-rotation. And also, we suggest the least requirements for adoption of this new implantation scheme and the method to optimize the key parameters such as tilt angle, rotation number, Rp compensation and Nd/Na ratio. We used MEDICI Simulator to confirm the junction device characteristics. And measured the refresh time using the ADVAN Probe tester.
The Liquid Crystal (LC) alignment uniformity is very important in LC devices. The alignment mechanism of LC molecules on a rubbed polyimide (PI) surface is very important for both LC fundamental research and application. So, Generally a rubbing method to align LC has been widely used to mass-produce LCD panels. But because rubbing method is contact method between rubbing fabric and indium-tin-oxide glass or flexible substrate, rubbing method has some defects, such as the electrode charges and the creation of contaminating particles. Thus we strongly recommend a non-contact alignment technique for getting rid of some defects of rubbing method. Most recently, the LC aligning capabilities achieved by ion-beam exposure on the organic and nonorganic thin film surface have been reported successfully. In this research, we studied the tilt angle generation and electro-optical performances for a NLC on homeotropic polyimide surfaces with ion-beam exposure. The LC aligning capabilities of a nematic liquid crystal (NLC) on a homeotropic PI surface using a new ion-beam method were studied. On the homeotropic PI surface, the tilt angle of the NLC by exposure ion-beam had a tendency to decrease as increased ion-beam energy density. And, on the homeotropic PI surface, the alignment character of the NLC with respect to ion-beam energy was good. And we achieved satisfactory result for EO character.
Superstructure of reinforced concrete bridges are shortened or elongated due to creep, drying shrinkage, temperature and so on. Most of bridge superstructures are free to shortening and elongation without constraint and stresses will not be induced by creep, drying shrinkage and temperature. But if bridge superstructure are constraint due to wrong setting and functional defects of bridge bearing, very large constraint forces can be induced. In this study, PSCI-Beam by tilt-constructed with constraint and deviation of bearings are presented and the effects of time-dependent constraint stress and temperature loads are investigated.
The control of the data retention time is a main issue for realizing future high density dynamic random access memory. In this paper, we propose the new implantation scheme by gate-related ion beam shadowing effect and buffer-enhanced $\Delta$ Rp increase using buffered N- implantation with tilt and 4X-rotation that is designed on the basis of the local-field-enhancement model of the tail component. We report an excellent tail improvement of the retention time distribution attributed to the reduction of electric field across the cell junction due to the redistribution of N- concentration which is intentionally caused by Ion Beam Shadowing and Buffering Effect using tilt implantation with 4X-rotation.
기지국 섹터 배열안테나의 하향 빔틸트 각도를 조절하기 위해 전압제어 이상기를 사용하였다. 틸트 각도에 따른 각 안테나의 위상각을 도출하였으며 이때 생성되는 패턴의 수직과 수평 방향 성능을 분석 평가하였다. 이러한 분석을 통해 이동통신 기지국안테나의 셀커버리지 확보와 통화율 증대, 간섭 저감을 이룰 수 있어 최적의 기지국안테나 설계에 적용 가능할 것이다.
중위도 지역에서는 위성통신용 파라볼라 안테나를 45도 정도로 기울여 설치해야 된다는 문제점 때문에 이를 대치하기 위한 평면형 안테나의 연구가 활발하게 진행되고 있다. 특히, Ka band를 이용한 위성통신이 활발해지면서 VSAT 용 평면형 안테나의 개발 필요성이 대두되고 있다. 본 논문에서는 평면 안테나 상태로 45도 빔틸트 특성을 갖고, Ka 밴드의 위성통신용으로 30GHz 대역에서 충분한 고이득을 얻기 위해, 빔폭이 좁고 사이드로브가 적으며 저손실 구조의 평면배열 안테나를 설계하였다. 이러한 성능을 만족시키기 위해, 진행파형 누설파 모드를 기초로 한 수직편파 도파관 종방향 슬롯 배열안테나를 제안하였으며, 특히 슬롯 배열들 각각의 폭을 조절하여 복사 전력을 제어함으로써 복사 패턴의 사이드로브 레벨을 저감시켰다. 32개 누설파 소자의 배열안테나 이득은 35.16 dBi 였으며, 빔폭은 2.5도, 사이드로브 레벨은 -30 dB 이하, 중심주파수 30.0 GHz 에서 빔틸트 각도는 45도를 얻었다.
네트워크 기반 무인기 제어통신 시스템을 위한 복잡도와 성능을 고려한 지상국 최적 안테나 패턴 설계 방식을 제시하였다. 다수개의 측면 섹터와 한 개의 상향 섹터로 구성되는 지상국 안테나의 섹터 수, 수평/수직 빔폭, 틸팅각도 등 안테나 설계 파라미터의 변화에 따른 수직/수평 각도 별 안테나 이득을 모델링하고, 가상의 3차원 공간 내에서 각 파라미터의 변화가 신호 대 잡음 비 (SNR : signal to noise ratio) 분포에 미치는 영향을 분석하였다. 다양한 파라미터 중 측면 섹터의 틸팅 각도가 성능에 가장 큰 영향을 미치는데, 지상국 간 거리가 길수록, 최고 고도가 높을수록, 측면 섹터 수가 작을수록 틸팅 각도를 낮춰야 함을 확인할 수 있었다. 또한 최저 SNR 최대화 측면에서는 측면 섹터 수직 빔폭을 늘리는 것이 유리하지만 평균 SNR 측면에서는 수직 빔폭을 줄이는 것이 유리함을 확인하였다.
본 논문에서는 양방향성 지향성을 갖는 이중 대역 전기적 빔 틸팅 배열 안테나를 설계하였다. 복사소자는 이중 공진이 일어나도록 하고, PCB 기판을 이용한 평면 다이폴로 설계하였다. 각 주 빔을 틸팅하기 위하여 위상 지연기는 광대역으로 동작하여야 하므로 $50\Omega$ 마이크로스트립 선로를 이용한 위상만 변화되도록 설계하였다. 설계 안테나는 $0^{\circ}{\sim}{\pm}8^{\circ}$의 틸팅 각도를 갖는다. 안테나의 설계 규격을 검증하기 위해 배열 안테나를 제작하고 성능을 측정하였으며, 계산결과와 비교적 양호한 결과를 얻었다.
목 적: 두경부 환자의 CT simulation시 metal artifact가 발생하여 영상의 질 저하와 선량계산의 오차를 유발 할 수 있어 metal artifact를 줄이기 위한 gantry tilt scan의 유용성을 평가하고자 한다. 대상 및 방법: Metal artifact를 줄이기 위하여 $20^{\circ}$ gantry tilt scan하여 $0^{\circ}$로 재구성한 이미지를 획득하였다. AAPM CT performance Phantom을 이용하여 CT number를 비교 분석하고, 아크릴 팬텀을 이용하여 체적의 일치여부를 확인하였다. Metal artifact에 의한 영향을 평가하기 위해 Intensity volume Histogram (IVH)을 통한 CT number의 균질성 및 Dose Volume histogram (DVH)을 통한 선량평가를 시행하였다. 결 과: CT number와 체적의 비교에서는 차이가 0.5% 이하로 나타났다. IVH를 비교 분석결과 gantry tilt scan에서 artifact에 의한 영향이 감소되어 CT number의 균질도가 향상되고, DVH 비교결과는 양쪽 이하선의 0.2~6%의 평균선량 오차를 감소시켰다. 결 론: Head & Neck 방사선치료 시 metal artifact 때문에 체표윤곽의 구별이 어렵고 선량의 오차가 발생한다. Gantry tilt scan을 이용하면 정확한 조직의 묘사가 가능하고, CT number 균질도가 향상되어 선량의 오차를 줄일 수 있었다. Gantry tilt scan 은 Head & Neck 방사선치료 시 정확한 방사선치료에 매우 유용함을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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