유전체 전위장벽방전방식에 의한 플라즈마 젯의 블렛 형상은 인가되는 유량과 전기장의 크기에 따라 달라지고 이러한 변화는 DBD 플라즈마 젯의 밀도차이에 의한 스펙트럼 분포의 차이로 나타난다. 발생된 플라즈마 젯의 스펙트럼의 분석을 통한 활성종의 발생과 강도의 차이는 장치를 활용하는데 있어서 중요한 요소이다. 본 논문에서는 Ar가스를 이용한 대기압 볼륨 DBD방식의 플라즈마 젯 발생장치를 제안된 설계방법에 따라 구성하였다. 플라즈마 젯의 발생을 위한 유량의 의존도를 규명하기 위한 Ar가스의 유동해석을 시뮬레이션을 통해 확인하였고 프로토타입 시스템에서는 MFC를 통한 유량제어를 통해 최적의 플라즈마 젯 불렛형상을 발생시키고 발생된 플라즈마 젯의 특성을 분석하기 위해 스펙트로미터를 이용한 플라즈마 젯의 특성을 분석하였다. 제안된 시스템의 설계방법을 통한 장치에서 최적의 플라즈마 젯 형상 확립방법과 EOS 상에서 활성종에 대한 결과를 확인하였다.
Y₂O₃ 박막은 MFISFET형 FRAM의 절연층으로써 응용이 기대되고 있다. 본 논문에서는 ICP에서 Cl₂/Ar 플라즈마를 이용하여 Y₂O₃ 박막을 식각하였다. Y₂O₃박막의 식각율과 YMnO₃ 에 대한 Y₂O₃ 박막의 선택비를 Cl₂/(Cl₂+Ar) 가스혼합비에 따라 조사하였다. Cl₂/(Cl₂+Ar) 가스 혼합비가 0.2일 때 Y₂O₃ 박막의 식각 속도는 302Å/min 으로 최대였으며, 그때 YMnO₃ 에 대한 Y₂O₃ 박막의 선택비는 2.4 이었다. Cl₂가스의 첨가량에 따라 Y₂O₃박막의 식각 속도에 어떠한 영향이 있는지 조사하기 위해 OES를 이용하였고, 식각 후 표면 반응을 알아보기 위하여 XPS 분석을 수행하였다. XPS 분석 결과 Y과 Cl과의 화학 반응이 있음을 확인하였고 그러한 분석결과는 SIMS 분석으로 확인되었다.
Ar과 $N_2$ 가스가 혼합된 분위기에서 반응성 스퍼터링 방법에 의하여 TiN 박막을 증 착하였다. $N_2$가스의 농도는 화학양론적으로 TiN이 형성되는 조건에 맞도록 조절하였으며, 기판의 온도는 실온에서부터 $700^{\circ}C$의 범위내로 유지하였다. (111)texture구조를 가지면서 화 학양론적으로 $Ti_{0.5}N){0.5}$인 박막은 기판의 온도가 $600^{\circ}C$이상에서 형성되었고, 기판의 온도가 $600^{\circ}C$에서는 형성된 박막은 N-과다형이었다. XRD, XPS 및 RBS 분석 결과 TiN 박막의 조 성비는 기판의 온도에 다소 의존하였으나 약 5% 이내에 불과하였다. TiN 박막의 면저항은 기판온도의 증가에 따라 감소하였고, 기판온도가 $600^{\circ}C$에서 증착된 TiN 박막의 면저항은 14.5$\Omega\Box$였고, Ar-가스 분위기에서 $700^{\circ}C$로 30초간 열처리한 후는 8.9$\Omega\Box$이었다. 따라서 반 응성 스퍼터링방법에 의하여 형성되는 양질의 TiN 박막은 기판온도가 $600^{\circ}C$이상이 최적조 건임을 알았다.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.809-812
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2008
Structural parameter variation effects (changing the coplanar gap under different discharge dimensions) and use of complex gas mixtures (He, Ne, Ar and Xe) in mercury-free fluorescent lamps are studied in this paper. Pure Neon gas is the best buffer gas for obtaining high luminous efficiency in mercury-free fluorescent lamps. It is shown that with a shorter coplanar gap (30mm), a high luminous efficiency can be obtained at low operating voltage, as well as high luminance uniformity and stable discharge with a Ne-Xe 20% gas mixture.
The luminance and discharge characteristics of ac PDP may be significantly affected by a small amount of impurity gas in working gas. These impurity gases such as O$_2$, O, C and H$_2$ can be mixed in the manufacturing and /or discharge process. In this paper a small amount of impurity gas in acPDP are introduced quantitatively and the relationship between the amount of impurity gas and the luminance/discharge characteristics are investigated. The luminous efficiency decreased seriously with increase in the partial pressure of impurity gases, especially in H$_2$, O$_2$ and CO$_2$. Under the condition of the impurity gas ratio of 2${\times}$10$\^$-3/ for Ar, N2, H$_2$, CO$_2$ and O$_2$, the luminous efficiency decreased about 8%, 8%, 32%, 36% and 50%, respectively.
On this study, $CO_2$ gas, net of Ar gas, and mixed gas in solid wire(AWS ER 70S-6) and flux cored wire(AWS E71T-1) were used to weld on Mild steel(SS400). After the progress, the status changes of the welds in Mild steel(SS400) were investigated with compositional changes. For stable experiments, welding was conducted using the automatic feeder. Radiation testing, hardness testing, chemical composition analysis and penetrated cross-section were measured. Through these experiments, shapes of penetrated cross-section, chemical composition changes, and weld defects according to the variation of welding gas were known. Weld defects and weld cross-sectional shapes by the variation of the welding voltage were also detected.
The possibility to decrease agglomeration of Cu nano powders and their separation during pulsed wire evaporation (PWE) process was investigated by controlling the working gas system, i.e., the design of the gas path, the type and pressure of the atmospheric gas. As a result, it was possible to choose the optimal design of the gas path providing large specific surface area and high degree of separation of the synthesized Cu nano powders. It was also shown that an Ar+10∼50$N_2$ mixture can be used in production of Cu nano powders, which do not react with nitrogen.
PECVD(Plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 yttria-stabilized zirconia(YSZ) 박막을 제조하였다. 반응물질로 금속유기화합물을 $Zr[TMHD]_4$와 $Y[TMHD]_3$그리고 산소를 사용하였으며, 증착온도는 $425^{\circ}C$, rf power는 0~100W까지 적용하였다. YSZ 박막은 (200)면이 기판에 평행한 입벙정상 구조를 가졌으며, 1시간 내에 $1\mu\textrm{m}$ 두께를 형성하였다. EDX에 의한 막의 성분분석 결과로부터 환산된 박막내의 $Y_2O_3$의 함량은 0-36%의 범위였다. 버블러의 온도 및 운반기체의 유량이 증가함에 따라 박막의 두께 역시 비례하여 증가하였는데, 이는 precursor의 flux 증가로 인한 박막내의 $Y_2O_3$의 함량증가에 의한 것이었다. Zr 및 Y, O는 박막의 두께에 따라 일정한 조성비를 나타내었다. 운반기체를 Ar로 하였을 때 $1000\AA$이하의 크기를 갖는 YSZ 입자들이 column 모양으로 기판에 수직하게 성장하였으며, 운반기체가 He인 경우에도 column 모양으로 성장하였으며 입도가 $1000~2000\AA$으로 Ar의 경우보다 조대해졌다. XRD 분석결과 $Y_2O_3$의 함량이 증가함에 따라 YSZ의 격자상수 값이 약간씩 증가하였다. 이는 박막 전반에 걸쳐 형성된 균열에 의해 격자변형으로 인해 발생한 응력을 완화시켰지 때문이다.
한국윤활학회 2002년도 proceedings of the second asia international conference on tribology
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pp.151-152
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2002
An oxidized surface layer was intentionally formed on a sputtered $MoS_2$ film by introducing oxygen gas in the final stage of sputtering process. The film showed longer life than the normal Ar-sputtered film when the surface layer was slightly oxidized. A XPS analysis revealed co-existence of $MoS_2$ and $MoO_3$ in the surface layer. suggesting that the existence of some amount of oxides in the surface layer had beneficial effect. A confusing result was obtained: the life was much shorter than normal Ar-sputtered film when the film was exposed to $O_2$ environment for 1 minute after normal Ar-sputtering, although almost no oxide was detected in XPS analysis.
염료감응태양전지(DSSC)의 광변환 효율을 향상시키기 위하여 진공챔버에서 450도 고온에서 O2, Ar, and N2 혼합가스를 주입하여 다양한 plasma로 TiO2 박막을 처리하면서 소성시켰다. TiO2 표면을 cleaning하고 활성화함으로서 염료의 결합력을 향상시키는 것 외에 TiO2 내부의 oxygen vacancy를 변화를 관찰하였다. 실험에 사용한 박막은 glass 위에 FTO 박막을 입히고, 다공성 TiO2 나노입자 박막을 코팅하여 제조하였다(porous TiO2 나노입자(${\sim}12{\mu}m$)/FTO(Fluorine doped Tin oxide; $1{\mu}m$)/glass). 완성된 광전극에 대해서 XRD, XPS, EIS, FE-SEM 등을 이용하여 분석하였다. 또한 이렇게 전처리된 광전극을 사용한 DSSC를 제작하였다. 그리고 Solar-simulator를 통해 그 효율을 측정하여 '플라즈마환경에서 소성된 광전극에 대한 DSSC의 광변환효율에 미치는 효과'을 고찰하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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