Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.1
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pp.105-112
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2018
This paper proposes a method for fabricating heatable glass using the conduction characteristics of metal thin films deposited on the surface of Low-e(Low emissivity) glass. The heating value of Low-e glass depends on the Joule heat caused by Low-e glass sheet resistance. Hence, its prediction and design are possible by measuring the sheet resistance of the material. In this study, silver electrodes were placed at 50 mm intervals on a soft Low-e glass sample with a low emissivity layer of 11 nm. This study measured the sheet resistance using a 4-point probe, predicted the power consumption and heating value of the Low-e glass, and confirmed the heating performance through fabrication and experience. There are two conventional methods for manufacturing heatable glass. One is a method of inserting nichrome heating wire into normal glass, and the other is a method of depositing a conductive transparent thin film on normal glass. The method of inserting nichrome heating wire is excellent in terms of the heating performance, but it damages the transparency of the glass. The method for depositing a conductive transparent thin film is good in terms of transparency, but its practicality is low because of its complicated process. This paper proposes a method for manufacturing heatable glass with the desired heating performance using Low-e glass, which is used mainly to improve the insulation performance of a building. That is by emitting a laser beam to the conductive metal film coated on the entire surface of the Low-e glass. The proposed method is superior in terms of transparency to the conventional method of inserting nichrome heating wire, and the manufacturing process is simpler than the method of depositing a conductive transparent thin film. In addition, the heat characteristics were compared according to the patterning of the surface thin film of the Low-e glass by an emitting laser and the laser output conditions suitable for Low-e glass.
The GMR-SV (giant magnetoresistance-spin valve) device depending on the micro patterned features according to two easy directions of longitudinal and transversal axes has been studied. The GMR-SV multilayer structure was Ta(5 nm)/NiFe(8 nm)/Cu(2.3 nm)/NiFe(4 nm)/IrMn(8 nm)/Ta(2.5 nm). The applied anisotropy direction of the GMR-SV thin film was performed under the magnitude of 300 Oe using by permanent magnet during the deposition. The size of micro patterned device was a $1\;{\times}\;18\;{\mu}m^2$ after the photo lithography process. In the aspects of the shape magnetic anisotropy effect, there are two conditions of fabrication for GMR-SV device. Firstly, the direction of sensing current was perpendicular to the magnetic easy axis of the pinned NiFe/IrMn bilayer with the transversal direction of device. Secondly, the direction of shape magnetic anisotropy was same to the magnetic easy axis of the free NiFe layer with the longitudinal direction of device.
Hong-Rak Kim;Youn-Jin Kim;Seong-Ho Park;Man-Hee Lee
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.23
no.4
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pp.35-40
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2023
For the EMC test, the radiation characteristics and immunity characteristics of the EUT are measured under the condition that the EUT maintains its normal operation. For normal operation of the EUT, it is necessary to operate the EUT and monitor its status through separate equipment outside the anechoic chamber. External equipment operates and monitors the EUT through various communications such as 1553B communication, RS-485 communication, and Ethernet communication. At this time, external equipment can transmit noise through the communication line. This noise is transmitted to the LISN through the connected power cable and measured. It is also radiated through the connection terminal to the LISN. In this case, the communication line is the power line It should be designed so that noise is not transmitted through electromagnetic isolation as much as possible. In addition, noise from external equipment must be suppressed as much as possible from entering the chamber through the communication line. In this paper, external EUT test equipment applied for EMC test It explains the considerations in the design and manufacture of the design and explains the satisfaction of the design through tests including CE and RE.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.1
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pp.9-14
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2016
This study evaluated a digital locking device design using detection distance of 13.4mm of a human body sensing type magnetic field coil. In contrast to digital locking devices that are used nowadays, the existing serial number entering buttons, lighting, number cover, corresponding pcb, exterior case, and data delivery cables have been deleted and are only composed of control ON/OFF power switches and emergency terminals. When the magnetic field coil substrates installed inside the inner case detects the electric resistance delivered from the opposite side of the 12mm interval exterior contacting the glass body part, the corresponding induced current flows. At this time, the magnetic field coil takes the role as a sensor when coil frequency of the circular coil is transformed. The magnetic coil as a sensor detects a change in the oscillation frequency output before and after the body is detected. This is then amplified to larger than 2,000%, transformed into digital signals, and delivered to exclusive software to compare and search for embedded data. The detection time followed by the touch area of the body standard to a $12.8{\emptyset}$ magnetic field coil was 30% contrast at 0.08sec and 80% contrast at 0.03sec, in which the detection distance was 13.4mm, showing the best level.
Nah, Kyu Min;Park, Yang;Kang, Eun Kyeong;Kang, Hee;Koh, Young Yull;Lee, Sun Wha;Paek, Domyung
Clinical and Experimental Pediatrics
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v.46
no.3
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pp.284-290
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2003
Purpose : A new airway inflammatory marker, exhaled nitric oxide(ENO) has been reported to correlate with bronchial hyperresponsiveness(BHR) and atopy. The purpose of this study was to analyze the relationship of ENO with BHR or atopy in patients with asthma and with allergic rhinitis. Methods : The subjects consisted of 55 children with asthma, 17 with allergic rhinitis, and 14 healthy controls. The asthma group was subdivided into the atopic asthma group(n=37) and the nonatopic asthma group(n=18) and the allergic rhinitis group into BHR group(n=7) and non-BHR group(n=10). All were investigated with spirometry and measurements of ENO concentration. The correlations between ENO concentration and both methacholine $PC_{20}$(provocative concentration causing a 20% decrease in forced expiratory volume in one second) and the number of allergen skin test positivity were analyzed. Results : ENO concentrations of both asthma and allergic rhinitis groups were significantly greater than that of control(P<0.01). ENO concentration of atopic asthma was significantly greater than that of nonatopic asthma(P<0.01). In allergic rhinitis, ENO concentration did not differ according to the presence or absence of BHR(P=0.50). ENO concentrations correlated significantly with the number of skin test positivity(r=0.32, P=0.02) or methacholine $PC_{20}$(r=-0.38, P<0.01) in asthma group, but not in the allergic rhinitis group(r=0.42, P=0.09; r=-0.06, P=0.83). Conclusion : In asthma patients, some pathogenetic mechanisms associated with atopy and BHR seem to influence ENO concentration. In allergic rhinitis patients, some factors other than BHR may be important in determining ENO concentration.
The $La_{1-x}(Ca\;or\;Sr)xCrO_3$(x=0 and 0.25) interconnect materials for high temperature electrolysis of steam were investigated in views of sinterability and electrical conductivity. $LaCrO_3$, $La_{0.75}Ca_{0.25}CrO_3$ (LCC), and $La_{0.75}Sr_{0.25}CrO_3$ (LSC) powders were synthesized by coprecipitation method. Crystal structure was confirmed by X-ray diffraction (XRD). The sintering characteristics were analyzed by relative density and scanning electron microscopy. The electrical conductivity was measured by a DC four probe method. From the analyses of relative densities, it was found that the doped $LaCrO_3$ showed better sinterability than $LaCrO_3$ and the those sinterability increased with decrease of those particle sizes. The XRD results at different sintering temperatures for LCC and LSC revealed that the sinterability is closely related to the second phase transformation, that is, the second phase melting above $1,300^{\circ}C$ for LCC and $1,400^{\circ}C$ for LSC significantly promotes the sinterability. In case of electrical conductivities of LCC and LSC, which had a similar relative density, LCC showed better electrical conductivity than LSC.
We prepared TMR junctions of NiFe(170 )/CoFe(48 )/Al(13 )-O/CoFe(500 )/Ta(50 ) structure on 2.5$\times$2.5 $\textrm{cm}^2$ area Si/SiO$_2$ substrates in order to investigate the uniformity of magnetoresistance(MR) value using a ICP magnetron sputter. Each layer was deposited by the ICP magnetron sputter and tunnel barrier was formed by the plasma oxidation method. We measured MR ratio and resistance of TMR devices with four-terminal probe system by applying external magnetic field. Although we used ICP sputter which is known as superior to make uniform films, the standard variation of MR ratio was 2.72. The variation was not dependent on the TMR devices location of a substrate. We found that MR ratio and spin-flip field (H's) increased as the resistance increased, which may be caused by local interface irregularity of the insulating layer. The variation of resistance value was 64.19 and MR ratio was 2.72, respectively. Our results imply that to improve the insulating layer fabrication process including annealing process to lessen interface modulation in order to mass produce the TMR devices.
Kim, Joon-Han;Yoon, Hyung-Koo;Choi, Yong-Kyu;Lee, Jong-Sub
Journal of the Korean Geotechnical Society
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v.25
no.2
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pp.45-54
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2009
The electrical characteristics of soils have been used for investigating soil properties. The purpose of this study is the development and application of the electrical resistivity cone probe (ERCP) for the evelation of the porosity in the field with high precision. The shape of the probe tip is a cone shape to minimize the disturbance during penetration. In addition, the four terminal pair configuration is adopted to minimize the electrical interference. The electrical resistances are continuously measured during penetration of the ERCP using penetration rigs with 0.33 mm/sec penetration rate at Incheon and Busan sites. With the measured resistance profile and electrical resisivity of electrolyte of undisturbed samples, soil porosity profiles are obtained by using Archie's law. The empirical coefficients for the Archie's law are obtained based on the electrolyte extracted from the undisturbed samples. The estimated porosity profiles show similar trends to those of in-situ penetration tests such as SPT, CPT, and DMT. This study suggests that the ERCP may be an effective tool for the porosity estimation in the field with minimum disturbance.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.19
no.7
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pp.771-777
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2008
In this paper, a frequency doubler using modified time-delay technique is proposed. A voltage controlled delay line (VCDL) in the proposed frequency doubler compensates the group delay time mismatching between input and delayed signal. With the group delay time matching and waveform shaping using the adjustable Schmitt triggers, the unwanted fundamental component($f_0$) and the higher order harmonics such as third and fourth are diminished excellently. In result, only the doubled frequency component($2f_0$) appears dominantly at the output port. The frequency doubler is designed at 1.15 GHz of $f_0$ and fabricated with TSMC $0.18\;{\mu}m$ CMOS process. The measured output power at $2f_0$ is 2.67 dBm when the input power is 0 dBm. The obtained suppression ratio of $f_0,\;3f_0$, and $4f_0$ to $2f_0$ are 43.65, 38.65 and 35.59 dB, respectively.
An, Hyeong-U;Jeong, Du-Seok;Lee, Su-Yeon;An, Myeong-Gi;Kim, Su-Dong;Sin, Sang-Yeol;Kim, Dong-Hwan;Jeong, Byeong-Gi
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2012.05a
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pp.78.2-78.2
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2012
최근 PRAM의 집적도 향상 및 3차원 적층에 의한 메모리 용량 향상을 위해 셀 선택 스위치로서 박막형 Ovonic Threshold Switching (OTS) 소자를 적용한 Cross bar 구조의 PRAM이 제안된 바 있다. OTS 소자는 비정질 칼코지나이드를 핵심층으로 하는 2단자 소자로서 고저항의 Off 상태에 특정 값 (문턱스위칭 전압) 이상의 전압을 가해주면 저저항의 On 상태로 바뀌고 다시 특정 값 (유지전압) 이하로 전압을 감소시킴에 따라 고저항의 Off 상태로 복원하는 특성을 갖는다. 셀 선택용 스위치로 적용되기 위해서는 핵심적으로 On-Off 상태간의 가역적인 변화 중에도 재료가 비정질 구조를 안정하게 유지해야 하며 전기적으로는 Off 상탱의 저항이 크고 또한 전류값의 점멸비가 커야 한다. GeSe는 이원계 재료로서 단수한 구성에도 불구하고 OTS 소자가 갖추어야할 기본적인 특성을 가지는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 GeSe로 구성된 OTS 재료에 경원소인 질소를 첨가하여 비정질 상태의 안정성과 소자특성의 개선 효과를 조사하였다. RF-puttering 시 Ar과 $N_2$의 혼합 Gas를 사용하여 조성이 $Ge_{62}Se_{38}$ ($N_2$ : 3%)인 박막을 제작하여 DSC를 통해 결정화온도(Tx)를 확인하였고, $N_2$ gas의 함유량이 각각 1 %, 2 %, 3 %인 $Ge_{62}Se_{38}$인 박막을 전극의 접촉 부 면적이 $10{\times}10\;{\mu}m^2$인 cross-bar 구조의 소자로 제작하여 Threshold switching voltage ($V_{th}$), Delay time ($t_d$), $I_{on}/I_{off}$ 그리고 Endurance 특성을 평가하였다. DSC 분석 결과 $N_2$ 가 3 % 첨가된 GeSe 박막은 Tx가 $371^{\circ}C$에서 $399^{\circ}C$로 증가되었다. $N_2$가 1% 첨가된 GeSe 소자를 측정한 결과 $V_{th}$의 변화 없는 가운데 $I_{on}/I_{off}$이 약 $2{\times}10^3$에서 $5{\times}10^4$로 향상되었다. Endurance 특성 역시 $10^4$에서 $10^5$번으로 향상되었다. $t_d$의 경우 비정질 상태의 저항 증가로 인해 약 50% 증가되었다. 이러한 $N_2$의 첨가로 인한 비정질 GeSe 박막의 변화 원인에 대한 분석 결과를 소개할 예정이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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