• Elastomers and Composites
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• 제34권2호
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• pp.128-134
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• 1999

타이어 코드용 강철선을 RF 플라즈마를 이용한 acetylene 및 butadiene 가스의 플라즈마 중합으로 코팅하였으며, 타이어용 고무와의 접착력을 TCAT 또는 T-test로 측정하였다. 강철선의 접착력은 사용된 gas, plasma power, 코팅시간 및 가스 압력에 따라 측정하였으며, 플라즈마 중합에 앞서 Ar 플라즈마 에칭으로 타이어 코드를 세척하였다. 또한 $80^{\circ}C$의 증류수에서 7일간 노화시켜 접착력 저하를 고찰하였으며, 접착력 시험 후 타이어 코드 표면을 SEM으로 분석하여 파괴거동을 규명하고자 하였다. 가장 우수한 접착력은 acetylene의 경우 20W, 2분, 25mtorr에서, 그리고 butadiene의 경우는 l0W, 4분, 25mtorr에서 얻을 수 있었으며, Ar 에칭에 의한 접착력 변화는 없었다. 노화에 의한 접착력 저하는 없었으며, 도리어 증가하는 현상을 보였다. SEM 분석에서 강철선의 높은 거칠기와 플라즈마 코팅의 얇은 두께로 인하여 파괴거동 규명에는 한계가 있었다.

• 공업화학
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• 제30권3호
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• pp.358-364
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• 2019

반사 방지(anti-reflective; AR) 코팅막의 광학 특성 및 내오염성을 향상하기 위하여 tetraethylorthosilicate (TEOS)/염기 및 methyltrimethoxysilane (MTMS)/산 혼성 용액의 혼합비를 변화시키며 다양한 AR 코팅막을 제조하였다. 제조된 AR 코팅막은 UV-Vis, 접촉각 측정기, AFM, FT-IR 및 연필 경도 시험을 통해 특성을 분석하였다. MTMS/산 용액의 함량이 10 wt%인 혼성 용액으로 제조한 AR 코팅막에서 유리 기판은 매우 우수한 광학 특성(97.2%의 투과율), 우수한 내오염성($121^{\circ}$의 물 접촉각 및 $90^{\circ}$의 $CH_2I_2$ 접촉각), 중간 정도의 기계적 강도(4 H의 연필 경도)를 나타내었다. 특히 우수한 내오염성은 기판의 표면 위에서 혼성 용액 내 소량의 MTMS/산 용액으로부터 유래된 메틸기($-CH_3$)의 고른 분산에 기인한 것으로 고려되었다. 연필 경도 시험 결과로부터, AR 코팅막의 기계적 강도는 MTMS/산 용액의 함량이 증가할수록 향상되는 것으로 나타났다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 1999년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.59-59
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• 1999

In this study, planer inductively coupled $Cl_2$ based plasmas were used to etch InGaN and the effects of plasma conditions on the InGaN etch properties have been characterized using quadrupole mass spectrometry(QMS) and optical emission spectroscopy(OES). As process conditions used to study the effects of plasma characteristics on the InGaN etch properties, $Cl_2$ was used as the main etch gas and $CHF_3,{\;}CH_4$, and Ar were used as additive gases. Operational pressure was varied from SmTorr to 3OmTorr, inductive power and bias voltage were varied from 400W to 800W and -50V to -250V, respectively while the substrate temperature was fixed at 50 centigrade. For the $Cl_2$ plasmas, selective etching of GaN to InGaN was obtained regardless of plasma conditions. The small addition of $CHF_3$ or Ar to $Cl_2$ and the decrease of pressure generally increased InGaN etch rates. The selective etching of InGaN to GaN could be obtained by the reduction of pressure to l5mTorr in $CI_2/IO%CHF_3{\;}or{\;}CI_2/IO%Ar$ plasma. The enhancement of InGaN etch rates was related to the ion bombardment for $CI_2/Ar$ plasmas and the formation of $CH_x$ radicals for $CI_2/CHF_3(CH_4)$ plasmas.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2008년도 춘계학술발표대회 및 제14회 신소재 심포지엄
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• pp.35.2-35.2
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• 2008

• 한국진공학회지
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• 제2권2호
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• pp.152-160
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• 1993

본 연구에서는 DC magnetron sputtering 장비를 이용하여, GdFe, Co, CoCr 박막을 제작함에 있어서 sputtering 조건에 관계되는 Ar 압력, 투입전력, 기판의 종류 등의 요소가 박막의 특성, 특히 보자력과 미세구조에 미치는 영향을 관찰하였다. GdFe의 경우 성막속도가 증가함에 따라 Gd의 atomic%가 줄어드는 것을 알 수 있었으며, Ar압력이 증가함에 따라 성막속도는 감소하였고, 투입전력이 증가함에 따라 성막속도는 거의 선형적으로 증가함을 알 수 있다. 또한 투입전력이 증가함에 따라 박막의 보자력도 증가함을 알 수 있었다. Co 박막에 대해서는 투입전력과 Ar 압력에 관한 성막속도와 미세구조에 관하여 관찰하였다. 이로써 투입전력이 증가하면 성막속도가 증가하며 결정립의 크기가 감소함을 알 수 있었고, Ar 압력이 증가하면 성막속도가 감소함을 알 수 있었다. CoCr의 박막에서는 substrate 종류에 따라 보자력 및 미세구조에 미치는 영향에 대해 연구를 행하였으며, substrate의 종류가 미세구조와 보자력에 상당한 영향을 준다는 것을 알 수 있었다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제16권2호
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• pp.180-190
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• 2005

The PSA cycle was performed for the separation of binary gas mixture $H_2/Ar$ (80%/20%) using the six-step two-bed process. Adsorption equilibrium contains a LRC model for equilibrium adsorption isotherms and a LDF model for mass transfer. Aspen ADSIM, simulator was applied to predict the separation performance. The effect of cycle parameters such as feed rate, adsorption pressure and P/F ratio on the separation of hydrogen has been studied in experiment and simulation. In the results, maximize the recovery of hydrogen as a high purity was 13LPM feed flowrate, 120sec adsorption time, 11atm adsorption pressure and 0.1 P/F ratio in a cyclic steady-state come out since 10th cycle.

• 천문학회지
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• 제34권2호
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• pp.111-117
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• 2001

Recently, we have set up a new digital CCD camera system, MicroMax YHS-1300 manufactured by Roper Scientific for Ha observation by Solar Flare Telescope at Bohyunsan Optical Astronomy Observatory. It has a 12 bit dynamic range, a pixel number of 1300$\times$1030, a thermoelectric cooler, and an electric shutter. Its readout speed is about 3 frames per second and the dark current is about 0.05 e-/p/s at $-10^{\circ}C$. We have made a system performance test by confirming the system linearity, system gain, and system noise that its specification requires. We have also developed a data acquisition software which connects a digital camera con-troller to a PC and acquires H$\alpha$ images via Microsoft Visual C++ 6.0 under Windows 98. Comparisons of high quality H$\alpha$ images of AR 9169 and AR 9283 obtained from SOFT with the corresponding images from Learmonth Solar Observatory in Australia confirm that our H$\alpha$ digital observational system is performed properly. Finally, we present a set of H$\alpha$ images taken from a two ribbon flare occurred in AR 9283.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.81-81
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• 2008

Applications of CdS films in this study are to exhibit a high conductivity when they are exposed at light with visible wavelength and sequentially to show a low conductivity in dark state. For this purpose, CdS films should have a high photosensitivity, still maintaining a high conductivity at a visible light. In this study, CdS films were prepared at room temperature on glass substrates by rf magnetron sputtering. In order to increase the photo-conductivity in visible light, various defect levels should be located within the CdS band gap. In order to nucleate the defect sites within the CdS band gap, CdS films were deposited on glass substrates at room temperature using various $H_2$/(Ar+$H_2$) flow ratios by an rf magnetron sputtering. Through the investigation of the structural and photoconductive properties of CdS films by an addition of hydrogen, the relationship between photo- and dark-resistance in CdS films was investigated in detail. 200-nm-thick CdS films for photoconductive sensor applications were prepared at various $H_2$/(Ar+$H_2$) flow ratios on glass substrates at room temperature by rf magnetron sputtering. Sulfur concentration in CdS films crystallized at room temperature with (002) preferred orientation depends directly on the hydrogen atmosphere and the surface roughness of the films gradually increases with increasing hydrogen atmosphere. Films deposited at 8% of $H_2$/(Ar+$H_2$) exhibit an abrupt decrease of dark- and photo-resistance, showing a low photo-sensitivity ($R_{dark}/R_{photo}$). Onthe other hand, films deposited at a hydrogen atmosphere of 42% exhibit a photo-sensitivity of $5\times10^3$, maintaining a photo-resistance of an approximately $2\times10^4\Omega$/square. The dark- and photo-resistance values of CdS films were related with a composition, surface roughness, and defect sites within the band gap.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.245-248
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• 2002

In this paper, the influence of Si surface damage on the NiSi formation has been characterized. The silicon surface is damaged using ion beam type spotter. Then, the effect of H2 anneal and TiN capping layer on the damaged has also been analyzed. The sheet resistance of NiSi formed on damaged Si increased rapidly as the damaging time increases while thermal stability of damaged NiSi was stabler than the undamaged one. In the case when H\ulcorner anneal and TiN capping layer were applied together, the characteristics of NiSi shows a little improvement of the sheet resistance.

• 태양에너지
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• 제20권2호
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• pp.55-65
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• 2000

이온빔 스퍼터링을 이용하여 Indium tin oxide (ITO)박막을 증착하였다. Ar 가스만을 이용하여 플라즈마를 형성한 경우와 $O_2$를 첨가한 경우에 대해 기판온도를 상온에서 $200^{\circ}C$까지 증가시키면서 온도의 영향을 관찰하였으며 이온빔 에너지의 변화가 박막의 특성에 미치는 영향을 관찰하였다. Ar 이온만으로 증착한 ITO 박막은 domain 구조를 보였으며 Ar+$O_2$ 이온으로 증착한 경우 grain 구조를 나타내었다. Ar 이온만으로 증착된 ITO박막의 전기 비저항의 최소값은 $100^{\circ}C$ 기판온도에서 $1.5\times10^{-4}{\Omega}cm$ 값을 보였으며 산소 첨가의 경우에는 $150^{\circ}C$에서 $4.3\times10^{-4}{\Omega}cm$이었다. 모든 박막이 $100^{\circ}C$이상의 기판 온도에서 가시광 영역에서의 투과도는 80%이상의 값을 보였다.