• 한국태양에너지학회 논문집
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• 제28권5호
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• pp.1-7
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• 2008

Flashed steam system is one of the important geothermal power production methods. In this paper, optimum operations and performances of single and double flash systems are presented. It is shown that double flash system can produce about 26.5% more power than single flash system. Temperature of geothermal water($T_R$) is the most important parameter in the geothermal system. Optimum single and double flash temperatures and net power produced with these optimum conditions are expressed as a function of $T_R$ in this study. Thus net power output from geothermal resources can be estimated with the results of this work. Condenser Temperature($T_{con}$) is also important and the net power production can be shown as a function of ($T_R-T_{con}$. Volume flow rate per unit power is also to be considered as the condenser temperature decreases.

• 정보보호학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.453-460
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• 2014

오류주입공격(Fault Injection Attack)은 하드웨어적 또는 소프트웨어적으로 구현된 암호칩에 인위적으로 오류를 주입 또는 발생시켜 암호 알고리즘 동작/수행을 방해함으로써 칩에 내장된 정보를 찾아내는 공격으로, 이 중 레이저를 이용한 오류주입공격은 특히 성공적인 것으로 입증된 바 있다. 본 논문에서는 기존의 플래쉬 펌프 방식의 레이저와 광섬유 레이저 모델을 병렬 결합한 이중모드 레이저 방식으로 개선된 레이저 프루빙 시스템을 제안하였다. 제안된 방법은 에너지 출력은 높으나 주파수 반복률이 낮아 오류주입공격 실험에 적합하지 않은 기존의 플래쉬 펌프 방식 레이저를 레이저 절단용으로 활용하고, 추가로 별도의 오류주입을 위한 고주파 반복률을 갖는 레이저를 단순 병렬 결합시키는 방법이다. 오류주입을 위해 결합된 제 2의 신규 레이저는 반도체 레이저와 광섬유 레이저를 선택하여 두 가지 시스템을 설계하였으며, 이에 따른 장 단점을 비교분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.273-278
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• 2012

본 연구에서는 임베디드 시스템에서 많이 사용되는 대용량 플래쉬 메모리 모듈 중 멀티미디어카드 (MMC; Multi-Media Card)와 마이크로프로세서간 데이터를 송수신 할 수 있는 SPI (serial peripheral interface) 버스 인터페이스를 설계하였다. 제안하는 구조는 AMBA 버스구조의 APB 저전력 버스에 호환되도록 설계하였다. 임베디드 시스템에 OS를 탑재하게 되면 여러 가지 주변기기들을 제어하기는 쉬워지지만 하드웨어와 소프트웨어의 덩치가 커져 결국 시스템 성능에 부담스런 영향을 미치게 된다. 본 논문에서는 OS를 사용하지 않는 임베디드 시스템에 멀티미디어카드를 인터페이스하기 위하여 SPI 통신 개념을 도입하였고, FPGA로 구현하였다. 설계한 SPI 모듈은 Altera QuartusII 툴을 사용하여 자동 합성하여 P&R을 수행하였다. 결과물은 Altera CycloneII FPGA로 구현하였으며 타겟으로 정한 25MHz에서 충분히 동작 가능하다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.493-497
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• 2005

본 논문은 무선의 임베디드 시스템 환경에서, VoIP 시스템을 구성하는 프로토콜 요소 중의 하나인 SIP를 이용한 User Agent의 구현에 관한 연구이다. User Agent는 설정 블록과, 주변 장치를 제어하기 위한 디바이스 쓰래드 블록, SIP 메시지를 처리하기 위한 SIP 스택 블록으로 구성하였다. 디바이스 쓰래드는 RTP 쓰래드 블록과 사운드 카드 처리 블록으로 구성하였으며, SIP 스택은 프락시 이벤트를 처리하는 워커 쓰래드 블록과 SIP 메시지를 전송하여 처리하는 SIP 트랜시버 및 SIP 쓰래드 블록으로 구성하였다. 하드웨어 플랫폼은 Intel XScale PXA25S 프로세서 기반에 플래쉬 메모리, SDRAM, AC'97 오디오 코덱, 무선 랜카드와 연결된 PCMCIA 소켓이 내장된 보드를 구성하였으며, 오디오 입출력으로 마이크로폰과 헤드폰을 사용하였다. 본 연구의 실험을 위한 타겟 시스템 구성은 임베디드 리눅스 커널 2.4.19를 포팅하였다. 임베디드 시스템의 자원 효율을 높이고자, User Agent의 속성과 SIP 메소드의 기능을 최소화하였고, TCP를 배제하여, 주변 장치 제어를 최소화함으로써, 자원의 소비를 $12.9\%$ 절감할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.301-301
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• 2011

최근 고밀도 메모리 반도체의 재료와 빠른 응답을 요구하는 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제작에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그에 따른 기존의 플래쉬 메모리가 가지는 문제점을 개선하기 위해서 균일하고 규칙적으로 분포하는 새로운 나노소재의 개발과 비휘발성, 고속 동작, 고집적도, 저전력 소자의 공정기술이 요구되고 있다. 또한 부유게이트에 축적되는 저장되는 전하량을 증가시키기 위한 새로운 소자구조 개발이 필요하다. 한편, 실리 사이드 계열의 나노입자는 금속 나노입자와 달리 현 실리콘 기반의 반도체 공정에서 장점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 화합물 중에서 비휘발성 메모리 장치의 전기적 특성을 향상 시킬 수 있는 실리사이드 계열의 바나듐 실리사이드(V3Si) 박막을 열처리 과정을 통하여 수 nm 크기의 나노입자로 제작하였다. 소자의 제작은 p-Si기판에 실리콘산화막 터널층(5 nm 두께)을 건식 산화법으로 성장 후, 바나듐 실리사이드 금속박막을 RF 마그네트론 스퍼터 시스템을 이용하여 4~6 nm 두께로 터널 베리어 위에 증착하고, 그 위에 초고진공 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 SiO2 컨트롤 산화막층 (20 nm)을 형성시켰다. 여기서 V3Si 나노입자 형성을 위해 급속 열처리법으로 질소 분위기에서 800$^{\circ}C$로 5초 동안 열처리하여 하였으며, 마지막으로 열 기화 시스템을 통하여 알루미늄 전극(직경 200 ${\mu}m$, 두께 200 nm)을 증착하여 소자를 제작하였다. 제작된 구조는 금속 산화막 반도체구조를 가지는 나노 부유게이트 커패시터이며, 제작된 시편은 투사전자현미경을 이용하여 나노입자의 크기와 균일성을 확인했다. 소자의 전기적인 측정을 E4980A capacitor parameter analyzer와 Agilent 81104A pulse pattern generator system을 이용한 전기용량-전압 측정을 통해 전하저장 효과 및 메모리 동작 특성들을 분석하고, 열처리 조건에 따라 형성되는 V3Si 의 조성을 엑스선 광전자 분광법을 이용하여 확인하였다.