• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.2
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• pp.181-188
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• 1995

3차 비선형광학 재료를 설계하기 위해 단성분 산화물에서의 산소의 평균 전자분극률과 광학 염기도를 굴절율, 에너지 갭의 각기 다른 물성을 통해 산출하였다. Lorentz-Lornez식과 Duffy 의 반실험식을 도입하여 산소의 평균 전자분극율과 광학 염기도를 두가지 다른 물성으로부터 계산하여 비교하였다. 처음으로 독립적인 초기값에서 계산한 각각의 산소의 평균 전자분극률과 광학 염기도 사이에 좋은 상응관계가 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2001.11a
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• pp.243-244
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• 2001

오존(O$_3$)은 성층권에서 태양광의 직접 지구 입사를 감소시키는 반면, 일반 대기 환경에서는 강력한 산화성과 더불어 최근 NOx, VOCs와의 연계성이 점차 밝혀지면서 최근 대기질 환경에 주요관심사가 되고 있다. 또한 지난 2000년 12개 도시에 52회의 0.3ppm이상의 고농도 오존 경보 발령으로 관리에 초점이 맞춰지고 있으나, 대기환경 중에서 자외선 등에 의한 2차 생성물질인 오존은 강력한 산화성으로 인해 표준물질이 없어 정확한 측정 및 관리에 어려움을 겪고 있다. (중략)

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.18 no.3
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• pp.95-101
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• 2015

In this article, we report the fabrication of Li-rich oxide nanoparticles for Li-ion batteries. Li-rich oxides are promising cathode materials because their capacity is much higher than commercial cathode materials. However, they have several disadvantages such as low rate capability due to their low ionic and electronic conductivity. This study focuses on the fabrication of nanoparticles to enhance the rate capability of Li-rich oxide. Two types of surfactants were introduced to disperse the particles and form the nano-sized particles. The Li-rich oxide nanoparticles showed improved rate capability than pristine sample.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2003.05b
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• pp.139-140
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• 2003

광화학 스모그를 야기하는 오존은 질소산화물과 VOC에 의한 다단계 광화학반응에 의하여 생성된다. 1990년대 초부터 자동차 보급률이 높아지면서, 수도권 지역을 중심으로 고농도 오존 현상이 관찰되었으며 최근에는 지방 주요 도시로 확산되고 있다. 오존은 광화학반응에 의해서 생성되는 제2차 대기오염물질이면서도 반응성이 높아서 다른 화학종의 산화에 지대한 영향을 미치며 일단 생성된 후에도 쉽게 파괴될 수 있다는 점에서 황산화물과 질소산화물과 같은 제2차 대기오염물질과 구별된다. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.345-345
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• 2014

최근 디스플레이 기술은 급속도로 발전해 가고 있다. 정보화 기술의 발전으로 언제 어디서나 쉽게 정보를 얻을 수 있는 유비쿼터스 시대로 접근하고 있으며, 휴대가 간편하고 이동성을 가진 휴대용 기기가 인기를 끌고 있다. 이에 따라 더 얇고 더 가벼우며 휴대하기 쉬운 디스플레이가 요구 되고 있고, 더 나아가 떨어뜨려도 깨지지 않고 유연하며, 디자인 변형이 자유로우며, 때론 종이처럼 접거나 휘어지거나 두루마리처럼 말을 수 있는 이른바 "플렉서블 디스플레이"에 대한 필요성이 점점 대두되고 있다. 이러한 첨단 디스플레이의 핵심 소자 중 하나는 산화물 박막 트랜지스터 이다. 산화물 반도체는 넓은 밴드갭을 가지고 가시광선 영역에서 투명하며, 높은 이동도를 가지고 있어 차세대 평판디스플레이, 투명디스플레이 및 플렉서블 디스플레이용 박막트랜지스터(TFT)를 위한 채널층으로써 광범위하게 연구되고 있다. 하지만 현재 대부분의 산화물 박막 트랜지스터 제조 공정은 고온에서의 열처리를 필요로 한다. 고온에서의 열처리 공정은 산화물 박막의 제조 공정 단가를 증가시키는 문제점이 있으며, 산화물 박막이 형성되는 기판의 녹는점이 낮은 경우에는 상기 기판의 변형을 가져오므로(예를 들면, 플라스틱 기판, 섬유 기재 등), 상기 산화물 박막이 적용되는 기판의 종류에 제한이 생기는 문제점이 있었다. 이에 플렉시블 디스플레이 등을 위해서는 저온공정이 필수로 선행 되어야 한다. 산화물 TFT는 당초, ZnO계의 재료가 연구되었지만 2004년 말에 Hosono 그룹이 Nature지에 "IGZO (In, Ga, Zn, O)"을 사용한 TFT를 보고한 이후 IGZO, IZO, ISZO, IYZO, HIZO와 같은 투명 산화물반도체가 TFT의 채널물질로써 많이 거론되고 있다. 그 중에서 인듐갈륨 산화물(IGO)는 삼성분계 n-형 산화물 반도체이고, 채널 이동성이 좋고 광투과도가 우수해 투명 TFT에 매우 유용하게 사용할 수 있다. 이 실험에서 우리는 인듐갈륨 산화물 박막 및 트랜지스터 특성 연구를 진행하였다. 인듐갈륨 산화물 박막은 상온에서 rf-magnetron sputtering법을 사용하여 산소분압 1~10%에서 증착 되었다. 증착된 인듐갈륨 산화물 박막은 cubic $In_2O_3$ 다결정으로 나타났으며, 2차상은 관찰 되지 않았다. 산소분압이 10%에서 1%로 변함에 따라 박막의 전도도는 $2.65{\times}10^{-6}S/cm$에서 5.38S/cm 범위에서 조절되었으며, 이를 바탕으로 인듐갈륨 박막을 active층으로 사용하는 bottom gate 구조의 박막트랜지스터를 제작 하였다. 인듐갈륨산화물 박막트랜지스터는 산소분압 10%에서 on/off 비 ${\sim}10^8$, field-effect mobility $24cm^2/V{\cdot}S$를 나타내며 상온에서 플렉서블용 고 이동도 소자 제작의 가능성을 보여준다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.33 no.3
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• pp.309-314
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• 1989

A kinetic study was carried out for the redox reaction of cis-$[Co(en)_2(N_3)_2]^+$ with Fe(II) in acidic solution by spectrophotometric methods. This redox reaction system have been found to show a third order for overall reaction as the respective first order with respect to reactant cis-$[Co(en)_2(N_3)_2]^+$, Fe(II), and $H^+$ catalyst. The activation parameters, ${\Delta}H^{\neq}$ and ${\Delta}S^{\neq}$, were obtained as 14.2Kcal/mol and -16.7 e.u., respectively. On the basis of the kinetic data, we suggest that the redox reaction system proceeds via inner sphere mechanism. The rate equation derived from the proposed mechanism is in agreement with the observed rate equation.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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• v.37 no.2
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• pp.151.2-151.2
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• 2012

터보펌프 구동에 사용된 가스발생기 생성가스를 연소기로 공급하여 주추력 발생에 사용하는 다단연소 사이클 로켓엔진은 고추력을 요하는 우주 발사체에 널리 사용되고 있다. 다단연소 사이클 로켓엔진에 사용되는 가스발생기를 예연소기라 부르며 케로신과 액체산소를 추진제로 하는 다단연소 사이클 로켓엔진에는 산화제 과잉 예연소기가 사용된다. 예연소기는 터보펌프 구동을 목적으로 하기 때문에 예연소기 생성가스의 횡단면 온도분포는 터빈에 의해 제한되는 온도범위 내에서 균일하여야 하며 넓은 운전영역에서 안정적인 연소가 이루어져야 한다. 산화제 과잉 예연소기는 모든 추진제가 혼합헤드를 통해 분사되는 방식과 추진제를 혼합헤드와 연소실로 나누어 공급하는 방식이 있다. 기술검증을 위해 산화제 일부와 연료를 혼합헤드를 통해 연소실에 공급하여 1차 연소시키고 나머지 산화제를 연소실 냉각채널을 거쳐 연소실 중앙의 분사공을 통해 연소실로 주입하여 기화시키는 형태로 최종적으로 연소압 20MPa, 혼합비 60에서 작동하는 산화제 과잉 예연소기를 설계하여 연소시험을 수행하였다. 혼합헤드에는 별도의 점화용 분사기 없이 전체 연료 분사기를 통해 점화용 연료인 TEA/TEB 혼합물을 분사하여 점화하였다. 추진제를 2단으로 공급할 수 있도록 고안된 가압식 연소시험 설비에서 10회, 누적 60초 이상의 연소시험이 성공적으로 수행되었다. 연소시험결과 넓은 작동영역에서 안정적 연소특성과 생성가스 온도 분포의 균일성을 확인할 수 있었다. 고온 고압의 산화제 과잉 예연소기 기술 확보를 통해 케로신/액체산소 다단연소 사이클 로켓엔진 개발을 위한 기술적 기반을 마련하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.258-258
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• 2016

최근 디스플레이 산업의 발전에 따라 고성능 디스플레이가 요구되며, 디스플레이의 백플레인 (backplane) TFT (thin film transistor) 구동속도를 증가시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 트랜지스터의 구동속도를 증가시키기 위해 높은 이동도는 중요한 요소 중 하나이다. 그러나, 기존 백플레인 TFT에 주로 사용된 amorphous silicon (a-Si)은 대면적화가 용이하며 가격이 저렴하지만, 이동도가 낮다는 (< $1cm2/V{\cdot}s$) 단점이 있다. 따라서 전기적 특성이 우수한 산화물 반도체가 기존의 a-Si의 대체 물질로써 각광받고 있다. 산화물 반도체는 비정질 상태임에도 불구하고 a-Si에 비해 이동도 (> $10cm2/V{\cdot}s$)가 높고, 가시광 영역에서 투명하며 저온에서 공정이 가능하다는 장점이 있다. 하지만, 차세대 디스플레이 백플레인에서는 더 높은 이동도 (> $30cm2/V{\cdot}s$)를 가지는 TFT가 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 차세대 디스플레이에서 요구되는 높은 이동도를 갖는 TFT를 제작하기 위하여, amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) 채널하부에 화학적으로 안정하고 전도성이 뛰어난 SnO2 채널을 얇게 형성하여 TFT를 제작하였다. 표준 RCA 세정을 통하여 p-type Si 기판을 세정한 후, 열산화 공정을 거쳐서 두께 100 nm의 SiO2 게이트 절연막을 형성하였다. 본 연구에서 제안된 적층된 채널을 형성하기 위하여 5 nm 두계의 SnO2 층을 RF 스퍼터를 이용하여 증착하였으며, 순차적으로 a-IGZO 층을 65 nm의 두께로 증착하였다. 그 후, 소스/드레인 영역은 e-beam evaporator를 이용하여 Ti와 Al을 각각 5 nm와 120 nm의 두께로 증착하였다. 후속 열처리는 퍼니스로 N2 분위기에서 $600^{\circ}C$의 온도로 30 분 동안 실시하였다. 제작된 소자에 대하여 TFT의 전달 및 출력 특성을 비교한 결과, SnO2 층을 형성한 TFT에서 더 뛰어난 전달 및 출력 특성을 나타내었으며 이동도는 $8.7cm2/V{\cdot}s$에서 $70cm2/V{\cdot}s$로 크게 향상되는 것을 확인하였다. 결과적으로, 채널층 하부에 SnO2 층을 형성하는 방법은 추후 높은 이동도를 요구하는 디스플레이 백플레인 TFT 제작에 적용이 가능할 것으로 기대된다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.21 no.6
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• pp.610-615
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• 2010

In this study ozonation of bis(2-chloroethyl) ether (BCEE) in aqueous solution was performed in a laboratory scale batch reacter. The ozonation process of BCEE was carried out by bubbling ozone at the bottom of reactor containing the BCEE solution. Ozonation was almost complete after 80 min with an ozone concentration of $50{\pm}10mg/L$. Ozonation treatment efficiencies of BCEE were evaluated in terms of $BOD_5$, $COD_{Cr}$, and TOC. In the ozonation of BCEE a 62.79% decrease of the $COD_{Cr}$ and a 57.25% decrease of the TOC lead to biodegradable by-products ($BOD_5/COD_{Cr}$ = 0.39). The results of this research show that wastewaters containing non-biodegradable compounds, such as BCEE can be successfully treated by ozonation followed by bio-treatment. The pseudo first-order rate constants of the ozonation was $2.00{\times}10^{-4}sec^{-1}$ and the activation energy was $10.02kcal{\cdot}mol^{-1}$ at $30^{\circ}C$.

• Clean Technology
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• v.20 no.3
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• pp.256-262
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• 2014

Catalytic oxidation characteristics of benzene as a VOC was investigated in a fixed bed flow reactor using $Cu/{\gamma}-Al_2O_3$ catalyst. The parametric tests were conducted at the reaction temperature range of $200{\sim}500^{\circ}C$, benzene concentration of 400~650 ppm, gas flow rate of 50~100 cc/min, and space velocity range of $7,500{\sim}22,500hr^{-1}$. The property analyses by using the BET, SEM, TGA and the conversion of catalytic oxidation of benzene were examined. The experimental results showed that the conversion was increased with decreasing benzene concentration, gas flow rate and space velocity. Benzene oxidation reaction over $Cu/{\gamma}-Al_2O_3$ catalyst could be expressed as the first order homogeneous reaction of which the activation energy was 17.2 kcal/mol and frequency factor was $1.33{\times}10^6sec^{-1}$.