• 공업화학
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• 제5권6호
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• pp.1044-1055
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• 1994

Ar 또는 $Ar/H_2$ 가스유통(100~500ml/min)하에서 $ZrSiO_4/C$계 및 $ZrSiO_4/Al/C$계로부터 ZrC/SiC 복합분체의 합성을 $1600^{\circ}C$ 온도범위 내에서 시도하고, 이의 생성기구, 생성속도 및 분체특성을 검토하였다. $ZrSiO_4/C$계에서는 $1400^{\circ}C$ 이상에서 $ZrO_2(s)$와 SiO(g)가 각각 탄소와 경쟁반응하여 ZrC 및 SiC를 생성하였다. ZrC생성을 위한 겉보기활성화에너지는 약 18.5kcal/mol($1400-1600^{\circ}C$)이었다. 한편 $ZrSiO_4/Al/C$계에서는 $1200^{\circ}C$ 이상에서 ZrO(g)가 Al(l, g) 및 탄소와 반응하여 ZrC를 생성하였으며, $1300^{\circ}C$ 이상에서는 SiO(g)가 Al(l, g) 및 탄소와 환원-탄화반응하여 SiC를 생성하였다. $1600^{\circ}C$, 5시간 반응으로 얻은 생성물은 평균입경 $21.8{\mu}m$을 갖는 분말로서 ZrC의 격자정수는 $4.679{\AA}$, 결정자크기는 $640{\AA}$이었으며 SiC의 격자정수는 $4.135{\AA}$, 결정자크기는 $540{\AA}$ 정도이었다.

• 분석과학
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• 제13권5호
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• pp.584-591
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• 2000

2단계 음이온교환분리를 이용하여 모의 사용후분산핵연료($U_3Si/Al$)용해용액으로부터 Nd을 분리하기 위한 연구를 수행하였다. 사용후분산핵연료를 모사하기 위하여 사용전핵연료($U_3Si/Al$)를 4 M HCl과 10 M $HNO_3$의 혼산으로 녹인 다음, 8 또는 15종의 핵분열생성원소를 첨가하였다. 용액 중 미량의 실리카는 플루오르화수소산을 넣고 가열하여 제거하였으며, U은 1차 음이온교환수지에 흡착시켜 제거하였다. Nd은 2차 음이온교환수지상에서 여러 핵분열생성원소들로부터 질산-메틸알콜 매질의 용리액으로 분리하였다. 과량의 Al은 Nd의 용리속도에 크게 영향을 미치지 않았으나, Nd을 포함한 Al, Eu, Gd, Sm 및 Sr의 절대 용리양을 감소시켰다. Nd을 용리액[0.04 M $HNO_3$-99.8% MeOH(1:9)]으로 용리하기 전에 과량의 Al은 부하(loading) 용액(0.8 M $HNO_3$/99.8% MeOH) 3 mL로 사전 용출시켜 제거하였다. 용리된 Nd의 회수을은 Al의 양에 관계없이 94% 이상이었다. 순수한 Nd을 분리하기 위해서는 9-13 mL 부분의 용리액을 취하는 것이 효과적이었다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2000년도 추계학술대회 및 발표대회 강연 및 발표논문 초록집
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• pp.40-41
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• 2000

• 한국표면공학회지
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• 제23권1호
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• pp.34-43
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• 1990

Al-Si piston alloys such as AlS10CuMg have been anodized to examine apossibility of forming a hard film aat relatively higher temperatures compard with those in conventional sulfuric acid processes. Three types of electrolytes have been employed in this study ; electrolyte A(15% H2SO4, $0^{\circ}C$), electrolyte B(12% H2SO4, 1% oxalic, $10^{\circ}C$), electrolyte C(tartaric acid 125g/L+oxalic 75g/L+aluminum sulfate 225g/L, $25^{\circ}C$). Hard anodisine process in electrolyte B at a current density of 1.54A/dm2 produced a harder film of VHN 396 at a relatibely low film forming voltage compared with those obtained in other electrolyte at equivalent current density. A liner relationship between hardness and abrasion resistance exists for Al-Si piston alloys. The hardness of anodized film decreasees with increasing silicon content in Al-Si alloys and also with bath temperature. The film hardeness of Na-modified alloy os higher than that of P-modified alloy due to its finer microstructre. The film on the silicon phase in Al-Si alloys is observed to be formed by lateral growth of oxide film nucleated at surroundings.

• 한국표면공학회지
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• 제54권5호
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• pp.285-293
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• 2021

High-entropy TiAlCrSiN nano-composite coating was designed to improve mold life for high temperature liquid molding. Alloy design, powder fabrication and single alloying target fabrication for the high-entropy nano-composite coating were carried out. Using the single alloying target, an arc ion plating method was applied to prepare a TiAlCrSiN nano-composite coating had a 30 nm TiAlCrSiN layers are deposited layer by layer, and form about 4 ㎛-thickness of multi-layered coating. TiAlCrSiN nano-composite coating had a high hardness of about 39.9 GPa and a low coefficient of friction of less than about 0.47 in a dry environment. In addition, there was no change in the structure of the coating after the dissolution loss test in the molten metal at a temperature of about 1100 degrees.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제7권2호
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• pp.39-44
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• 2003

Recent ULSI and multilevel structure trends in microelectronic devices minimize the line width down to a quarter micron and below, which results in the high current densities in thin film interconnections. Under high current densities, an EM(electromigration) induced failure becomes one of the critical problems in a microelectronic device. This study is to improve thin film interconnection materials by investigating the EM characteristics in PSG(phosphosilicate glass)/SiO$_2$ passivated Al-l%Si thin film interconnections. Straight line patterns, wide and narrow link type patterns, and meander type patterns, etc. were fabricated by a standard photholithography process. The main results are as follows. The current crowding effects result in the decrease of the lifetime in thin film interconnections. The electric field effects accelerate the decrease of lifetime in the double-layered thin film interconnections. The lifetime of interconnections also depends upon the current conditions of P.D.C.(pulsed direct current) frequencies applied at the same duty factor.

• 동력기계공학회지
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• 제15권5호
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• pp.72-76
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• 2011

In this work, the parameter optimization for thermal-sprayed Al/SiC composites have been designed by $L_9(3^4)$ orthogonal array and analysis of variance(ANOVA). Al/SiC composites were fabricated by flame spray process on steel substrate. The hardness of composites were measured using micro-vickers hardness tester, and these results were analyzed by ANOVA. The ANOVA results showed that the oxygen gas flow, powder feed rate and spray distance affect on the hardness of the Al/SiC composites. From the ANOVA results, the optimal combination of the flame spray parameters could be extracted. It was considered that experimental design using orthogonal array and ANOVA was efficient to determine optimal parameter of thermal-sprayed Al/SiC composites.

• 분석과학
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• 제13권5호
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• pp.601-607
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• 2000

란탄은 사용후핵연료의 연소도 지표원소들 중 하나로써 이용되고 있다. $U_3Si/Al$ 사용후핵연료는 다량의 U과 Al 속에 미량의 La이 포함되어 있어 정량시 매질의 영향을 줄이기 위해 화학적 분리가 요구된다. La의 분리 및 측정을 위해 IC-ICP-MS를 이용하였으며, 우선 방사성 시료를 취급하기 위하여 유도결합 플라스마 질량분석기의 플라스마 부분 및 분리관을 방사선 차폐 글로브박스 내에 설치하였다. CG10 분리관과 ${\alpha}$-HiBA 용리액을 사용하여 U, Al, La 및 몇 가지 핵분열생성물 (Sr, Zr, Y, Mo, Ru, Pd, Rh, Cs, Ba, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu 및 Cd)의 머무름 거동을 살펴보았다. 0.2 M ${\alpha}$-HiBA 용리액에서 U과 Al이 초기에 용출되므로 분리관과 ICP-MS의 시료분무기 사이에 3방향 밸브를 연결하여 다량의 U과 Al이 ICP-MS로 유입되지 않도록 하므로써 매질의 영향을 줄일 수 있었다. 이 조건에서 La은 약 12분 정도에 분리 및 측정이 가능하였으며, $1-10{\mu}g/L$ (ppb)의 농도범위가 측청에 적합하였고 시료양을 $200{\mu}L$ 취할 경우 La의 검출한계는 $0.25{\mu}g/L$이었다.

• 센서학회지
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• 제2권1호
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• pp.29-34
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• 1993

본 연구에서는 영상센서를 위해 a-Si : H 광다이오드를 제작하고 그 특성을 조사하였다. a-SiN : H와 p-a-Si : H막의 차단층이 없는 ITO/a-Si : H/Al 광다이오드의 광감도는 5 V의 인가전압에서 0.7로 나타났으며 가시광영역에서의 분광감도는 620 nm의 파장에서 가장 높게 나타났다. ITO/a-SiN : H/a-Si : H/p-a-Si : H/Al 광다이오드의 암전류는 정공차단막과 전자차단막의 작용으로 인하여 10V의 인가전압까지 1.5pA이하로 억제되었다. 또한 광감도는 3 V의 인가전압에서 약 1로 가장 높게 나타났으며 분광감도는 540 nm의 파장에서 최대응답을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1993년도 제4회 학술발표회 논문개요집
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• pp.44-45
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• 1993