Continuous conduction mode (CCM) boost converters are commonly used in home appliances and various industries because of their simple topology and low input current ripples. However, these converters suffer from several disadvantages, such as hard switching of the active switch and reverse recovery problems of the output diode. These disadvantages increase voltage stresses across the switch and output diode and thus contribute to switching losses and electromagnetic interference. A new topology is presented in this work to improve the switching characteristics of CCM boost converters. Zero-current turn-on and zero-voltage turn-off are achieved for the active switches. The reverse-recovery current is reduced by soft turning-off the output diode. In addition, an input current sensorless control is applied to the proposed topology by pre-calculating the duty cycles of the active switches. Power factor correction is thus achieved with less effort than that required in the traditional method. Simulation and experimental results verify the soft-switching characteristics of the proposed topology and the effectiveness of the proposed input current sensorless control.
본 논문에서는 진동 감지기가 있는 전파 정류 하베스팅 회로를 설계하였다. 설계된 회로는 진동 감지기와 능동다이오드를 통해 진동이 감지될 때에만 동작하며, 진동이 없을 때 비교기를 off시켜 $C_{STO}$에 저장된 에너지의 누설을 방지한다. 커패시터에 저장된 에너지는 레벨 변환기와 능동다이오드의 구동에 사용된다. 진동 감지기는 Hysteresis 기능이 있는 Schmitt Trigger와 피크검출기로 구현하였다. 제안된 회로는 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계하였으며, 모의실험을 통해 동작을 검증하였다. 설계된 에너지 하베스팅 회로의 칩 면적은 $590{\mu}m{\times}583{\mu}m$이다.
When the laser diode is operated with continuous current, the light intensity from the laser diode deceases with time due to the temperature rise in the active layer. The phenomena, which is often called as DROOP, should be minimized in order to be used as a light source for the laser beam printer. We experimently examined the influences of the laser parameters such as threshold current, differential quantum efficiency on droop. It was found that decreasing the differential quantum efficiency of the laser diode is the effective way to minimize droop.
This paper proposes a new series-connected diode rectifier which draws sinusoidal input currents. The proposed rectifier system is configured by adding an auxiliary circuit to the conventional 12-pulse series-connected diode rectifier and employing a current injection technique. A low kVA($0.02P_{\circ}$(PU) ) active current source injects a triangular current into the interphase reactor of the diode rectifier. The current injection results in near sinusoidal input current from the utility with less than 1% THD. The resulting system is suitable for high voltage and high power applications. Experimental and simulation results are provided from a 220V, 3kVA prototype rectifier system.
In this paper, a new active interphase reactor for twelve-pulse diode rectifiers is proposed. The proposed system draws near sinusoidal currents from the utility. In this scheme, a low kVA(0.02 $P_o$ (PU)) active current source injects a triangular current into an interphase reactor of a twelve-pulse diode rectifier. The modification results in near sinusoidal input current with less than 1% THD. Experimental results are provided from a 208V, 10kVA rectifier system.
Recently organic electroluminescent devices have been intensively investigated for using in full-color flat-panel display. Since the quantum efficiency of electrophosphorescent device decrease rapidly as the luminance increase, it is desirable to operate the electrophosphorescent display with active matrix rather than passive matrix. Here we report the study of driving electrophosphorescent diode with all organic thin film transistor(OTFT). The structure of electrophosphorescent diode is ITO/TPD/BCP:Ir(ppy)$_3$/BCP/Alq$_3$/Li:Al/Al. In OTFT. polymer is used as an insulator and pentacene as an active layer. Detailed performance of the integrated device will be discussed.
Recently organic electroluminescent devices have been intensively investigated for using in full-color flat-panel display. Since the quantum efficiency of electrophosphorescent device decrease rapidly as the luminance increase, it is desirable to operate the electrophosphorescent display with active matrix rather than passive matrix. Here we report the study of driving electrophosphorescent diode with all organic thin film transistor(OTFT). The structure of electrophosphorescent diode is ITO/TPD/BCP:Ir(ppy)$_3$/BCP/Alq$_3$/Li:Al/Al. In OTFT, Polymer is used as an insulator and pentacene as an active layer. Detailed performance of the integrated device will be discussed.
본 논문에서는 진동에너지 하베스팅을 위한 세 가지 종류의 전파 정류기를 비교 분석 하였다. 첫번째 정류기는 두 개의 능동 다이오드(active diode)와 두 개의 MOSFET로 구성된 전파 정류기로 능동 다이오드의 비교기는 정류기의 출력으로부터 전력을 공급받는다. 두 번째는 네 개의 MOSFET로 구성된 정류기와 하나의 능동 다이오드로 구성된 2단 정류기이며, 마찬가지로 비교기는 정류기의 출력으로부터 전력을 공급받는다. 세 번째는 두 번째 정류기와 동일한 구조이나 비교기의 전력을 정류기의 입력으로부터 공급받는 input-powered 정류기이다. 이 정류기들을 0.35um CMOS 공정으로 설계하고 모의실험을 통해 성능을 비교, 분석하였다. 부하가 큰 경우에는 첫 번째 정류기를 이용하는 것이, 부하가 작은 경우에는 두 번째 정류기를 이용하는 것이 효율적인 측면에서 유리하다. 또한 효율보다는 진동에너지의 유무에 따른 전력 소모가 중요하다면 세 번째 정류기가 유리하다.
Amorphous silicon thin-film transistors (a-Si TFTs) were incorporated into Mo-tip-based triode-type field emitters and diode-type ones of carbon nanotubes for an active-matrix cathode (AMC) plate of field emission displays. Also, we developed a novel surface-treatment process for the Mo-tip fabrication, which gleatly enhanced in the stability of field emission. The field emission currents of AMC plates on glass substrate were well controlled by the gate bias of a-Si TFTs. Active-matrix field emission displays (AMFEDs) with these AMC plates were demonstrated in a vacuum chamber, showing low-voltage matrix addressing, good stability and reliability of field emission, and highly uniform light emissions from the anode plate with phosphors. The optimum design of AMFEDs including a-Si TFTs and a new light shield/focusing grid is discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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