• 센서학회지
• /
• 제11권1호
• /
• pp.18-27
• /
• 2002

스크린 프린팅법으로 $Al_2O_3$ 기판 위에 $LaFeO_3$를 기본물질로 하여 $Al_2O_3$를 각각 2Wt.%, 5wt.%, 10wt.%를 첨가한 후막을 제조하였다. 열처리 온도에 따른 후막의 구조적, 전기적 특성과 암모니아 가스에 대한 감지특성을 조사하였다. X선 회절에서, 첨가한 $Al_2O_3$는 $1200^{\circ}C$까지의 열처리에도 $LaFeO_3$와 반응하여 화합물을 형성하지 않음을 확인하였다. 전자현미경 사진에서 $Al_2O_3$의 첨가량에 따른 열처리에 대한 입자의 변화는 차이를 보이지 않았다. 후만의 전기적 특성에서 활성화 에너지가 높고 전기저항이 작은 시료에서 가스감도가 좋았다. $Al_2O_3$를 2wt.% 첨가하여 $1200^{\circ}C$에서 열처리한 후막은 100ppm $NH_3$ 가스에 대해 동작온도 $350^{\circ}C$에서 210%의 감도를 보였다. 이 후막은 $NH_3$ 가스에 대해 우수한 선택성을 보였다.