• Journal of Magnetics
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• 제19권2호
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• pp.116-120
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• 2014

The spin-lattice relaxation time, $T_1$, for $^{69}Ga$, $^{71}Ga$, and $^{75}As$ nuclei in GaAs:$Mn^{2+}$ single crystals was measured as a function of temperature. The values of $T_1$ for $^{69}Ga$, $^{71}Ga$, and $^{75}As$ nuclei were found to decrease with increasing temperature. The $T_1$ values in GaAs:$Mn^{2+}$ crystal are similar to those in pure GaAs crystal. The calculated activation energies for the $^{69}Ga$, $^{71}Ga$, and $^{75}As$ nuclei are 4.34, 4.07, and 3.99 kJ/mol. It turns out that the paramagnetic impurity effect of $Mn^{2+}$ ion doped in GaAs single crystal was not strong on the spin-lattice relaxation time.

• Elastomers and Composites
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• 제47권2호
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• pp.148-155
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• 2012

EPDM, IIR, 그리고 BIIR 복합체를 열노화시켜 가교밀도 변화를 조사하였다. 노화 시간이 증가하거나 노화온도가 올라갈수록 EPDM 복합체의 가교밀도는 증가하였으나, 고온에서 장기간 노화된 IIR과 BIIR 복합체의 가교밀도는 감소하는 경향을 보였다. EPDM 복합체의 가교밀도 변화에 대한 활성화 에너지는 BIIR 복합체보다 높았다. 실험결과는 알릴 수소의 수, 아연 복합체의 활성화, 입체 가리움 효과, 그리고 고무 사슬의 산화로 설명하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제9권6호
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• pp.388-393
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• 1988

The chemisorption of CO molecules on polycrystalline nickel surface has been studied by investigating the resulting chemisorbed species with the X-ray photoelectron spectroscopy at temperatures between 300K through 433K. It is found that the adsorbed CO molecules are dissociated by the simple C-O bond cleavage as well as by the disproportionation reaction at temperatures above 373K. The former type dissociation is more favored at low coverages and at elevated temperatures. The isotherms of CO chemisorption are obtained from the xps intensities of C 1s peaks, and then the activation energy of the dissociative adsorption is estimated as a function of the CO exposure. These activation energies are extrapolated to zero coverage to obtain the activation energy of chemisorption in which thermal C-O bond cleavage takes place. The value obtained is 38.1 kJ/mol.

• 대한화학회지
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• 제19권4호
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• pp.218-224
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• 1975

바닥상태에 대한 자기무당착장 상호작용 에너지 이론을 2-치환-아크릴로니트릴과 시클로펜타디엔의 Diels-Alder 반응에 적용하여 반응성과 입체 선택성을 조사하였다. 출발점으로는 $\sigma$전자와 $\pi$전자를 다 고려하는 CNDO/2 MO가 사용되었다. 1차 상호작용 에너지 계산으로 정성적인 반응성이 얻어 졌으며 활성화 에너지 값은 실측치 범위의 것이 계산되었다. 2차 상호작용 에너지 계산으로 얻은 입체 선택성은 치환기에 대하여 모두 endo 선택성을 보여주었다. 비대칭 폐환의 원인을 반응원자의 원잣가 비활성 전자밀도로서 설명하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권11호
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• pp.1682-1688
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• 2005

Using the ASED-MO (Atom Superposition and Electron Delocalization-Molecular Orbital) theory, we investigated carbon formation and carbon hydrogenation for $CO_2$ methanation on the Ni (111) surface. For carbon formation mechanism, we calculated the following activation energies, 1.27 eV for $CO_2$ dissociation, 2.97 eV for the CO, 1.93 eV for 2CO dissociation, respectively. For carbon methanation mechanism, we also calculated the following activation energies, 0.72 eV for methylidyne, 0.52 eV for methylene and 0.50 eV for methane, respectively. We found that the calculated activation energy of CO dissociation is higher than that of 2CO dissociation on the clean surface and base on these results that the CO dissociation step are the ratedetermining of the process. The C-H bond lengths of $CH_4$ the intermediate complex are 1.21 $\AA$, 1.31 $\AA$ for the C${\cdot}{\cdot}{\cdot}H_{(1)}$, and 2.82 $\AA$ for the height, with angles of 105${^{\circ}}$ for ∠ $H_{(1)}$CH and 98${^{\circ}}$ for $H_{(1)} CH _{(1)}$.

• 한국진공학회지
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• 제14권2호
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• pp.97-102
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• 2005

제일원리 분자동역학 방법을 이용하여 Si(001) 표면에 NO 분자 흡착을 연구하였다. NO 분자가 Si(001)의 dimer축과 나란히 흡착될 경우에 50K에서도 분해가 일어났다. 이를 에너지 장벽으로 환산해 보면 0.006eV로서 거의 무시해도 좋을 정도이다 만일 NO 분자가 표면에 수직으로 들어오면 이웃에 있는 dimer에 걸쳐서 분해가 일어났다. 이 경우는 에너지 장벽은 0.08eV 정도였으며 여전히 낮은 수준이다. 분해가 된 산소분자는 dimer와 기판 사이의 backbend로 파고들어서 (에너지 장벽 0.007eV) 안정된 구조를 만들었다. 또 dimer에 나란히 흡착된 분자 상태의 경우는 N=Si_3$를 만들기도 하는데 속전자준위분광학(core level spectroscopy) 실험 결과와 일치한다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권11호
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• pp.1294-1303
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• 1988

광 유도 전류 천이 (photo-induced current transient)방법으로 측정한 SI GaAs의 전자와 정공 trap이 갖을 수 있는 activation energy({\Delta}E_r)의 범위는 0.16$\pm$ 0.01eV에서 0.98$\pm$ 0.01eV까지 분포되어 있다. SI Undoped GaAs가 SI GaAs : Cr 보다 깊은 준위의 수가 적음을 확인 하였다. Trap의 열적인 capture cross section과 농도를 평가 하였고, 약간의 trap은 SI GaAs 성장시에 발생될 수 있는 결함과 관련되어 있음을 확인하였다. 특히 SI GaAs에서 보상 level로 작용하는 Cr과 “0” level를 좀 더 정확하게 측정하기 위하여 서로 다른 측정방법을 사용하여 측정한 결과를 각기 비교 검토 하였다. 즉, PICT측정, 상온 이상의 온도에서 측정한 Hall data 및 광전류 spectra data 등을 비교 검토 하였으며, 보상 level은 격자 결합이 매우 약함을 확인할 수 있었다. Hall data를 computer로 분석한 결과 중성 불순물 scattering이 측정 온도 범위에서 매우 중요한 역할을 하고 있음을 알 수 있었다.

• 한국식품조리과학회지
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• 제10권2호
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• pp.161-165
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• 1994

본 연구에서는 마이얄반응속도에 미치는 카페인산의 영향을 조사하고자 하였다. 갈색화 반응속도는 60와 8$0^{\circ}C$에서 매우 느리게 나타났으나, 10$0^{\circ}C$에서 크게 증가하였다. 갈색화반응속도는 환원당보다는 아미노산의 종류에 의해 더 큰 영향을 받았다. 또한 카페인산가 첨가될 때 갈색화반응물의 색깔의 강도는 증가되었으며 이러한 증가는 주로 카페인산으로 부터 형성된 o-quinones의 중합에 기인되는 것으로 생각되었다. 더욱이 카페인 산과 아미노산, 특히 phenylalanine이나 methionine과의 상호반층에 의해 색깔의 강도는 더욱 증가하는 것으로 나타났다. 카페인산이 첨가되지 않은 갈색화반응물의 환성화에너지는 108~130J/mo1정도, 온도계수(Q10 value)는 2.6~3.2정도였으며 카페인산의 첨가에 의해 갈색화 반응의 활성화에너지는 상대적으로 낮아졌다. 카페인산이 첨가된 갈색화반응의 활성화에너지는 80~101J/mo1정도, 온도계수는 2.0~2.6정도였다.

• Journal of Ginseng Research
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• 제39권4호
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• pp.304-313
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• 2015

Background: Ginsenoside Rg3 is a promising anticancer agent. It is usually produced by heat treatment of ginseng, in which ginsenoside Rb1 is the major ginsenoside. A kinetic study was conducted to optimize ginsenoside Rg3 production by the heat treatment of ginsenoside Rb1. Methods: Ginsenoside Rb1 was heated using an isothermal machine at $80^{\circ}C$ and $100^{\circ}C$ and analyzed using HPLC. The kinetic parameters were calculated from the experimental results. The activation energy was estimated and used to simulate the process. The optimized parameters of ginsenoside Rg3 production are suggested based on the simulation. Results: The rate constants were $0.013h^{-1}$ and $0.073h^{-1}$ for the degradation of ginsenosides Rb1 and Rg3 at $80^{\circ}C$, respectively. The corresponding rate constants at $100^{\circ}C$ were $0.045h^{-1}$ and $0.155h^{-1}$. The estimated activation energies of degradation of ginsenosides Rb1 and Rg3 were 69.2 kJ/mol and 40.9 kJ/mol, respectively. The rate constants at different temperatures were evaluated using the estimated activation energies, and the kinetic profiles of ginsenosides Rb1 and Rg3 at each temperature were simulated based on the proposed kinetic model of consecutive reaction. The optimum strategies for producing ginsenoside Rg3 from ginsenoside Rb1 are suggested based on the simulation. With increased temperature, a high concentration of ginsenoside Rg3 is formed rapidly. However, the concentration decreases quickly after the reaching the maximal concentration value. Conclusion: The optimum temperature for producing ginsenoside Rg3 should be the highest temperature technically feasible below $180^{\circ}C$, in consideration of the cooling time. The optimum reaction time for heat treatment is 30 min.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제29권10호
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• pp.1920-1926
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• 2008

We investigated the C-H bond activation mechanism of aldimine by the [RhCl$(PPH_3)_3$] model catalyst using DFT B3LYP//SBKJC/6-31G*/6-31G on GAMESS. Due to their potential utility in organic synthesis, C-H bond activation is one of the most active research fields in organic and organometallic chemistry. C-H bond activation by a transition metal catalyst can be classified into two types of mechanisms: direct C-H bond cleavage by the metal catalyst or a multi-step mechanism via a tetrahedral transition state. There are three structural isomers of [RhCl$(PH_3)_2$] coordinated aldimine that differ in the position of chloride with respect to the molecular plane. By comparing activation energies of the overall reaction pathways that the three isomeric structures follow in each mechanism, we found that the C-H bond activation of aldimine by the [RhCl$(PH_3)_3$] catalyst occurs through the tetrahedral intermediate.