• 제목/요약/키워드: Al2O3/R2O

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SrO-B2O3-Al2O3-SiO2 유리계의 적외선 흡수 연구 (A Study of Infrared Absorption in SrO-B2O3-Al2O3-SiO2 Glasses)

  • 문성준;황인선
    • 한국안광학회지
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    • 제8권1호
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    • pp.7-10
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    • 2003
  • 4성분 $SrO-B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ 유리들을 $R({\equiv}SrO\;mole%/B_2O_3\;mole%)$$K({\equiv}(Al_2O_3+SiO_2)\;mole%/B_2O_3\;mole%)$에 의하여 제작하여 적외선 흡수(Infrared absorption)을 이용하여 유리들의 구조를 조사하였다. R의 증가에 따라 $1,200{\sim}1,600cm^{-1}$ 영역에서 대칭적 3배위 구조인 $BO_3$ 단위구조에 의한 B-O 결합의 신축떨기(stretching vibration)에 의한 흡수 띠의 세기가 감소되어지며, 사면체 구조인 $BO_4$ 단위구조에 의한 B-O 결합의 신축떨기에 의한 흡수 띠의 세기는 $800{\sim}1,200cm^{-1}$ 영역에서 변화되어졌다. 그라고 K의 증가에 따라 대칭적 3배위 구조인 $BO_3$ 단위구조에 의한 B-O 결합의 신축떨기에 의한 흡수 띠의 세기는 증가되어지며, 사면체 구조인 $BO_4$ 단위구조에 의한 B-O 결합의 신축떨기에 의한 흡수 띠의 세기가 감소되어졌다.

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4성분 Li2O-B2O3-Al2O3-SiO2 유리들의 구조로부터 굴절률과 경도 연구 (Studies of Refractive Index and Hardness from the structures in Quarternary Li2O-B2O3-Al2O3-SiO2 Glasses)

  • 문성준
    • 한국안광학회지
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    • 제7권2호
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    • pp.27-31
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    • 2002
  • 4성분 $Li_2O-B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ 유리들을 $R({\equiv}Li_2Omole%/B_2O_3mole%)$$K({\equiv}(Al_2O_3mole%+SiO_2mole%/B_2O_3mole%)$에 의해 제작하여 유리들의 구조를 굴절률 (refractive index)과 Vicker's 경도(hardness)의 변화를 측정하여 분석하였다. 먼저, 굴절률의 증가는 유리 내부구조의 분극률을 증가시키는 $Li^+$ 양이온 수의 증가에 우선적으로 의존하여 증가하였으며, 적은 양의 리튬 산화물($Li_2O$)이 첨가된 영역에서는 굴절률은 리튬 이온 양에 의존하며, 많은 양의 리튬 산화물이 첨가된 영역에서는 큰 몰 부피를 갖고 하나의 비가교 산소를 갖는 $BO_3{^-}$ 단위들의 형성으로 유리 구조 내의 몰 부피 증가로 유리들의 굴절률의 증가가 둔화되었다. 그리고 알루미늄 산화물($Al_2O_3$)과 규소 산화물($SiO_2$)의 증가에 따라 굴절률의 감소는 $Al_2O_3$$SiO_2$에 의해 형성되어진 $AlO_4$ 단위들과 $SiO_4{^-}$ 단위들이 붕소 산화물($B_2O_3$)에 의해 형성되어진 $BO_4$단위들보다 몰 부피의 증가로 감소되어졌다. 또한, 경도의 증가는 유리 망목구조에 형성되어지는 $BO_4$ 단위 수에 의존하였으며, 경도의 감소는 유리 망목구조를 개방화시키는 $BO_3{^-}$ 단위 수에 의존하여 감소함을 알 수 있었다.

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$Li_2O$.$Al_2O_3$.$SiO_2$ 계 유리에서 RO치환 및 $R_2O_3$ 첨가에 따른 결정화 특성 (The Crystallization Characteristics Change in $Li_2O$.$Al_2O_3$.$SiO_2$ System Glass-Ceramics when Varying of RO Ratio and Increasing $R_2O_3$)

  • 이종민;김무경;최병현;양중식
    • 한국세라믹학회지
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    • 제22권2호
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    • pp.3-10
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    • 1985
  • In the study the characteristics change of crystallized $Li_2O$.$Al_2O_3$.$SiO_2$ glass-ceramics when varying RO ratio and increasing Al2O3 were investigated to produce a glass-ceramics with high mechanical strength and low thermal expansion. Parent glass was obtained by melting at 1,350~1,40$0^{\circ}C$ for 3 hours and annealing at 45$0^{\circ}C$ and the various physical characteristics were measured. Results were as follows; 1. When ZnO was replaced by MgO thermal expansion coefficient was lowered when increasing ZnO content. 2. Major crystal phase was $\beta$-spodumene the crystal growth mophology was the three dimensional sphere and the activation energy for crystallization was 54.6 Kcal/mol. 3. Parent glass heat-treated at 95$0^{\circ}C$ for 10 hours had ; a) thermal expansion coeff. of $23.2{\times}10^{-7}$/$^{\circ}C$ b)whiteness of 76 c) microhardness of 1,089kg/$mm^2$

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$Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$를 첨가한 $\beta$-SiC-$ZrB_2$ 복합체의 특성 (Properties of the $\beta$-SiC-$ZrB_2$ Composites with $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$ additives)

  • 신용덕;주진영
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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    • pp.853-855
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    • 1998
  • The electrical resistivity and mechanical properties of the hot-pressed and annealed ${\beta}$-SiC+39vol.%$ZrB_2$ electroconductive ceramic composites were investigated as a function of the liquid forming additives of $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$(6:4wt%). In this microstructures. no reactions were observed between $\beta$-SiC and $ZrB_2$, and the relative density is over 97.6% of the theoretical density. Phase analysis of composites by XRD revealed mostly of a $\alpha$-SiC(6H, 4H), $ZrB_2$ and weakly $\beta$-SiC(15R) phase. The fracture toughness decreased with increased $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$ contents and showed the highest for composite added with 4wt% $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$ additives. The electrical resistivity increased with increased $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$ contents because of the increasing tendency of pore formation according to amount of liquid forming additives $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$. The electrical resistivity of composites is all positive temperature coefficient resistance(PTCR) against temperature up to $700^{\circ}C$.

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저유전율을 갖는 $Mg_2$$SiO_4$-$ZnAl_2$$O_4$계 세라믹스의 $CaTiO_3$첨가에 따른 고주파 유전특성 (Effect of $CaTiO_3$Additions on the Microwave Dielectric Properties of $Mg_2$$SiO_4$-$ZnAl_2$$O_4$Ceramics with Low Dielectric Constant)

  • 박일환;김현학;김경용;김병호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제13권12호
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    • pp.1017-1024
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    • 2000
  • Effect of the microwave dielectric properties and the microstructure on a mole fraction(x=0.1~0.9) of (1-x)Mg$_2$SiO$_4$-xZnAl$_2$O$_4$ ceramics was investigated. When (1-x)Mg$_2$SiO$_4$-xZnAl$_2$O$_4$(x=0.1~0.9) ceramics were sintered at 130$0^{\circ}C$, 135$0^{\circ}C$ and 140$0^{\circ}C$ for 2hr, the microwave dielectric properties were obtained $\varepsilon$r=6.8~8.3, Q.f$_{0}$=36000~77600. On the other hand, the temperature coefficients of resonant frequency($\tau$$_{f}$) were obtained in the properties of -62ppm/$^{\circ}C$ to -49ppm/$^{\circ}C$. In order to adjust the temperature coefficient of resonant frequency($\tau$$_{f}$), CaTiO$_3$was added in (1-x)Mg$_2$SiO$_4$-xZnAl$_2$O$_4$ceramics. 0.7Mg$_2$SiO$_4$-0.2ZnAl$_2$O$_4$-0.1CaTiO$_3$ceramics sintered at 135$0^{\circ}C$ for 2hr showed the excellent microwave dielectric properties of $\varepsilon$r=7.7, Q.f$_{0}$=32000, and $\tau$$_{f}$=-7.9 ppm/$^{\circ}C$.EX>.>.EX>.

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$CeO_2$ 완충층의 두께가 $Al_2O_3$ 기판 위에 성장된 $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ 박막의 초전도 특성에 미치는 영향 (Effect of $CeO_2$ buffer layer thickness on superconducting properties of $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ films grown on $Al_2O_3$ substrates)

  • 임해용;김인선;김동호;박용기;박종철
    • 센서학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.195-201
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    • 1999
  • $Al_2O_3$ (알루미나 및 R-면 사파이어)기판 위에 c-축 $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (YBCO) 박막을 펄스레이저 증착법을 이용하여 성장하였다. 완충층으로 사용하기 위해 $Al_2O_3$ 기판 위에 증착한 $CeO_2$ 박막의 결정성은 기판온도에 많은 영향을 받았다. $CeO_2$ 박막은 $800^{\circ}C$의 기판온도에서 $\alpha$-축방향으로 잘 성장하였으며, $CeO_2$ 완충층의 두께에 따라 YBCO/$CeO_2/Al_2O_3$ 박막의 초전도 특성은 큰 변화를 나타내었다. 알루미나 기판 위에서 $CeO_2$ 완충층의 두께는 약 $1200\;{\AA}$이하, 사파이어 기판의 경우 $100{\sim}1000\;{\AA}$ 범위에서 YBCO 박막은 양호한 초전도 특성을 나타내었으나, 그 보다 두껍게 성장시킬 경우 초전도 특성이 급격하게 나빠졌다. 알루미나 기판 위에 성장된 YBCO 박막의 임계온도는 83 K였으며, R-면 사파이어 기판 위에 성장된 YBCO 박막의 임계온도는 ${\geq}89.5\;K$였고, 임계전류밀도는 77K에서 $3{\times}10^6\;A/cm^2$로 나타났다.

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저온 소성용 $SiO_2-TiO_2-Bi_2O_3-RO$계 (RO;BaO-CaO-SrO) Glass/Ceramic 유전체의 $AI_2O_3$ 함량에 따른 소결 및 유전 특성의 변화 (A study on the sintering and Dielectric Characteristics of Low Temperature Sinterable $SiO_2-TiO_2-Bi_2O_3-RO$ System (RO:BaO-CaO-SrO) Glass/Ceramic Dielectrics as a Function of $AI_2O_3$ Content)

  • 윤장석;이인규;임욱;조현민;박종철
    • 한국세라믹학회지
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    • 제36권12호
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    • pp.1350-1355
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    • 1999
  • Sintering characteristics and dielectric properties of low temperature sinterable Glass/Ceramic dielectric materials were investigated. The dielectric materials which were developed for microwave frequency applications consist of SiO2-TiO2-Bi2O3-RO system(RO:BaO-CaO-SrO) crystallizable glass and Al2O3 as a ceramic filler. Sintering experiments showed that no more densification occurred above 80$0^{\circ}C$ and bulk density and shrinkage depended on Al2O3 content only. Results of dielectric measurements showed that $\varepsilon$r Q$\times$f and $\tau$f of the material containing 30wt% Al2O3 were 17.3, 600 and +23 ppm respectively. Those values for 45 and 60wt% Al2O3 samples were 11.6, 1400, +0.7 ppm and 7.2, 2000, -8.5 ppm, repectively. The results clearly showed that the Glas/Ceramic materials of present experiment decreased in $\varepsilon$r and increased in $\times$f value and changed from positive to negative value in $\tau$f value with the increasement of Al2O3 content.

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$xPb(R_{1/2}Ta_{1/2})O_3-(1-x)Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$(R=Al, Y) 세라믹스의 전기적 특성에 관한 연구 (A Study on the Electrical Properties of $xPb(R_{1/2}Ta_{1/2})O_3-(1-x)Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$(R=Al,Y) Ceramics)

  • 강도원;박태모
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 연구회
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    • pp.157-160
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    • 2001
  • We have investigated the Dielectric and Piezoelectric properties of $xPb(R_{1/2}Ta_{1/2})O_3-(1-x)Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ (R=Al,Y) solid solutions in which R ions are substituted for Al and Y ions. The maximum value of electromechanical coupling factor kp of 55% and 51% were obtained at the composition of 5mol% PAT and 5mol% PYT. However mechanical quality factor$(Q_m)$ had a minimum value of 44 and 69 at the composition of 5mol% PAT and 5mol% PYT. Also, the maximum value of piezoelectctric constant of $d_{33}(329[pC/N])$ and $d_{33}(310[pC/N])$ were obtained at the composition of 5mol% PAT and 5mol% PYT.

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$Ca^{2+}$ 이온과 $Cs^+$ 이온으로 치환되고 탈수된 두개의 제올라이트 X $Ca_{35}Cs_{22}Si_{100}Al_{92}O_{384}$$Ca_{29}Cs_{34}Si_{100}Al_{92}O_{384}$의 결정구조 (Crystal Structures of Full Dehydrated $Ca_{35}Cs_{22}Si_{100}Al_{92}O_{384}$and $Ca_{29}Cs_{34}Si_{100}Al_{92}O_{384}$)

  • 장세복;송승환;김양
    • 대한화학회지
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    • 제40권6호
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    • pp.427-435
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    • 1996
  • $Ca^{2+}$ 이온과 $Cs^+$ 이온으로 치환되고 완전히 탈수된 제올라이트 X, $Ca_{35}Cs_{22}Si_{100}Al_{92}O_{384}$($Ca_{35}Cs_{22}$-X; a=25.071(1) $\AA)와Ca_{29}Cs_{34}Si_{100}Al_{92}O_{384}$($Ca_{29}Cs_{34}$-X; a=24.949(1) $\AA)$의 두 개의 결정 구조를 $21^{\circ}C$에서 입방공간군 Fd3을 사용하여 단결정 X-선 회절법으로 해석하고 구조를 정밀화하였다. 탈수한 $Ca_{35}Cs_{22}$-X의 구조를 Full-matrix 최소자승법 정밀화 계산에서 $I>3\sigma(I)$인 322개의 독립 반사를 사용하여 최종 오차 인자를 $R_1$=0.051, $R_2$=0.044까지 정밀화 계산하였고, 탈수한 $Ca_{35}Cs_{22}$-X의 구조는 260개의 독립 반사를 사용하여 $R_1$=0.058, $R_2$=0.055까지 정밀화시켰다. 이들 구조에서 $Ca^{2+}$ 이온과 $Cs^+$ 이온은 서로 다른 5개의 결정학적 자리에 위치하고 있다. 탈수한 $Ca_{35}Cs_{22}$-X 구조에서는 16개의 $Ca^{2+}$ 이온은 D6R의 중심, 자리 I에 모두 채워져 있다(Ca-O=2.41(1) $\AA$, $O-Ca-O=93.4(3)^{\circ}).$ 다른 19개의 $Ca^{2+}$ 이온은 자리 II에 (Ca-O=2.29(1) $\AA$, $O-Ca-O=118.7(4)^{\circ})$, 10개의 $Cs^+$ 이온은 큰 공동에서 6-링 맞은편 II에 채워져 있고, 각각 3개의 산소로 만들어지는 산소 평면으로부터 $1.95\AA$ 들어가 위치하고 $있다(Cs-O=2.99(1)\AA$, $O-Cs-O=82.3(3)^{\circ}).$ 3개의 $Cs^+$ 이온은 산소 평면에서 소다라이트 공동쪽으로 $2.27\AA$ 들어간 자리 II'에서 위치하고 $있다(Cs-O=3.23\AA$, $O-Cs-O=75.2(3)^{\circ}).$ 나머지 9개의 $Cs^+$ 이온은 각각 큰 공동내 2회 회전축을 가지고 있는 48(f) 위치인 자리 III에 통계학적으로 분포하고 $있다(Cs-O=3.25(1)\AA$, Cs-O=3.49(1) $\AA).$ 탈수한 $Ca_{29}Cs_{34}$-X에서 16개의 $Ca^{2+}$ 이온은 자리 I에 채워지고 (Ca-O=2.38(1) $\AA$, $O-Ca-O=94.1(4)^{\circ})$ 13개의 $Ca^{2+}$ 이온은 자리 II에 채워져 있다(Ca-O=2.32(2) $\AA$, $O-Ca-O=119.7(6)^{\circ}).$ 다른 12개의 $Cs^+$ 이온은 자리 II에 채워져 있고, 이들은 산소 평면으로부터 각각 $1.93\AA$ 들어가 위치하고 $있다(Cs-O=3.02(1)\AA$, $O-Cs-O=83.1(4)^{\circ}).$ 7개의 $Cs^+$ 이온은 각각 자리 II'에 위치하고 있고, 산소 평면으로부터 소다라이트 공동으로 $2.22\AA$ 들어가 위치하고 있다(Cs-O=3.21(2) $\AA$, $O-Cs-O=77.2(4)^{\circ}).$ 나머지 16개의 $Cs^+$ 이온은 큰 공동내의 자리 III에 있다(Cs-O=3.11(1) $\AA$, Cs-O=3.46(2) $\AA).Ca^{2+}$ 이온은 자리 I과 자리 II에 우선적으로 위치하고 $Cs^+$ 이온은 너무 커서 자리 I에 채워질 수 없으며 나머지 자리에 채워진다.

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MgO와 Al의 테르밋 반응생성물이 첨가된 MgO-C계 내화재료의 용손 기구 (Wear Mechanism of MgO-C Refractory with Thermite Reaction Products of MgO and Al)

  • 최태현;전병세
    • 한국세라믹학회지
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    • 제33권7호
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    • pp.832-838
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    • 1996
  • Thermite reaction products of MgO and Al were added to MgO-C refractory to improve the properties of corrosion against the attack of slag, oxidation and mechanical spalling. Corrosion rate of MgO-C-MgAl2O4 spinel refractory at the ratio of 3.3(CaO/SiO2) slag was smaller than that of MgO-C and MgO-C-Al refractory. The excellent corrosion resistance of the MgO-C-MgAl2O4 spinel refractory against the slag attack was appeared by Al and MgAl2O4 spinel with high melting point and corrosion resistance and the high thermal conductivity and low thermal expansion of AIN. Hot M.O.R at 140$0^{\circ}C$ and the resistance of oxidation weight loss at 90$0^{\circ}C$ were 210kg/cm2 and -12% respectively.

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