• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.476-477
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• 2013

반도체의 성능은 최근 10년 사이에 급격하게 발전했고 아날로그 및 디지털 회로 소자들에 있어 저전력/고속 특성 요구가 커지고 있다 [1]. 상온에서 30,000 $cm^2$/Vs 이상의 전자 이동도를 가지며 큰 conduction band offset을 갖는 InAs/AlSb 2차원전자가스(2DEG) 소자는 Spinorbit-interaction의 값이 매우 커서 SPIN-FET 소자로 크게 주목받고 있다 [2]. 본 발표자들은 GaAs 기판위에 성장한 InAs 2DEG HEMT 소자의 전/자기적인 특성과 고속반응 물질로 주목 받는 InSb 박막소자의 doping 특성에 따른 전기적/물리적인 특성의 평가에 대해 그 결과를 소개하고자 한다. 격자정합과 Semi-insulating 기판의 부재로 상용화되어 있는 GaAs와 InP 기판위에 물질차이에 따른 고유의 한계 특성을 줄이기 위한 Pseudomorphic이라 불리는 특별한 박막 성장 기법을 적용하여 높은 전자 이동도를 가지며 spin length가 길어 Spin-FET로서 크게 주목받고 있는 InAs 2DEG HEMT 소자를 완성시켰다. 60,000 ($cm^2$/Vs) 이상의 높은 전자 이동도를 갖는 소자의 구현을 목표로 연구를 진행하였으며 1.8 K에서 측정된 Spin-orbit interaction의 값은 6.3e-12 (eVm)이다. InAs/InGaAs/InAlAs 및 InGaAs/InAlAs 구조의 InP 기반의 소자에서 보다 큰 값으로 향후 Spin-FET 응용에 크게 기대하고 있다. 또한, GaAs 기판위에 구현된 InSb 소자는 격자부정합 감소를 위해 InAs 양자점을 사용하여 약 $2.6{\mu}m$ 두께로 구현된 InSb 박막 소자는 상온에서 약 60,400 ($cm^2$/Vs)의 상온 전자이동도를 보였으며 현재 동일 두께에서 세계 최고결과(~50,000 $cm^2$/Vs)에 비해 월등하게 높은 값을 보이고 있다. Hall bar pattern 공정을 거쳐 완성된 소자는 측정 결과 10~20% 이상 향상된 전자 이동도를 보였다. 2e18/$cm^3$ 미만의 p-doping의 경우, 상온에서 n-type 특성을 보이나, 저온에서 p-type으로 변하는 특성을 보였고 n-doping의 경우 5e17/$cm^3$까지는 전자 이동도만 감소하고, doping에 의한 효과는 크게 없었다. 1e18/$cm^3$의 높은 doping을 할 경우 carrier가 증가하는 것을 확인했다. 이상의 측정 결과로 Spin-FET 소자로서 아주 우수하다는 것을 확인할 수 있었고 n-/p- type이 특성을 고려한 high quality InSb 박막소자의 응용을 위한 중요한 정보를 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.1
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• pp.72-78
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• 1998

Polarization mode converters have been produced by utilizing Ti:LiNbO$_{3}$ channel waveguide and strain-optic effect. Shear strain for periodic perturbations of optical channel waveguides and phase matching can be obtained by an evaporated periodic SiO$_{2}$ thin film at 300.deg. C. The electrodes located on the either side of waveguide provide a means to electro-optically tune the wavelength for maximum polarization conversion via the electrooptic effect. The maximum conversion effeciency was observed at 21.deg. C for V=0 and 46.deg. C for V=30V aro the device having 7 .mu.m waveguide wiith and 350 periodic pads. The dependence of the number of pads on conversion efficiency was observed experimentally.fficiency was observed experimentally.

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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• 1994.10a
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• pp.265-270
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• 1994

본 연구에서는 케비테이션 터널에서의 경사진 원형실린더의 유동유기진동시험을 통하여 경사각에 따른 유동유기진동 특성규명과 아울러 유체력 계수들의 실험적 산정을 시도하였으며 도출된 주요한 결론은 다음과 같다. 경사각이 20.deg. 이상되면 마찰저항력에 비해 수직항력이 지배적이 되며, 이때 수직항력계수는 여러 관찰자에 의해 관측된 범위의 값(1.7-2.0)을 갖는다. 또한, 양력계수 $C_{L,rms}$은 유속범위 4$_{n}$D<8의 범위에서 lock-in 현상에 의해 큰 값을 갖게 되며, 경사각이 커질수록 큰 값을 갖는다. 경사각이 30.deg.인 경우 최대값은 약 0.9, 20.deg.인 경우 0.4로 계측되었다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.6 no.1
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• pp.62-69
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• 1995

레이저 다이오드 구동 전류펄스기간의 발진주파수 변조와 간섭계 출력신호의 시간지연 샘플링을 이용하여 3x3 coupler등과 같은 특수 광부품을 사용하지 않고도 1개씩의 광원과 광검출기를 이용하여 측정신호의 변화방향과 함께 half fringe의 수를 count할 수 있으며 광연결선 주변환경의 변화에 의한 세기변화 에러도 피할 수 있는 간섭형 센서를 위한 새로운 신호처리방식을 제안하고 이 방식을 거울내장형 FP간섭계를 이용한 온도센서에 적용하였다. 온도센서소자로 cavity length가 1cm인 FP간섭계를 이용하여 실온에서 360.deg.C에 걸쳐 분해능 2.7.deg.C로 측정하였으며 이때 최대측정속도는 $ 1.378*10^{5}$.deg.C/sec로 계산되었다. 이 방식에서 분해능과 최대측정속도는 반비례 관계를 가지며 감지 광섬유의 길이에 비례하여 분해능을 높일 수 있다. 또한 6개까지의 센서소자를 한개의 광원과 광검출기로 모니터하는 다중화 센싱 또한 가능한 신호처리 방식으로써 불평형 간섭계를 이용한 모든 종류의 센서에 대해 적용이 가능하다.

• 전기의세계
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• v.30 no.4
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• pp.227-230
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• 1981

The variation of sheet resistance and the reduction of masking oxide thickness with the flow rate of nitrogen gas has been measured in Boron predeposition process with Planar Diffusion source, BN-975. At 900.deg. C, the sheet resistance varied as much as 75% when the nitrogen flow rate was changed from 0.4 liters/min to 2.0 liters/min. At 975.deg. C, however, only 12% of sheet resistance variation was observed under the same flow rate change. The reduction of masking oxide thickness at 975.deg. C for a 5 min predeposition was 600 nm when the nitrogen flow rate was 0.4 liters/min. When the flow rate incresased to 1.9 liters/min, however, only 100nm of masking oxide was consumed in a similar predeposition process.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.4
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• pp.354-360
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• 1991

PVDF는 현재까지 출현된 고분자 재료중 가장 좋은 가능성을 가진 고분자 재료이다. 시료에 일정시간 전압을 인가한 후 전압을 제거하고 시료양면을 단락하였을때 흐르는 단락전류는 일반적으로 인가 전아브이 극성과 반대 방향으로 감소한다. 본 연구에서는 PVDF의 단락전류가 짧은 시간동안 감소하다가 증가한 후 다시 감소하는 특이한 ABNORMAL SHORT CURREUT(Isa)를 규명하기 위하여 인가전압, 시료온도 및 고체 구조를 변화시키면서 단락 전류를 관측하고 PVDF의 열자격 전류특성을 분석하였다. PVDF의 단락전류 특성은 150.deg.C에서는 특이한 단락전류가 흐르지만 150.deg.C이하의 온도에서는 특이한 단락전류가 흐르지 않는다. 이들 실험결과로 부터 특이한 단락 전류 Isa는 시료의 온도가 150.deg.C에서만 나타나고 전계 세기나 결정 구조에는 관계가 없음을 알았다. 그리고 Isa는 쌍극자의 재배향으로 흐르는 정상적인 단락전류 성분과 가동이온이 확산 혹은 드리후트에 의한 단락전류 성분이 중첩되어 관측된다는 모델을 제시할 수 있다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C
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• v.34C no.12
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• pp.37-42
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• 1997

A new temperature and supply-insensitive CMOS current reference circuit was designed and tested. Te temperature insensuitivity was achieved by eliminating the mobility dependence term through the multiplication of two current components, one which is proportional to mobility and the other which is inversely proportional to mobility, by using a newly designed CMOS square root circuit. The CMOS sqare root circuit was derived from its bipolar counterpart by operating the MOS transistors in the subthreshold region. The supply insensitivity was achieved by using an internal voltage generator. Te test chip was designed ans sent out for fabrication by using a 2.mu.m double-poly double-metal n-well CMOS technology. When an external voltage source was used for the square root circuit, the maximum variation and the average temperature sensitivity were measured to be 3% and 21.4ppm/.deg.C, respectively, for the temperature range of -15~130.deg.C. The maximum current variation with supply voltage was measured to be 3% within the commerical supply voltage range of 4.5~5.5V at 30.deg. C.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.3
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• pp.233-240
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• 1993

더블히트파이프장치를 이용하여 순수 Ar, Hg 및 Ar-Hg 혼합증기의 전자이동속도를 온도는 순수 Ar의 경우 293[.deg.K], Hg의 경우 453-540[.deg.K]. Ar-Hg 혼합증기의 경우 320[.deg.K], E/N은 0.4~10[Td], 기체압력은 10~100[Torr]범위에서 유도전류법에 의해 측정하였다. 한편 볼츠만 방정식의 Backward Prolongation계산법으로 전자에너지분포함수를 구하고 그 값으로부터 전자수송특성을 산출하여 실험치와 비교하고 탄성 및 비탄성 충돌 단면적을 결정하였다. 그리고 Ar기체에 Hg증기를 0.5%, 1%, 5%, 10% 혼합하였을 때의 전자에너지분포함수와 전자이동속도를 산출하고 그에 미치는 영향을 고찰하였다.

• The Pure and Applied Mathematics
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• v.26 no.3
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• pp.177-188
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• 2019

Suppose G is a molecular graph with edge set E(G). The hyper-Zagreb index of G is defined as $HM(G)={\sum}_{uv{\in}E(G)}[deg_G(u)+deg_G(v)]^2$, where $deg_G(u)$ is the degree of a vertex u in G. In this paper, all chemical trees of order $n{\geq}12$ with the first twenty smallest hyper-Zagreb index are characterized.

• Journal of Microbiology
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• v.35 no.2
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• pp.103-108
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• 1997

To improve the detection of methicillin resistant staphylococci, lowered incubation temperature (30.deg.) and inclusion of sodium chloride in media have been empirically recommended. However, in this study, we found that sodium chloride in Peptone-Yeast Extract-K$\_$2/HPO$\_$4/ (PYK) medium decreased methicillin minimum inhibitory concentrations. Divalent cations were shown to restore the expression of staphylococcal methicillin resistance. However, when it was determined by efficiency of plating, sodium chloride increased methicillin resistance expression on agar medium in which higher divalent cations were contained in the agar medium. The decrease of minimum inhibitory concentrations at 30.deg.C by sodium chloride occurred in Brain Heart Infusion but did not occur in other media investigated. Interestingly, both PYK and Brain Heart Infusion media had peptone, which contain cholic acids having detergent activities. Inclusion of sodium chloride in PYK caused a higher rate of autolysis. Penicillin binding protein 2a that has a low affinity to beta-lactam antibiotics, was highly inducible in methicillin resistant Staphylococcus epidermidis strains. In this study, we found that autolysins that are activated by the sodium chloride decreased the minimum inhibitory concentration at 30.deg.C, and peptidoglycan is weakened due to the presence of methicillin. Peptone in the media may aggravate the fragile cells. However, stabilization due to the presence of divalent cations and production of penicilin binding protein 2a increase the survival of staphylococci.