부여 관북리 유적에서 시행된 동 생산 및 제련과정을 살펴보기 위하여 '나'지구, '라'지구 출토동 생산 부산물(동 슬래그 및 동 도가니) 11점의 과학적 분석을 시행하였다. 분석방법은 파장분산형 X-선 형광 분석, X-선 회절 분석, 금속 현미경 관찰, 주사 전자현미경-에너지 분산형 X-선 분석기, 전계방출 전자탐침미량분석기, 라만 마이크로분광분석법을 사용하였다. 분석결과 관북리 동 슬래그에서는 주로 도가니 슬래그 및 정련 슬래그에서 전형적인 특징으로 나타나는 규산염 광물, Magnetite, Fayalite, Delafossite 등이 검출되었다. 또한 관북리 동 슬래그는 외형 및 미세조직의 양상의 특성에 따라 1. 유리질 바탕 기지 + Cu prill, 2. 유리질 바탕 기지 + Cu prill + Magnetite, 3. 규산염 광물 바탕 기지 + Cu prill, 4. 결정질(Delafossite, Magnetite)/유리질(비정질) 바탕 기지 + Cu prill, 5. Magnetite + Fayalite, 6. 청동합금 슬래그로 분류되었다. 미세조직 내에는 SiO2, Al2O3, CaO, SO4 P2O5, Ag2O, Sb2O3 등의 불순물이 잔재되어 있으며, 일부는 주석과 납이 합금되어 있는 것을 확인하였다. 이와 같은 결과를 통해 부여 관북리 유적에서는 동 생산과정 중 배소와 제련을 거친 동 중간생성물의 정련과 불순물이 함유된 동-주석, 또는 동-주석-납의 합금정련을 시행하였다고 판단된다.
The purposes of this study was to describe the clinical correlation of mass size and gestational age, prognostic factors in sacrococcygeal teratoma (SCT) at a tertiary pediatric surgery, University of Ulsan College of Medicine and Asan Medical Center (AMC), Seoul, Korea. Fifty five patients admitted to the AMC with a SCT between May 1989 and April 2013 were included in this retrospective review. Mean follow up was 861 days. Mean maternal age at delivery was $30{\pm}2.7$ year, mean gestational age (GA) was $36.9{\pm}3.6$ wks, and preterm delivery was 21.8%. Birth body weight was $3182{\pm}644$ g and male vs. female ratio was 1:2.05. We can't find significant difference between Caesarean section and maternal age at delivery (p =0.817). But, caesarean section was favored by gestational age (p = 0.002), larger tumor size (p =0.029) or higher tumor weight fraction rate to birth body weight (p =0.024). Type I was 13, II 21, III 17, and IV 3 according to Altman et al. classification. The tumor component was predominantly cystic(> 50%) in 73.1 %. And the majority histological classification of tumors were mature teratoma (70.3%). The motality rate was 5.5%. Three patients expired because of postpartum bleeding, post-op bleeding related complication such as DIC. SCT recurred in four patients. The interval between first and second operation was $206.2{\pm}111.0$ d (range 53~325 d). In two patients, serum AFP levels were elevated at a regular checkup without any symptom, and subsequent imaging studies revealed SCT. The most common cause of death was bleeding and bleeding related complication. So Caesarean section and active peripartum and perioperative management will be needed for huge solid SCT. In the case of Yolk sac tumor or huge immature teratoma, possibility of recurrence have to be always considered, so follow up by serial AFP and MRI is important for SCT management.
Objective: The purpose of this study was to evaluate the effects of chewing gum and low-level laser therapy in alleviating orthodontic pain induced by the initial archwire. Methods: Patients with 3-6 mm maxillary crowding who planned to receive non-extraction orthodontic treatment were recruited for the study. Sixty-three participants (33 females and 30 males) were randomly allocated into three groups: laser, chewing gum, and control. In the laser group, a gallium aluminum arsenide (GaAlAs) diode laser with a wavelength of 820 nm was used to apply a single dose immediately after orthodontic treatment began. In the chewing gum group, sugar-free gum was chewed three times for 20 minutes-immediately after starting treatment, and at the twenty-fourth and forty-eighth hours of treatment. Pain perception was measured using a visual analog scale at the second, sixth, and twenty-fourth hours, and on the second, third, and seventh days. Results: There were no statistically significant differences between the groups at any measured time point (p > 0.05). The highest pain scores were detected at the twenty-fourth hour of treatment in all groups. Conclusions: Within the limitations of the study, we could not detect whether low-level laser therapy and chewing gum had any clinically significant effect on orthodontic pain. Different results may be obtained with a higher number of participants or using lasers with different wavelengths and specifications. Although the study had a sufficient number of participants according to statistical analysis, higher number of participants could have provided more definitive outcomes.
For the precise measurements of special nuclear materials (SNM) including Pu and Am isotopes, we have used phoswich detector combination of two single crystal scintillators of Gd3Ga3Al2O12:Ce and CsI:Tl. High detection efficiency and sensitivity along with high figure of merit for the discrimination of these phoswich detectors ensures the detection and discrimination of thermal neutrons and gammas from spontaneous fission of Pu and other isotopes in presence of high gamma background. Using this detector, the low energy gammas, which is stopped completely in 1mm thick disc of GGAG, can be also discriminated from high energies gamma and shows linearity in wide range of sample quantities. By changing only the appropriate shielding, the similar setup was used for thermal neutron detection and shows a very good linearity over wide range. The quantity of a test sample was also calculated accurately by using the measured calibrated plot.
Thin-film-transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention because of the great potential for transparent and flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited due to low field-effect mobility and rapid degradation after exposing to air. Alternative approach is the use of amorphous oxide semiconductors as a channel. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) based TFTs showed the fast technological development, because AOS films can be fabricated at room temperature and exhibit the possibility in application like flexible display, electronic paper, and larges solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO has lots of advantages because it has high channel mobility, uniform surface roughness and good transparency. [1] The high mobility is attributed to the overlap of spherical s-orbital of the heavy post-transition metal cations. This study demonstrated the effect of the variation in channel thickness from 30nm to 200nm on the TFT device performance. When the thickness was increased, turn-on voltage and subthreshold swing was decreased. The a-IGZO channels and source/drain metals were deposited with shadow mask. The a-IGZO channel layer was deposited on $SiO_2$/p-Si substrates by RF magnetron sputtering, where RF power is 150W. And working pressure is 3m Torr, at $O_2/Ar$ (2/28 sccm) atmosphere. The electrodes were formed with electron-beam evaporated Ti (30 nm) and Au (70 nm) bilayer. Finally, Al (150nm) as a gate metal was thermal-evaporated. TFT devices were heat-treated in a furnace at 250 $^{\circ}C$ and nitrogen atmosphere for 1hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station. The TFT with channel thickness of 150nm exhibits a good subthreshold swing (SS) of 0.72 V/decade and on-off ratio of $1{\times}10^8$. The field effect mobility and threshold voltage were evaluated as 7.2 and 8 V, respectively.
최근 디스플레이 산업의 발전에 따라 고성능 디스플레이가 요구되며, 디스플레이의 백플레인 (backplane) TFT (thin film transistor) 구동속도를 증가시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 트랜지스터의 구동속도를 증가시키기 위해 높은 이동도는 중요한 요소 중 하나이다. 그러나, 기존 백플레인 TFT에 주로 사용된 amorphous silicon (a-Si)은 대면적화가 용이하며 가격이 저렴하지만, 이동도가 낮다는 (< $1cm2/V{\cdot}s$) 단점이 있다. 따라서 전기적 특성이 우수한 산화물 반도체가 기존의 a-Si의 대체 물질로써 각광받고 있다. 산화물 반도체는 비정질 상태임에도 불구하고 a-Si에 비해 이동도 (> $10cm2/V{\cdot}s$)가 높고, 가시광 영역에서 투명하며 저온에서 공정이 가능하다는 장점이 있다. 하지만, 차세대 디스플레이 백플레인에서는 더 높은 이동도 (> $30cm2/V{\cdot}s$)를 가지는 TFT가 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 차세대 디스플레이에서 요구되는 높은 이동도를 갖는 TFT를 제작하기 위하여, amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) 채널하부에 화학적으로 안정하고 전도성이 뛰어난 SnO2 채널을 얇게 형성하여 TFT를 제작하였다. 표준 RCA 세정을 통하여 p-type Si 기판을 세정한 후, 열산화 공정을 거쳐서 두께 100 nm의 SiO2 게이트 절연막을 형성하였다. 본 연구에서 제안된 적층된 채널을 형성하기 위하여 5 nm 두계의 SnO2 층을 RF 스퍼터를 이용하여 증착하였으며, 순차적으로 a-IGZO 층을 65 nm의 두께로 증착하였다. 그 후, 소스/드레인 영역은 e-beam evaporator를 이용하여 Ti와 Al을 각각 5 nm와 120 nm의 두께로 증착하였다. 후속 열처리는 퍼니스로 N2 분위기에서 $600^{\circ}C$의 온도로 30 분 동안 실시하였다. 제작된 소자에 대하여 TFT의 전달 및 출력 특성을 비교한 결과, SnO2 층을 형성한 TFT에서 더 뛰어난 전달 및 출력 특성을 나타내었으며 이동도는 $8.7cm2/V{\cdot}s$에서 $70cm2/V{\cdot}s$로 크게 향상되는 것을 확인하였다. 결과적으로, 채널층 하부에 SnO2 층을 형성하는 방법은 추후 높은 이동도를 요구하는 디스플레이 백플레인 TFT 제작에 적용이 가능할 것으로 기대된다.
본 실험에서 미세플라스틱의 노출은 넙치의 혈액학적 성상인 hemoglobin 및 hematocrit 수치의 유의적인 감소를 유발하였다. 또한 미세플라스틱의 노출은 넙치 혈장 무기성분인 calcium, 유기성분인 glucose 및 cholesterol, 효소성분인 AST의 유의적인 변화를 나타냈다. 본 연구에서 바이오플락 환경에서 미세플라스틱의 노출이 어류의 혈액생리에 영향을 주며 독성으로 작용하는 것을 확인할 수 있었다. 향후, 일반 해수와 바이오플락 환경으로 각각 양성한 넙치를 이용하여 사육환경의 변화에 의한 미세플라스틱 노출영향의 차이에 대해서도 추가적인 연구가 이루어져야 할 것이다. 본 연구는 다양한 어종에서 종별 미세플라스틱의 농도 연구에서 미세플라스틱 노출에 따른 종별 독성영향비교평가를 위한 기본 자료로 활용될 수 있을 것이다. 하지만, 바이오플락 환경에서 미세플라스틱의 응집은 미세플라스틱의 독성에 영향을 미치는 중요한 요소이기 때문에(Choi et al. 2020), 향후 연구에서 철저한 모니터링과 함께 다양한 미세플라스틱 독성에 미치는 요소에 대한 추가연구가 필요할 것이다.
Background: This study investigates the effect of alendronate-treated osteoblasts, as well as the effect of low-level laser therapy (LLLT) on the alendronate-treated osteoblasts. Bisphosphonate decreases the osteoblastic activity. Various treatment modalities are used to enhance the bisphosphonate-treated osteoblasts; however, there were no cell culture studies conducted using a low-level laser. Methods: Human fetal osteoblastic (hFOB 1.19) cells were treated with $50{\mu}M$ alendronate. Then, they were irradiated with a $1.2J/cm^2$ low-level Ga-Al-As laser (${\lambda}=808{\pm}3nm$, 80 mW, and 80 mA; spot size, $1 cm^2$; NDLux, Seoul, Korea). The cell survivability was measured with the MTT assay. The three cytokines of osteoblasts, receptor activator of nuclear factor ${\kappa}B$ ligand (RANKL), osteoprotegerin (OPG), and macrophage colony-stimulating factor (M-CSF) were analyzed. Results: In the cells treated with alendronate at concentrations of $50{\mu}M$ and higher, cell survivability significantly decreased after 48 h (p < 0.05). After the applications of low-level laser on alendronate-treated cells, cell survivability significantly increased at 72 h (p < 0.05). The expressions of OPG, RANKL, and M-CSF have decreased via the alendronate. The RANKL and M-CSF expressions have increased, but the OPG was not significantly affected by the LLLT. Conclusions: The LLLT does not affect the OPG expression in the hFOB cell line, but it may increase the RANKL and M-CSF expressions, thereby resulting in positive effects on osteoclastogenesis and bone remodeling.
대상포진성 신경통 환자의 통증을 조정하기 위한 목적으로 본원 통증치료실을 내원한 환자 26명을 대상으로 저출력 레이저 치료를 시행한 결과는 아래와 같다. 1) 통증완화 효과에 대한 평가로서 LLLT는 통증환자에게 비침습적이고 안전하게 시행할 수 있었다. 2) 저출력 레이저 조사후 VAS의 변화는 치료전 $7.57{\pm}1.81$, 5회후 $4.01{\pm}2.01$ 10회후 $3.28{\pm}1.85$ 15회후 $2.82{\pm}1.95$이었다(p<0.01). 3) 15회의 LLLT후 VAS의 개선율은 63%였다. 4) 가장 현저한 VAS의 개선율은 1회 LLLT후의 24%였고 VAS의 개선율은 7회 LLLT후에 나타났다. 5) 대상포진후 신경통으로의 이환은 60세 이상군에서 나타난 1명(3.8%)이었다. 60세 이하 군에서 VAS의 변화는 치료전 $7.67{\pm}2.31$, 5회후 $3.42{\pm}1.77$, 10회후 $2.88{\pm}1.33$, 15회후 $2.22{\pm}1.63$이었으며 VAS의 개선율은 각각 55%, 62%, 71%였다. 60세 이상 군에서는 VAS의 변화는 치료전 $7.49{\pm}1.44$, 5회후 $4.51{\pm}2.20$, 10회후 $3.76{\pm}2.38$, 15회후 $3.47{\pm}2.32$이고 VAS의 개선율은 각각 40%, 50%, 54%로 유의한 차이가 없었다(p>0.05). 7) LLLT중이나 후에 특이한 합병증은 없었다. 이상에서 볼 때 대상포진성 신경통 환자에서 LLLT는 초기에 통증을 조절할 뿐만 아니라 대상포진후 신경통으로의 이환을 줄이며 환자의 전신상태와 비교적 무관하게 치료를 적용할 수 있는 방법으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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