• 제목/요약/키워드: Bang-bang phase detector

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A 10-Gb/s Multiphase Clock and Data Recovery Circuit with a Rotational Bang-Bang Phase Detector

  • Kwon, Dae-Hyun;Rhim, Jinsoo;Choi, Woo-Young
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권3호
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    • pp.287-292
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    • 2016
  • A multiphase clock and data recovery (CDR) circuit having a novel rotational bang-bang phase detector (RBBPD) is demonstrated. The proposed 1/4-rate RBBPD decides the locking point using a single clock phase among sequentially rotating 4 clock phases. With this, our RBBPD has significantly reduced power consumption and chip area. A prototype 10-Gb/s 1/4-rate CDR with RBBPD is successfully realized in 65-nm CMOS technology. The CDR consumes 5.5 mW from 1-V supply and the clock signal recovered from $2^{31}-1$ PRBS input data has 0.011-UI rms jitter.

Quarter-Rate Bang-Bang 위상검출기를 사용한 0.18$\mu$m CMOS 10Gbps CDR 회로 설계 (Design of a 0.18$\mu$m CMOS 10Gbps CDR With a Quarter-Rate Bang-Bang Phase Detector)

  • 차충현;고승오;서희택;박종태;유종근
    • 전기전자학회논문지
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    • 제13권2호
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    • pp.118-125
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    • 2009
  • 통신시스템에서 데이터 전송이 고속으로 이루어지면서, 하드웨어의 복잡성, 전력소모, 가격 등의 이유로 클럭을 제외한 데이터만 수신단으로 보내는 방식이 사용되어지고 있다. 따라서, 고속으로 수신된 데이터에서 클럭 신호를 추출하는 것이 필요하며, 추출된 클럭을 이용하여 데이터를 복원하는 클럭/데이터 복원회로(CDR)에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 본 논문에서는 0.18um CMOS 공정을 이용하여 10Gbps CDR 회로를 설계하였다. 전력소모와 회로의 복잡도를 줄이기 위해 quarter-rate bang-bang 유형의 위상 검출기를 사용하였으며, 지터 특성 향상을 위해 LC 유형의 4단 VCO를 사용하였다. 모의실험 결과, 설계된 CDR 회로는 1.8V 전원전압에서 80mW의 전력을 소모하며, 2.2ps,pp의 클럭 지터 특성을 보인다. 패드를 제외한 칩 레이아웃 면적은 1.26mm$\times$1.05mm이다.

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단일 에지 이진위상검출기를 사용한 저 지터 클록 데이터 복원 회로 설계 (Design of low jitter CDR using a single edge binary phase detector)

  • 안택준;공인석;임상순;강진구
    • 전기전자학회논문지
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    • 제17권4호
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    • pp.544-549
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    • 2013
  • 본 논문은 CDR회로의 지터 감소를 위해 변형된 이진 위상검출기(뱅뱅위상 검출기- BBPD) 회로를 제안하였다. 제안된 PD는 하나의 에지를 사용함으로써 전압리플을 줄여, 제안한 PD를 적용하여 설계한 CDR회로는 감소된 지터 특성을 보였다. CMOS 0.13um 공정을 사용하여 설계하였고 제안한 위상검출기를 포함하는 클럭데이터 복원회로는 모의실험결과 16.9mW 전력소비에 peak-peak 지터는 10.96ps, rms 지터는 0.89ps을 보였다.

최적 루프 이득 제어에 의한 광대역 뱅뱅 디지털 위상 동기 루프 선형화 기법 (Linearization Technique for Bang-Bang Digital Phase Locked-Loop by Optimal Loop Gain Control)

  • 홍종필
    • 전자공학회논문지
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    • 제51권1호
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    • pp.90-96
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    • 2014
  • 본 논문은 광대역 특성의 뱅뱅 디지털 위상 동기 루프를 설계함에 있어 최적의 루프 이득 선정을 통한 실용적인 선형화 설계 기법을 제안한다. 기존의 이론적 파라미터 설계 기법을 광대역 클럭 발생기 회로에 적용함에 있어 한계점을 설명하고 실제 구현된 뱅뱅 디지털 위상 동기 루프 설계에 대해서 살펴보았다. 본 논문에서는 정수 어레이와 디더 이득은 크게 하되 비례 이득을 작게 설정하여 뱅뱅 디지털 위상 동기 루프의 리미티드 사이클 노이즈를 제거하였다. 제안된 설계 기법을 적용한 뱅뱅 디지털 위상 동기 루프는 기존의 구조에 비교하여 초소형, 저전력, 선형 특성 및 루프 대역폭 조절이 가능한 장점을 보이며, 성능의 우수성을 시뮬레이션을 통하여 검증하였다.

4X 오버샘플링을 이용한 3.125Gbps급 기준 클록이 없는 클록 데이터 복원 회로 (3.125Gbps Reference-less Clock and Data Recovery using 4X Oversampling)

  • 장형욱;강진구
    • 전기전자학회논문지
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    • 제10권1호
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    • pp.10-15
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    • 2006
  • 본 논문에서는 기준동작 클럭없이 데이터만으로 구현되는 반주기의 4x 오버샘플링 위상/주파수검출기를 이용한 클럭 데이터 복원회로에 대하여 서술하였다. 위상 및 주파수검출기는 4x 오버샘플링 기법을 이용하여 설계되었다. 위상검출기는 뱅뱅 제어방법에 의해, 주파수검출기는 로테이션방법에 의해 동작한다. 위상 및 주파수 검출기로부터 발생된 6개의 신호들은 전하펌프로 들어갈 전하량을 결정한다. VCO단은 4개의 차동 지연단으로 구성되고 8개의 클럭신호를 생성한다. 제안된 회로는 공급전압 1.8V, 0.18um MOCS 공정으로 설계 시뮬레이션되었다. 제안된 구조의 PD와 FD를 사용하여 25%의 넓은 트래킹 주파수 범위를 가진다.

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시리얼 데이터 통신을 위한 기준 클록이 없는 3.2Gb/s 클록 데이터 복원회로 (A 3.2Gb/s Clock and Data Recovery Circuit without Reference Clock for Serial Data Communication)

  • 김강직;정기상;조성익
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제46권2호
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    • pp.72-77
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    • 2009
  • 본 논문은 별도 기준 클록 없이 고속 시리얼 데이터 통신을 위한 3.2Gb/s 클록 데이터 복원(CDR) 회로를 설명한다. CDR회로는 전체적으로 5부분으로 구성되며, 위상검출기(PD)와 주파수 검출기(FD), 다중 위상 전압 제어 발진기(VCO), 전하펌프(CP), 외부 루프필터(LF)로 구성되어 있다. CDR회로는 half-rate bang-bang 타입의 위상 검출기와 입력 pull-in 범위를 늘릴 수 있도록 half-rate 주파수 검출기를 적용하였다. VCO는 4단의 차동 지연단(delay cell)으로 구성되어 있으며 튜닝 범위와 선형성 향상을 위해 rail-to-rail 전류 바이어스단을 적용하였다 각 지연단은 풀 스윙과 듀티의 부정합을 보상할 수 있는 출력 버퍼를 갖고 있다. 구현한 CDR회로는 별도의 기준 클록 없이 넓은 pull-in 범위를 확보할 수 있으며 기준 클록 생성을 위한 부가적인 Phase-Locked Loop를 필요치 않기 때문에 칩의 면적과 전력소비를 효과적으로 줄일 수 있다. 본 CDR 회로는 0.18um 1P6M CMOS 공정을 이용하여 제작하였고 루프 필터를 제외한 전체 칩 면적은 $1{\times}1mm^2$이다. 3.2Gb/s 입력 데이터 율에서 모의실험을 통한 복원된 클록의 pk-pk 지터는 26ps이며 1.8V 전원전압에서 전체 전력소모는 63mW로 나타났다. 동일한 입력 데이터 율에서 테스트를 통한 pk-pk 지터 결과는 55ps였으며 신뢰할 수 있는 입력 데이터율 범위는 약 2.4Gb/s에서 3.4Gb/s로 나타났다.

LC형 다중 위상 PLL 이용한 40Gb/s $0.18{\mu}m$ CMOS 클록 및 데이터 복원 회로 (40Gb/s Clock and Data Recovery Circuit with Multi-phase LC PLL in CMOS $0.18{\mu}m$)

  • 하기혁;이정용;강진구
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권4호
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    • pp.36-42
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    • 2008
  • 본 논문은 광통신-시리얼 링크를 위한 40Gb/s 클록 및 데이터 복원 회로의 설계를 제안한다. 설계된 본 회로는 다중 위상을 생성하는 LC 탱크 PLL을 이용하여 8개의 샘플링 클록을 생성하고 $2{\times}$ 오버샘플링 구조의 뱅-뱅 위상 검출기를 이용하여 데이터와 클록의 위상을 조정한다. 40Gb/s의 입력 데이터가 샘플링을 거쳐서 1:4 디멀티플렉싱되어 4채널에 10Gb/s 출력으로 복원되는 구조로서 디지털과 아날로그의 전원을 분리하여 설계가 진행되었다. 인덕터를 사용하여 칩면적은 $2.8{\times}2.4mm^2$을 차지하고 전력소모는 약 200mW이다. 0.18um CMOS공정으로 칩 제작후 측정결과 채널당 악 9.5Gb/s 출력이 측정되었다(직렬입력 약 38Gb/s 해당).

레퍼런스 클록이 없는 3.125Gbps 4X 오버샘플링 클록/데이터 복원 회로 (3.125Gbps Reference-less Clock/Data Recovery using 4X Oversampling)

  • 이성섭;강진구
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권10호
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    • pp.28-33
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    • 2006
  • 본 논문은 시리얼 링크를 위한 레퍼런스 클록이 없고 4x 오버샘플링 방식의 위상 및 주파수 검출기 구조를 갖는 하프 레이트 클록 및 데이터 복원 회로를 제안하였다. 위상 검출기는 4개의 업/다운 신호를 생성함으로써 위상 에러를 검출하고, 주파수 검출기는 위상 검출기 출력에 의해 만들어진 업/다운 신호를 이용하여 주파수 에러를 검출한다. 그리고 위상 검출기와 주파수 검출기의 여섯 개 신호는 전하 펌프로 흘러 들어가는 전류의 양을 조절한다. 네 개의 차동 버퍼로 구성된 VCO는 4x 오배샘플링을 위한 8개의 클록을 생성한다. 0.18um CMOS 공정을 사용하였고, 실험 결과 제안된 회로는 3.125Gbps의 속도로 클록과 데이터를 복원해 낼 수 있었다. 제안된 구조의 PD와 FD를 사용하여 24%의 넓은 트래킹 주파수 범위를 가진다. 측정된 클록의 지터(p-p)는 약 14ps였다. CDR은 1.8v의 단일 전원 공급기를 사용하였고, 전력소모는 약 140mW이다.

1/4-레이트 기법을 이용한 클록 데이터 복원 회로 (A Clock and Data Recovery Circuit using Quarter-Rate Technique)

  • 정일도;정항근
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권2호
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    • pp.130-134
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    • 2008
  • 본 논문에서는 1/4-레이트 기법을 사용한 클록 데이터 복원회로를 제안하였다. 제안한 클록 데이터 복원회로를 사용함에 따라 VCO의 발진 주파수를 낮추므로 고속 동작에 유리하다. 제안된 클록 데이터 복원회로는 기존 클록 데이터 복원회로 보다 낮은 지터 특성과 넓은 풀인(pull-in) 범위를 갖는다. 제안된 클록 데이터 복원회로는 1/4-레이트 뱅-뱅 형태의 오버샘플링 위상 검출기, 1/4-레이트 주파수 검출기, 2개의 전하펌프 회로와 저역 통과 필터 그리고 링 VCO회로로 구성되어 있다. 제안된 클록 데이터 복원회로는 $0.18{\mu}m$ 1P6M CMOS 공정으로 설계되었고, 칩 면적과 전력 소모는 $1{\times}1mm^2$, 98 mW 이다.

혼성 신호 회로에 대한 효과적인 BIST (An Efficient BIST for Mixed Signal Circuits)

  • 방금환;강성호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권8호
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    • pp.24-33
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    • 2002
  • 혼성 신호 회로의 설계에 있어 저비용의 고효율 테스트 효율을 보장하기 위해 테스트의 노력은 계속되어 왔다. 특히 테스트를 고려한 BIST(built-in-self-test)설계 방법으로 발전해가고 있는 추세인데, 회로상에서 전체적인 테스트 용이도와 분석에 있어 보다 향상된 방법으로 접근할 수 있고 이러한 시스템에 대해 분석하는데 수월하게 할 수도 있다. 이 논문에서는 효과적인 테스트를 위한 방법을 위해 DC전압과 전압 위상에 대한 BIST를 구현하는 것을 제안하였다. 즉 정상적인 회로와 고장회로에서의 동작에서 전압과 위상의 차이를 검출하는 회로를 하드웨어상으로 구성함으로써 비용과 시간 등을 효과적으로 줄이는 방법을 제안하였다. 실험 결과에서는 기존의 BIST와 비교하여 향상된 것을 나타낸다.