• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권9호
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• pp.2774-2780
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• 2014

A dynamics study of relaxation and fragmentation of icosahedral argon cluster with a vibrationally excited $Ar_2^+$ (${\nu}$) is presented. Local translation is shown to be responsible for inducing energy flow from the embedded ion to host atoms and fragmentation of the cluster consisting of various low frequency modes. The total potential energy of $(Ar_2^+)Ar_{12}$ is formulated using a building-up procedure of host-guest and host-host interactions. The time dependence of ion-to-host energy transfer is found to be tri-exponential, with the short-time process of ~100 ps contributing most to the overall relaxation process. Relaxation timescales are weakly dependent on both temperature (50-300 K) and initial vibrational excitation (${\nu}$ = 1-4). Nearly 27% of host atoms in the cluster with $Ar_2^+$ (${\nu}$ = 1) fragment immediately after energy flow, the extent increasing to ~43% for ${\nu}$ = 4. The distribution of fragmentation products of $(Ar_2^+)Ar_{12}{\rightarrow}(Ar_2^+)Ar_n+(12-n)Ar$ are peaked around $(Ar_2^+)Ar_8$. The distribution of dissociation times reveals fragmentation from one hemisphere dominates that from the other. This effect is attributed to the initial fragmentation causing a sequential perturbation of adjacent atoms on the same icosahedral five-atom layer.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권11호
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• pp.1121-1128
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• 1997

In this study, the Ar plasma treatment was used to improve the surface roughness of Poly-Si1-xGex thin film deposited by RTCVD. The surface roughness and the resistivity of Si1-xGex thin film were investigated with variation of Ar plasma treatment parameters (electrode distance, working pressure, time, substrate temperature and R.F power). When the Ar plasma treatment was used, the cluster size decreased by the surface etching effect due to the increasing surface collision energy of particles (ion, neutral atom) in plasma under the conditions of decreasing electrode distance and increasing pressure, time, temperature, and R. F power. Although the surface roughness value decreased by the reduction of the cluster size due to surface etching effect, however, the resistivity increased. This may be due to the surface damage caused by the increasing surface collision energy. It was concluded that the surface roughness could be improved by the Ar plasma treatment, while the resistivity was increased by the surface damage on the substrate.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.119-119
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• 2015

Ion beam sputtering has been widely used in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), and Auger Electron Spectroscopy (AES) for depth profile or surface cleaning. However, mainly due to severe matrix effects such as surface composition change from its original composition and damage of the surface generated by ion beam bombardment, conventional sputtering skills using mono-atomic primary ions with energy ranging from a few hundred to a thousand volts are not sufficient for the practical surface analysis of next-generation organic/inorganic device materials characterization. Therefore, minimization of the surface matrix effects caused by the ion beam sputtering is one of the key factors in surface analysis. In this work, the electronic structure of a $Ta_2O_5$ thin film on $SiO_2/Si$ (100) after Ar Gas Cluster Ion Beam (GCIB) sputtering was investigated using X-ray photoemission spectroscopy and compared with those obtained via mono-atomic Ar ion beam sputtering. The Ar ion sputtering had a great deal of influence on the electronic structure of the oxide thin film. Ar GCIB sputtering without sample rotation also affected the electronic structure of the oxide thin film. However, Ar GCIB sputtering during sample rotation did not exhibit any significant transition of the electronic structure of the $Ta_2O_5$ thin films. Our results showed that Ar GCIB can be useful for potential applications of oxide materials with sample rotation.

• Mass Spectrometry Letters
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• 제10권1호
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• pp.27-31
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• 2019

In this article, the properties of ${CO_2}^+(CO_2)_n$ clusters in a Paul ion trap have been investigated using mass-selective instability mode which conducted by chosen precursor ions, mainly $Ar^+$ and ${CO_2}^+$ produced by a mixture of Ar and $CO_2$. Exposure of ${CO_2}^+$ ions to $CO_2$ molecules, lead to the formation of ${CO_2}^+(CO_2)_n$ clusters. Here, Ar gas react as a buffer gas and lead to form ${CO_2}^+(CO_2)_n$ cluster by collisional effect.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.378.1-378.1
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• 2016

나노바이오연구분야에서 ToF-SIMS를 이용하여 lipid와 metabolite같은 저 분자의 생체물질을 측정하는데 널리 이용되어 왔다. 최근에는 고 분자량의 생체물질을 측정하기 위해서 C60, water cluster, argon cluster등의 다양한 종류의 클러스터 이온빔들이 개발되어 왔다. [1,2] 하지만 tissue샘플을 클러스터 이온빔을 이용하여 분석한 결과에서도 m/z 1500이상의 고분자를 측정한 결과는 거의 없다. 바이오샘플의 charging을 상쇄하기위해 low energy electron beam (~20 eV)을 사용하는데, low energy electron beam이 샘플에 damage를 주기 때문이다. [3] 본 연구에서는 electron fluence (electrons/cm2)가 증가함에 따라 PC(16:0/18:1(9Z)와 Ganglioside GM1의 intensity가 감소함을 알았고, low energy electron beam에 의해 생체 물질이 damage를 받을 수 있음을 확인하였다. 따라서 tissue 샘플을 SUS기판에 샘플링하고 Ar-GCIB를 이용하면 charging없이 tissue imaging을 성공적으로 수행할 수 있고, m/z 2000이상의 고 분자량의 생체물질을 측정할 수 있음을 확인하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제16권12호
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• pp.1232-1235
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• 1995

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 1999년도 추계학술대회논문집
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• pp.187-197
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• 1999

해양수산부가 개발 .운영 중인 항만운영정보시스템(PORT-MIS)은 선박입출항 관련 업무, 수출입 화물 반출입에 관한 업무, 항만시설물관리에 관한 업무, 의사결정지원시스템에 관한 업무 등 크게 4개 업무오 구성되어 있으며, 총 19개의 전자문서와 1,500여개의 단위 프로그램으로 구성되어 있다. 그동안 PORT-MIS를 권역별로 확대 운영하면서 발생한 여러 가지 문제점들을 보완하기 위해 해양수산부와 정보통신부(한국전산원)가 공동으로 $\ulcorner$수출입화물 일괄처리시스템 구축$\lrcorner$ 용역 사업을 현재 진행 중에 있다. 본 연구는 용역과업 내용에 포함되어 있지 않으면서 개선이 필요한 외항선(국전선.외국전선 포함) 선박입항보고서(최초.변경.최종)와 선박출항보고서(최초.변경.최종), 내항선입.출항신고서, 예선사용허가신청서 및 지정서, 도선사용허가신청서 및 지정서 등의 민원업무를, 사용자로 하여금 최소한의 노력으로 처리할 수 있도록 제출방법을 개선(EDI방식에서 온라인방식으로)하여 행정소요시간을 단축함으로써 PORT-MIS의 효율성을 높일 수 있는 방안을 제시하고자 한다. 이러한 노력을 통해 PORT-MIS EDI업무가 개선되어 선박입.출항보고를 1회롤 처리할 수 있다면 연간 29만9천건의 서류절감으로 약 1억3천7백만원의 물류비를 줄일 수 있으며, 시간 단축에 따른 간접비용을 계산하면 보다 많은 효과가 있다고 판단된다. 그리고 내항선입.출항신고서 및 예.도선업무를 EDI방식에서 온라인방식으로 전환함으로써 선사와 예선업체 및 도선사협회가 대화형식으로 업무처리가 이루어져 분쟁을 최소화 할 수 있다면, 전자문서 31만6천건/년 절감으로 1억3백만원/년의 예산이 절감될 것으로 예상된다.rr로 변화시켰고 inductive power는 200~800watt, bias voltage는 0~-200voltage로 변화시켰으며 식각마스크로는 SiO2를 patterning 하여 사용하였다. n-GaN, p-GaN 층 이외에 광소자 제조시 필수적인 InGaN 층을 100% Cl2로 식각한 경우에 InGaN의 식각속도가 GaN에 비해 매우 낮은 식각속도를 보였다. Cl2 gas에 소량의 CH4나 Ar gas를 첨가하는 경우와 공정압력을 감소시키는 경우 식각속도는 증가하였고, Cl2/10%Ar 플라즈마에서 공정 압력을 감소시키는 경우 식각속도는 증가하였고, Cl2/10%CHF3 와 Cl2/10%Ar 플라즈마에서 공정압력을 15mTorr로 감소시키는 경우 InGaN과 GaNrks의 선택적인 식각이 가능하였다. InGaN의 식각속도는 Cl2/Ar 플라즈마의 이온에 의한 Cl2/CHF3(CH4) 플라즈마에서의 CHx radical 형성에 의하여 증가하는 것으로 사료되어 진다.$ 이상을 나타내었다. 박막의 Sn/In atomic ratio는 0.12, O/In의 비율은 In2O3의 화학양론적 비율인 1.5보다 작은 1.3을 나타내었다.로 보인다.하면 수평축과 수직축의 분산 장벽의 비에 따라 cluster의 두께비가 달라지는 성장을 볼 수 있었고, 한 축 방향으로의 팔 넓이는 fcc(100) 표면의 경우 동일한 Ed+Ep값에 대응하는 팔 넓이와 거의 동일한 결과가 나타나는 것을 볼 수 있다. 따라서 이러한 비대칭적인 모양을 가지는 성장의 경우도 cluster 밀도, cluster 모양, cluster의 양 축 방향 길이 비, 양 축 방향의 평균 팔 넓이로부터 각 축 방향의 분산 장벽을 얻어낼 수 있을 것으로 보인다. 기대할 수 있는 여러

• 분석과학
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• 제15권6호
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• pp.540-549
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• 2002

The arrangement of encapsulated Ar atoms in the molecular-dimensioned cavities of fully dehydrated zeolite A of unit-cell composition $Cs_3Na_8HSi_{12}Al_{12}O_{48}$ ($Cs_3$-A) has been studied crystallographically to probe the confinement effect of guest species in microporous environment. Atoms of Ar were encapsulated in the cavities of $Cs_3$-A by treatment with 410 atm of Ar at $400^{\circ}C$ for two days, followed by cooling at room temperature. The crystal structure of $Cs_3Na_8H$-A(4Ar) ($P_e$ = 410 atm, $a=12.245(2){\AA}$, $R_1=0.0543$, and $R_2=0.0552$) has been determined by single crystal X-ray diffraction technique in the cubic space group $Pm\bar{3}m$ at 21 (1) $^{\circ}C$ and 1 atm. Encapsulated Ar atoms are distributed in three crystallographic distinct positions: 1.5 Ar atoms per unit cell opposite 6-rings, 1.5 opposite four-rings in the large cavity, and finally 1.0 in the sodalite-unit. The possible structures of argon clusters, such as $Ar_2$, $Ar_3$, and $Ar_4$, are proposed.

• 천문학회보
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• 제40권1호
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• pp.44.3-44.3
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• 2015

은하단 주변 은하의 속도 프로파일을 이용하여 중력 법칙을 검증하는 방법론에 관한 최근 공동 연구 결과(arXiv:1501.07064, submitted for publication in ApJ)를 발표한다.

• 한국재료학회지
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• 제8권1호
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• pp.71-79
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• 1998

RTCVD법으로 증착된 다결정 Si$_{1-x}$Ge$_{x}$박막에서 Ge조성 증가에 따른 결정립크기변화가 표면거칠기 및 cluster크기에 미치는 영향에 대해 알아본결과, Ge조성 증가에 따라 결정립크기가 증가했으며 증가된 결정립에 의해 Cluster 크기와 표면거칠기값(RMS)들이 증가함을 알 수 있었다. 또한 증착된 다결정 Si$_{1-x}$Ge$_{x}$박막을 RF power와 온도변화에 따라 Ar/H$_{2}$플라즈마를 이용한 수소화처리를 행하여, 수소화 효과와 표면거칠기값 그리고 비저항값 변화에 대해 조사하였다. 수소화처리 후 cluster크기와 표면거칠기값은 기판온도와 RF power 증가에따라 감소함을 알 수 있었으며 특히 기판온도 30$0^{\circ}C$에서는 비저항값이 상당히 증가하였다.