• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.182.2-182.2
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• 2016

Hollow cathode discharge(중공 음극)는 음극 표면에서 발생되는 2차 전자를 이용하여 높은 밀도의 플라즈마를 만들 수 있는 장점이 있다. 전원으로 microwave, RF, DC, pulsed dc등을 사용할 수 있으며 박막의 증착, 식각 등에 응용 가능하다. 물리적 현상으로는 중공 음극 재료 표면 물질의 가열 및 이온 스퍼터링, 2차 전자의 가열, 자기장 인가 구조의 경우 전자 거동이 있다. PIC(particle-in-cell)방식의 모델링과 fluid model을 이용한 방법이 있는데 본 연구에서는 상용 fluid model software인 ESI사의 CFD-ACE+를 사용하여 모델링 하였다. 구동 주파수는 13.56 MHz의 상용 고주파 전원과 보다 낮은 1 MHz, 100 kHz의 수치 모델을 이용하여 HF, MF, LF 영역에서의 동작 특성을 해석하였다. 1차적으로는 가스 유동의 특성을 2D, 3D로 조사하였고 플라즈마 거동은 2차원을 주로 진행하였으며 계산 시간이 오래 거리는 3차원 모델을 하나 만들어 그 특성을 조사하였다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.14 no.1
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• pp.43-47
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• 2001

Plasma polymerized hexamethyldisiloxane thin film was fabricated by employing an inter-electrode capacitively coupled type apparatus under the following conditions : carrier gas flow rate of 11 sccm, reaction pressure of 0.1 torr, discharge frequency of 13.56 MHz and discharge power of 30∼90 W. Polymerization rate of thin film fabricated at the discharge power of 90W is 32.5nm/min. Relative dielectric constant and dielectric loss tangent of thin film shows 3.2∼3.8 and 2.6x10$\^$-3/∼4.51x10$\^$-3/ respectively in the frequency range of 1 kHz∼1 MHz. As the annealing temperature is increased, the relative dielectric constant gradually decreases while the dielectric loss tangent increases. The current density increase gradually with increasing annealing temperature and electric field. The electric conduction of the heaxamethyldisiloxane thin film shows Schottky effect.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• v.17 no.4
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• pp.233-237
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• 2017

In this paper, a dual-band high frequency (HF) and ultra-high frequency (UHF) radio-frequency identification (RFID) tag antenna is presented that operates in the 13.56 MHz band as well as in the 920 MHz band. A spiral coil along the edges of the antenna substrate is designed to handle the HF band, and a novel meander open complementary split ring resonator (MOCSRR) dipole antenna is utilized to generate the UHF band. The dual-band antenna is supported by a single-feeding port for mono-chip RFID applications. The antenna is fabricated using an FR4 substrate to verify theoretical and simulation designs, and it has compact dimensions of $80mm{\times}40mm{\times}0.8mm$. The proposed antenna also has an omnidirectional characteristic with a gain of approximately 1 dBi.

• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.57 no.5
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• pp.816-820
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• 2008

The RF inductive discharge of inductively couples plasma (ICP) continues to attract growing attention as an effective plasma source in many industrial applications, the best known of which are plasma processing and lighting technology. Although most practical ICPs operate at 13.56 [MHz] and 2.65 [MHz], the trend to reduce the operating frequency is clearly recognizable from recent ICP developments. In an electrodeless fluorescent lamp, the use of a lower operating frequency simplifies and reduces cost of RF matching systems and RF generators and can eliminate capacitive coupling between the inductor coil and plasma, which could be a strong factor in wall erosion and plasma contamination. In this study, We discussed simulation and experimental results when changing ferrite position in antenna.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.98-98
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• 2010

대기압 상에서의 방전은 기존의 진공 장비를 요구하던 플라즈마 장비들에 비해 경제적이고 간편해서 물질의 표면 처리 및 바이오 응용 플라즈마 등에서 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 평판형 방전으로 발생되는 플라즈마의 물리적 성질을 확인하기 위해 1차원 Particle-In-Cell (PIC) 시뮬레이션을 이용하였다. PIC 시뮬레이션은 계산시간이 많이 걸리는 단점이 있으나 가정이 거의 없기 때문에 정확한 계산값을 얻을 수 있는 장점이 있다. 주파수를 13.56 MHz에서 100 MHz 까지 변화 시켰고, 입력신호는 정현파와 직류 펄스로 하였다. 정현파에 비해서 펄스형 신호를 인가했을 때 전자, 이온 밀도가 시간에 따라서 급격히 변하는 것이 관찰되었다. 또한 전극 앞에 유전체가 있을 경우, 입력 신호의 변화보다 플라즈마 밀도의 변화가 다소 지연되었다. 이 외에도 여기종 분포, 전자 온도 등의 시공간적 특성을 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.251.2-251.2
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• 2014

현재 의료 및 표면처리 분야에 많이 이용되고 있는 상온 대기압 플라즈마 중에서 유전체 격벽 방전(DBD) 장치는 비교적 간단한 구조를 가지며 sub-millimeters 사이즈에서도 매우 높은 플라즈마 밀도의 발생 및 유지가 가능하다. 그러나, 현재로선 이러한 Micro DBD의 특성을 실험적으로 분석하는 것은 장비의 한계가 있으므로, Particle-In-Cell 시뮬레이션을 이용하여 중요 플라즈마 변수들을 관찰하였다. 여기서 사용된 중요변수로는 13.56 MHz~600 MHz사이의 인가 주파수를 두었으며, 유전체 표면에서 양이온에 대한 이차전자 방출계수를 고려하였다, 또한 중성기체는 헬륨가스와 아르곤가스의 2가지 중성기체인 경우를 살펴보았다. 이러한 시뮬레이션을 통해 인가전압의 주기 대비 Ion transit time의 비율이 달라짐에 따라 플라즈마 쉬스의 특성변화와 함께 전자 에너지 확률함수(EEPF)의 특성이 달라진다는 것을 확인하고, 이러한 전자 가열 양상의 변화 원리에 대해서 분석하였다. 또한 주파수 비율 조정을 통한 전자온도, 파워, 효율 등을 조절하는 방법의 공학적 가치에 대해 의견을 제시하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.528-528
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• 2012

Recently, atmospheric pressure plasmas attract lots of interests for the useful applications such as surface modification and bio-medical treatment. In this study, a particle-in-cell Monte Carlo collision (PIC-MCC) simulation was adopted to investigate the discharge characteristics of a planar micro dielectric barrier discharge (DBD) with a driving frequency from 13.56 MHz to 162.72 MHz and with a gap distance of 80 micrometers. The variation of frequency, in the change in the electron energy probability function (EEPF). Through the relation between the ion trajectories and the frequency, results in the change of EEPFs is achievable with the turning point of frequency mode. Therefore, it is possible to categorize the efficient operation range of DBDs for its applications by controlling the interactions between plasmas and neutral gas for the generation of preferable radicals.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.516-516
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• 2012

약한 자기장 (~20 G)이 인가된 유도 결합 플라즈마 장치는 고효율, 높은 균일도의 플라즈마를 생성할 수 있다. 그러므로 이 장치에 대한 변수 제어뿐만 아니라, 전자 싸이클로트론 공명(Electron cyclotron resonance) 현상에 의한 방전 특성에 대한 연구는 매우 중요하다. 그에 연관된 여러 연구가 있었지만, 대부분의 연구는 평판형 유도 결합 플라즈마에서 진행되었다. 그에 따라서, 본 연구는 솔레노이드 형태의 유도 결합 플라즈마 장치에서 플라즈마 변수에 대한 약한 자기장의 영향을 살펴보았다. 실험에 사용된 인가주파수는 13.56 MHz에서 27.12 MHz였으며, 다양한 압력과 전력에서 실험이 진행되었다. 이러한 솔레노이드 형태의 유도 결합 플라즈마에서의 플라즈마 변수는 국부적인 특성을 보였으며, 평판형 유도 결합 플라즈마와 비교/분석을 진행하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.242-242
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• 2011

현재 반도체 및 디스플레이 장비들이 공정 매개변수 및 플라즈마 변수를 독립적으로 제어하기 위하여 전원 주파수를 다양하게 사용된다. 플라즈마의 상태나 에너지 전달 효율은 반도체 및 디스플레이 공정에 중요한 요소이다. 따라서 플라즈마 발생장치의 전원 주파수를 바꾸었을 때의 플라즈마 밀도와 에너지 전달 효율에 관하여 연구하였다. 공정용 유도 결합 플라즈마(ICP)를 발생시키기 위하여 신호 발생기에서 전력 증폭기와 임피던스 정합회로(Matcher)를 거쳐 반응 용기에서 플라즈마를 발생시켰다. 6 mTorr의 압력에서 주파수는 13.56 MHz에서부터 80 MHz까지, 15~60 W의 전력을 인가하였다. 플라즈마의 에너지 효율을 측정은 제작한 로고스키코일(Rogowski Coil)을 이용하여 시스템 전반을 등가회로로 계산하였으며, 플라즈마 밀도는 반응용기 중앙에서 부유 탐침법을 적용하여 도출하였다. 같은 전력 조건에서 주파수가 증가함에 따라 플라즈마 밀도가 증가함을 볼 수 있었다. 그러나 플라즈마 에너지 효율은 주파수가 높아짐에 따라 점점 커지다 작아지는 경향을 볼 수 있었다. 에너지 전달 효율의 변화는 정합회로의 표피효과(Skin effect)에 기인하며 플라즈마 밀도의 변화는 이온의 에너지 손실에 기인한다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2009.10a
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• pp.1490-1493
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• 2009

In this work we present a new type of line plasma source using an internal-type ICP operated at 2MHz with a ferrite module, describe the effect of ferrite module on the enhancement of the plasma properties and the uniformity, and compare to those obtained with 13.56MHz discharge. Also the electrical characteristics of the antenna line and the characteristics of the plasma uniformity were studied.