• 제목/요약/키워드: BGR

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인삼부산물 급여 수준에 따른 돈육의 저장특성 (Characteristic of Pork Quality during Storage Fed with Ginseng By-Products)

  • 유영모;안종남;채현석;박범영;김진형;이종문;김용곤;박형기
    • 한국축산식품학회지
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    • 제24권1호
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    • pp.37-43
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    • 2004
  • 인삼성분이 함유된 돼지고기 생산을 위하여 축산연구소에서 사육된 100 kg 내외의 랜드레이스 30두를 이용하여 인삼부산물을 14일간 첨가수준별로 급여하여 생산돈 돈육의 저장중 육질특성을 분석한 결과는 다음과 같았다. 저장기간 동안의 육색 L값의 변화는 대조구보다 인삼껍질 3% 급여구에서 5일과 10일차에 높게 나타났으며(p<0.05), 또한 전반적으로 처리구가 대조구에 비하여 높은 경향을 보였다. 전단력은 대조구와 인삼껍질 급여구간에는 저장 15일까지는 유의적인 차이가 나타나지 않았다. 저장 20일차에는 인삼껍질 6% 급여구가 대조구에 비하여 높게 나타났으며(p<0.05), 가열감량은 인삼껍질 9% 급여구가 대조구보다 낮은 경향을 보였으며, 저장 15일차에서는 인삼껍질 3%와 9% 급여구에서 낮은 경향을 보였다(p<0.05). 보수력은 처리간에 차이를 보이지 않았으나, 저장 20일차에 잎줄기 추출물 5.5% 급여구가 가장 감소가 적어 보수력이 가장 좋은 것으로 나타났다. 지방산패도(TBA)에서는 저장 5일부터 대조구에 비하여 인삼부산물을 급여한 시험구에서 유의적으로(p<0.05) 낮은 결과를 보였으며, 단백질 변패도(VBN)은 저장 5일차와 20일차에서 인삼껍질 9% 급여구와 인삼 잎줄기추출물 5.5% 급여구에서 유의적으로 낮은 결과를 보였다(p<0.05). 이상의 결과로 인삼의 사포닌 성분이 돈육내 축적 가능성을 보여주는, 인삼부산물 급여구의 전단력, TBA 및 VBN의 분석결과 숙성지연 및 저장 중 식육의 변패지연 효과가 있는 것으로 나타나 돈육으로서 저장에 따른 상품으로 이용이 가능한 것으로 나타났다.

COMMON FIXED POINT FOR GENERALIZED MULTIVALUED MAPPINGS VIA SIMULATION FUNCTION IN METRIC SPACES

  • Antal, Swati;Gairola, U.C.
    • 대한수학회논문집
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    • 제35권4호
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    • pp.1107-1121
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    • 2020
  • The purpose of this paper is to introduce the notion of generalized multivalued Ƶ-contraction and generalized multivalued Suzuki type Ƶ-contraction for pair of mappings and establish common fixed point theorems for such mappings in complete metric spaces. Results obtained in this paper extend and generalize some well known fixed point results of the literature. We deduce some corollaries from our main result and provide examples in support of our results.

High accuracy, Low Power Spread Spectrum Clock Generator to Reduce EMI for Automotive Applications

  • Lee, Dongsoo;Choi, Jinwook;Oh, Seongjin;Kim, SangYun;Lee, Kang-Yoon
    • IEIE Transactions on Smart Processing and Computing
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    • 제3권6호
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    • pp.404-409
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    • 2014
  • This paper presents a Spread Spectrum Clock Generator (SSCG) based on Relaxation oscillator using Up/Down Counter. The current is controlled by a counter and the spread spectrum of the Relaxation Oscillator. A Relaxation Oscillator with temperature compensation using the BGR and ADC is presented. The current to determine the frequency of the Relaxation Oscillator can be controlled. The output frequency of the temperature can be compensated by adjusting the current according to the temperature using the code that is the output from the ADC and BGR. EMI Reduction of SSCG is 11 dB, and Spread down frequency is 150 kHz. The current consumption is $600{\mu}A$ from 5V and the operating frequency is from 2.3 MHz to 5.75 MHz. The rate of change of the output frequency with temperature was approximately ${\pm}1%$. The SSCG is fabricated in a 0.35um CMOS process with active area $250um{\times}440um$.

A 70 MHz Temperature-Compensated On-Chip CMOS Relaxation Oscillator for Mobile Display Driver ICs

  • Chung, Kyunghoon;Hong, Seong-Kwan;Kwon, Oh-Kyong
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권6호
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    • pp.728-735
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    • 2016
  • A 70 MHz temperature-compensated on-chip CMOS relaxation oscillator for mobile display driver ICs is proposed to reduce frequency variations. The proposed oscillator compensates for frequency variation with respect to temperature by adjusting the bias currents to control the change in delay of comparators with temperature. A bandgap reference (BGR) is used to stabilize the bias currents with respect to temperature and supply voltages. Additional temperature compensation for the generated frequency is achieved by optimizing the resistance in the BGR after measuring the output frequency. In addition, a trimming circuit is implemented to reduce frequency variation with respect to process. The proposed relaxation oscillator is fabricated using 45 nm CMOS technology and occupies an active area of $0.15mm^2$. The measured frequency variations with respect to temperature and supply voltages are as follows: (i) ${\pm}0.23%$ for changes in temperature from -30 to $75^{\circ}C$, (ii) ${\pm}0.14%$ for changes in $V_{DD1}$ from 2.2 to 2.8 V, and (iii) ${\pm}1.88%$ for changes in $V_{DD2}$ from 1.05 to 1.15 V.

Adsorption kinetic and mechanistic view of aqueous ferric ion onto bio-natural rice grains

  • Al-Anber, Mohammed A.
    • Membrane and Water Treatment
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    • 제8권1호
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    • pp.73-88
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    • 2017
  • Adsorption kinetics of aqueous ferric ion ($Fe^{3+}$) onto bio-natural rice grains (BRG) have been studied in a batch system. The influence of contact time (0-180 minutes), the dosage of BRG adsorbent (10, 20, 40, and $60gL^{-1}$), and ambient temperature (27, 37, 47, and $57^{\circ}C$) for the adsorption system have been reported. The equilibrium time achieved after 20 minutes of adsorption contact time. The maximum removal of ferric ion is 99% by using $60gL^{-1}$ of BRG, $T=37^{\circ}C$, and $50mgL^{-1}$ ferric ion solution. Adsorption kinetic and diffusion models, such as pseudo-first order, pseudo-second order, and Weber-Morris intra-particle diffusion model, have been used to describe the adsorption rate and mechanism of the ferric ion onto BRG surface. The sorption data results are fitted by Lagergren pseudo-second order model ($R^2=1.0$). The kinetic parameters, rate constant, and sorption capacities have been calculated. The new information in this study suggests that BRG could adsorb ferric ion from water physiosorption during the first 5 minutes. Afterward, the electrostatic interaction between ferric ion and BGR-surface could take place as a very weak chemisorptions process. Thus, there is no significant change could be noticed in the FTIR spectra after adsorption. I recommend producing BGR as a bio-natural filtering material for removing the ferric ion from water.

Accurate Sub-1 V CMOS Bandgap Voltage Reference with PSRR of -118 dB

  • Abbasizadeh, Hamed;Cho, Sung-Hun;Yoo, Sang-Sun;Lee, Kang-Yoon
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권4호
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    • pp.528-533
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    • 2016
  • A low voltage high PSRR CMOS Bandgap circuit capable of generating a stable voltage of less than 1 V (0.8 V and 0.5 V) robust to Process, Voltage and Temperature (PVT) variations is proposed. The high PSRR of the circuit is guaranteed by a low-voltage current mode regulator at the central aspect of the bandgap circuitry, which isolates the bandgap voltage from power supply variations and noise. The isolating current mirrors create an internal regulated voltage $V_{reg}$ for the BG core and Op-Amp rather than the VDD. These current mirrors reduce the impact of supply voltage variations. The proposed circuit is implemented in a $0.35{\mu}m$ CMOS technology. The BGR circuit occupies $0.024mm^2$ of the die area and consumes $200{\mu}W$ from a 5 V supply voltage at room temperature. Experimental results demonstrate that the PSRR of the voltage reference achieved -118 dB at frequencies up to 1 kHz and -55 dB at 1 MHz without additional circuits for the curvature compensation. A temperature coefficient of $60 ppm/^{\circ}C$ is obtained in the range of -40 to $120^{\circ}C$.

진성난수 생성기를 위한 베타선 센서 설계에 관한 연구 (A Study on the Design of a Beta Ray Sensor for True Random Number Generators)

  • 김영희;김홍주;박경환;김종범;하판봉
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제12권6호
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    • pp.619-628
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    • 2019
  • 본 논문에서는 진성난수 생성기를 위한 베타선 센서를 설계하였다. PMOS 피드백 트랜지스터의 게이트를 DC 전압으로 바이어스하는 대신 PMOS 피드백 트랜지스터에 흐르는 전류가 PVT 변동에 둔감하도록 설계된 전류 바이어스 회로를 mirroring하게 흐르도록 하므로 CSA의 signal voltage의 변동을 최소화하였다. 그리고 BGR (Bandgap Reference) 회로를 이용하여 공급된 정전류를 이용하여 신호 전압을 VCOM 전압 레벨까지 충전하므로 충전 시간의 변동을 줄여 고속 감지가 가능하도록 하였다. 0.18㎛ CMOS 공정으로 설계된 베타선 센서는 corner별 모의실험 결과 CSA 회로의 최소 신호전압과 최대 신호전압은 각각 205mV와 303mV이고, pulse shaper를 거친 출력 신호를 비교기의 VTHR (Threshold Voltage) 전압과 비교해서 발생된 펄스의 최소와 최대 폭은 각각 0.592㎲와 1.247㎲로 100kHz의 고속 감지가 가능한 결과가 나왔으며, 최대 100Kpulse/sec로 계수할 수 있도록 설계하였다.

PMIC용 Zero Layer FTP Memory IP 설계 (Design of Zero-Layer FTP Memory IP)

  • 하윤규;김홍주;하판봉;김영희
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제11권6호
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    • pp.742-750
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    • 2018
  • 본 논문에서는 $0.13{\mu}m$ BCD 공정 기반에서 5V MOS 소자만 사용하여 zero layer FTP 셀이 가능하도록 하기 위해 tunnel oxide 두께를 기존의 $82{\AA}$에서 5V MOS 소자의 gate oxide 두께인 $125{\AA}$을 그대로 사용하였고, 기존의 DNW은 BCD 공정에서 default로 사용하는 HDNW layer를 사용하였다. 그래서 제안된 zero layer FTP 셀은 tunnel oxide와 DNW 마스크의 추가가 필요 없도록 하였다. 그리고 메모리 IP 설계 관점에서는 designer memory 영역과 user memory 영역으로 나누는 dual memory 구조 대신 PMIC 칩의 아날로그 회로의 트리밍에만 사용하는 single memory 구조를 사용하였다. 또한 BGR(Bandgap Reference Voltage) 발생회로의 start-up 회로는 1.8V~5.5V의 전압 영역에서 동작하도록 설계하였다. 한편 64비트 FTP 메모리 IP가 power-on 되면 internal reset 신호에 의해 initial read data를 00H를 유지하도록 설계하였다. $0.13{\mu}m$ Magnachip 반도체 BCD 공정을 이용하여 설계된 64비트 FTP IP의 레이아웃 사이즈는 $485.21{\mu}m{\times}440.665{\mu}m$($=0.214mm^2$)이다.

CMOS 소자로만 구성된 1V 이하 저전압 저전력 기준전압 발생기 (A Sub-1V Nanopower CMOS Only Bandgap Voltage Reference)

  • 박창범;임신일
    • 전기전자학회논문지
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    • 제20권2호
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    • pp.192-195
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    • 2016
  • 본 논문에서는 저항과 BJT를 사용하지 않고 sub-threshold 영역에서 동작하는 저전압, 저전력 기준전압 발생기를 설계하였다. CTAT 전압 발생기는 두 개의 NMOS 트랜지스터를 이용하여 구성하였고, 충분한 영역의 CTAT 전압을 발생시키기 위해 바디 바이어스 회로를 이용하였다. PTAT 전압 발생기는 PTAT 전압을 생성하기 위해 MOS 트랜지스터 입력 쌍의 서로 다른 사이즈 비를 이용하는 차동증폭기 형태로 구성하였다. 제안한 회로는 $0.18-{\mu}m$ 표준 CMOS 공정으로 설계되었다. 시뮬레이션 결과로 290mV의 출력 기준 전압을 가지며, -$20^{\circ}C$ 에서 $120^{\circ}C$의 온도 변화에서 92 ppm/$^{\circ}C$의 전압 변화 지수와 전원전압 0.63V에서 15.7nW의 소모 전력을 갖는 것을 확인하였다.

Investigation of Quorum Sensing-Dependent Gene Expression in Burkholderia gladioli BSR3 through RNA-seq Analyses

  • Kim, Sunyoung;Park, Jungwook;Choi, Okhee;Kim, Jinwoo;Seo, Young-Su
    • Journal of Microbiology and Biotechnology
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    • 제24권12호
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    • pp.1609-1621
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    • 2014
  • The plant pathogen Burkholderia gladioli, which has a broad host range that includes rice and onion, causes bacterial panicle blight and sheath rot. Based on the complete genome sequence of B. gladioli BSR3 isolated from infected rice sheaths, the genome of B. gladioli BSR3 contains the luxI/luxR family of genes. Members of this family encode N-acyl-homoserine lactone (AHL) quorum sensing (QS) signal synthase and the LuxR-family AHL signal receptor, which are similar to B. glumae BGR1. In B. glumae, QS has been shown to play pivotal roles in many bacterial behaviors. In this study, we compared the QS-dependent gene expression between B. gladioli BSR3 and a QS-defective B. gladioli BSR3 mutant in two different culture states (10 and 24 h after incubation, corresponding to an exponential phase and a stationary phase) using RNA sequencing (RNA-seq). RNA-seq analyses including gene ontology and pathway enrichment revealed that the B. gladioli BSR3 QS system regulates genes related to motility, toxin production, and oxalogenesis, which were previously reported in B. glumae. Moreover, the uncharacterized polyketide biosynthesis is activated by QS, which was not detected in B. glumae. Thus, we observed not only common QS-dependent genes between B. glumae BGR1 and B. gladioli BSR3, but also unique QS-dependent genes in B. gladioli BSR3.