• Plant Biotechnology Reports
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• v.3 no.3
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• pp.213-223
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• 2009

Lipid transfer proteins (LTPs) are widely distributed in the plant kingdom, but their functions remain elusive. The proteins AlLTP2-4 were isolated from three related Allium plants: garlic (A. sativum L.), Welsh onion (A. fistulosum L.), and Nanking shallot (A. ascalonicum L.). These novel proteins comprise a new class of LTPs associated with the Ace-AMP1 from onion (A. cepa L.). The AlLTP genes encode proteins harboring 132 common amino acids and also share a high level of sequence identity. Protein characteristics and phylogenetic analysis suggest that LTPs could be classified into five distinct groups. The AlLTPs were clustered into the most distantly related plant LTP subfamily and appeared to be restricted to the Allium species. In particular, the number of amino acids existing between the fourth and fifth Cys residue was suggested as a conserved motif facilitating the categorization of all the LTP-related proteins in the family. Unlike other LTPs, AlLTPs harboring both the putative C-terminal propeptide and N-terminal signal peptide were predicted to be localized to cytoplasmic vacuoles. When a chimeric GFP protein fused with both N-terminal and C-terminal AlLTP2 signal peptides was expressed in rice cells, the fluorescence signal was detected in the endomembrane compartments, thereby confirming that AlLTPs are an unprecedented intracellular type of LTP. Collectively, our present data demonstrate that AlLTPs are a novel type of LTP associated with the Allium species.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.462-462
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• 2010

유리기판상에 제작된 비휘발성 메모리의 블로킹 층으로 Al2O3 박막을 일반적으로 널리 사용되는 SiO2 대신 사용한 연구이다. 기본적인 Al2O3 박막의 특성을 확인하기 위해 MIS 형태의 구조를 제작한 후 전기적 특성을 확인하였으며, 또한 유리기판상에 제작하기 전 실리콘 웨이퍼상에 실제 제작할 비휘발성 메모리 소자를 제작하여 특성을 확인하였다. 마지막으로 거친 표면을 가진 LTPS 유리기판상에 제작하였으며, 이에 대한 전기적 특성을 확인하였다. 여러 특성 중 retention 특성의 경우 10년 후 약 45% 이상으로 디스플레이 장치에 충분히 사용될 수 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.43.1-43.1
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• 2011

Hydrogenated amorphous Si (a-Si:H), low temperature poly Si (LTPS) 등 기존 thin film transistors (TFTs)에 사용되던 채널 물질을 대체할 재료로써 다양한 연구가 진행되고 있는 amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO)는 TFT에 적용하였을 때 뛰어난 전기적 특성과 재연성을 나타낼 뿐만 아니라 넓은 밴드갭을 가져 투명소자로도 응용이 가능하다. 본 연구에서는 a-IGZO의 열처리에 따른 소자의 전기적 특성과 조성 분포의 관계를 확인하기 위해 다음과 같이 실험을 진행하였다. Si/SiO2 기판 위에 DC sputter를 이용하여 IGZO를 증착하고 $350^{\circ}C$에서 열처리를 한 후 evaporator로 Al 전극을 형성시켰다. 이 때 전기적 특성의 변화를 비교하기 위해 열처리 한 샘플과 열처리 하지 않은 샘플에 대해 I-V 특성을 측정하였고, 채널 내부의 조성 분포 변화를 transmission electron microscopy (TEM)의 energy dispersive spectrometer (EDS)를 이용하여 관찰하였다. 그 결과 열처리 된 a-IGZO 채널 층의 산소 비율이 감소하였으며 전체적인 조성이 고르게 분포 되었고 전기적 특성은 향상되었다.