• Title/Summary/Keyword: 화학양론

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Growth and Chrarcterization of $SiO_x$ by Pulsed ECR Plasma (Pulsed ECR PECVD를 이용한 $SiO_x$ 박막의 성장 및 특성분석)

  • Lee, Ju-Hyeon;Jeong, Il-Chae;Chae, Sang-Hun;Seo, Yeong-Jun;Lee, Yeong-Baek
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.10 no.3
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    • pp.212-217
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    • 2000
  • Dielectric thin films for TFT(thin film transistor)s, such as silicon nitride$(Si_3N_4)$ and silicon oxide$(SiO_2)$, are usually deposited at $200~300^{\circ}C$. In this study, authors have tried to form dielectric films not by deposition but by oxidation with ECR(Electron Cyclotron Resonance) oxygen plasma, to improve the interface properties was not intensionally heated during oxidation. THe oxidation was performed consecutively without breaking vacuum after the deposition of a-Si: H films on the substrate to prevent the introduction of impurities. In this study, especially pulse mode of microwave power has been firstly tried during FCR oxygen plasma formation. Compared with the case of the continuous wave mode, the oxidation with the pulsed ECR results in higher quality silicon oxide$SiO_X$ films in terms of stoichiometry of bonding, dielectric constants and surface roughness. Especially the surface roughness of the pulsed ECR oxide films dramatically decreased to one-third of that of the continuous wave mode cases.

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대기압 유전체 배리어 방전을 이용한 폴리머 박막의 증착과 특성 분석에 대한 연구

  • Kim, Gi-Taek;Suzaki, Yoshifumi;Kim, Yun-Gi
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.10a
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    • pp.38.2-38.2
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    • 2011
  • 폴리머 박막은 그 고유한 특성으로 인해 여러 산업적으로 널리 사용되고 있는 재료이다 예로 의약품이나 식품 포장지의 배리어, 전자부품의 절연체, 반도체 공정에서의 사용, 혹은 부식방지를 위해 사용 되어지기도 한다. 이 폴리머 박막을 증착 하기 위한 방법으로 이전부터 CVD (Chemical Vapor Deposition) 방법이 많이 사용되었고 지금까지도 가장 많이 사용되는 방법이다. CVD를 사용하여 $SiO_2$-like 필름의 증착은 전구체(precursor)로 Silane ($SiH_4$)을 사용하였으며, 플라즈마 발생 소스(source)로 열 혹은 전기장 등을 사용 하며 공정 시 압력 또한 대부분 저압 하에서 실시 하였다. 이와 같은 이전 CVD 방법의 문제는 사용되는 Silane 자체가 인체에 해로울 정도로 독성이 있으며 폭발성도 같이 가지고 있어 작업환경의 위험성이 높으며 열을 사용한 CVD의 경우 높은 공정 온도로 인해 증착 할 수 있는 대상이 제한 되어 지며 높은 열의 발생을 위해 많은 에너지의 소비가 필요하다. 저압 플라즈마를 사용한 CVD 는 공정상 높은 열의 발생이 일어나지 않아 기판 운용상 문제가 되지 않지만 저압 환경에서 해당 공정이 이루어기 때문에 인해 필수적으로 고가의 진공 챔버가 필수적이며 저압을 유지할 고가의 진공 펌프나 추가 장비들이 필요하게 된다, 또한 챔버 내에서 이루어지는 공정으로 인해 공정의 연속성이 떨어져 시잔비용 또한 많이 잡아 먹는다. 이러한 열 혹은 저압 플라즈마등을 사용한 공정의 단점을 해결하기 위해 여러 연구자들이 다양한 방법을 통해 연구를 하였다. 대기압 유전체 배리어 방전(AP-DBD: Atmospheric Pressure-Dielectric Barrier Discharge)을 사용한 폴리머 박막의 증착은 이전 전통적인 방법에 비해 낮은 장비 가격과 낮은 공정 온도 그리고 연속적인 공정 등의 장점이 있는 폴리머 박막 증착 방법 이다. 대기압 유전체 배리어 방전 공정 변수로 공급 전압 및 주파수 그리고 공급 전압의 영향, 전구체를 유전체 배리어 방전 전극으로 이동 시키기 위해 사용된 캐리어 가스의 종류 및 유량, 화학양론적 계수를 맞추기 위해 같이 포함되는 산소 가스의 유량, DBD 전극의 형태에 따른 증착 박막의 균일성 등 이 존재하며 이런 많은 변수 들에 대한 연구가 진행 되었지만 아직 이 대기압 DBD를 이용한 폴리머 박막의 증착에 대한 명확한 이해는 아직 완전 하다 할 수 없다. 본 연구에서는 이러한 대기압 DBD를 이용하여 폴리머 박막의 증착시 영향을 미치는 많은 공정 변수 등이 박막생성에 미치는 영향과 증착된 박막의 성질에 대한 연구를 진행 하였다.

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Studies on Preparation of Boron Compounds from Colemanite Ore : Preparation of Boric Acid and Reaction Mechanism (I) (Colemanite 광물로부터 붕소화합물의 제조에 관한 연구 : 붕산제조 및 반응기구 (I))

  • Choi, Byung-Hyun;Lim, Hyung-Mi;Jee, Mi-Jung;Jang, Jae-Hun;Paik, Song-Hoo;Lee, Mi-Jai
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.41 no.10 s.269
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    • pp.756-765
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    • 2004
  • We present extraction process and reaction mechanism of boric acid from one of calcium borate ores, colemanite by reaction with sulfuric acid. Colemanite has been fully decomposed under pH 5 with sufficiency amount of sulfuric acid, more than the amount stoichiometrically required. Calcium sulfate was separated out, leaving boron in the liquid phase after sulfuric acid addition. The extraction process of boric acid was affected by dissolution temperature and time, amount of sulfuric acid and ammonium sulfate, pH and a degree of concentration before recrystallization. The $SiO_2$ of the impurities which colemanite contains was insoluble so that it was separated out with calcium sulfate from liquid phase. The species of $CaO,\;Al_2O_3,\;Fe_2O_3,\;MgO$ were remained in a liquid phase after reaction with sulfuric acid. These impurities were separated out by addition of ammonia to the liquid phase, funhermore, boric acid was produced by process of pH adjustments and acidification, concentration, and recrystallization.

Synthesis of Diglyceride Containing Caprylic acid by Immobilized Lipase Catalyzed Esterification of Monoglyceride in a Solvent Free System (모노글리세리드와 카프릴산으로부터 고정화 리파제를 사용한 디글리세리드 생산)

  • Lee, Jang-Woon;Kang, Sung-Tae
    • Microbiology and Biotechnology Letters
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    • v.37 no.4
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    • pp.365-370
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    • 2009
  • For the production of diglyceride (DG) containing medium chain fatty acid, which could be utilized as a substrate to structured lipid production, monoglyceride (MG) and caprylic acid were reacted in the presence of lipase. The reaction system was well mixed homogeneously without using any organic solvent. Among the lipases investigated, Lipozyme RM IM and Novozym 435 were selected on the basis of equilibrium DG yields from the medium chain fatty acid and MG. And reaction conditions such as addition of molecular sieve, water content of immobilized lipase, reaction temperature, and mole ratio of MG/caprylic acid are optimized to increase DG production by using Lipozyme RM IM. DG content of reaction mixture showed 8% increase by adding molecular sieve to reaction mixture. Removal of water from the immobilized lipase could affect seriously equilibrium content of DG. More than 2.8%(w/w) removal of water from the support could make 44% of DG. Optimum temperature was found to $60^{\circ}C$. Temperature shift from $60^{\circ}C$ to $25^{\circ}C$ resulted in increase of free fatty acid (FFA) content. The equilibrium DG yield was not seriously affected by on MG/caprylic acid molar ratio. However, at the stoichiometric ratio of 1:1 the highest DG yield was obtained. Increasing MG/caprylic acid ratio from 0.3 to 1.8 decreased FFA content from 34% to 13%, while MG content increased from 27% to 50%.

Thermodynamic Equilibrium and Efficiency of Ethylene Glycol Steam Reforming for Hydrogen Production (에틸렌글리콜의 수증기 개질반응을 이용한 수소제조에 대한 열역학적 평형 및 효율 분석)

  • Kim, Kyoung-Suk;Park, Chan-Hyun;Jun, Jin-Woo;Cho, Sung-Yul;Lee, Yong-Kul
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.47 no.2
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    • pp.243-247
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    • 2009
  • This study is purposed to analyze thermodynamic properties on the hydrogen production by ethylene glycol steam reforming. Various reaction conditions of temperatures(300~1,600 K), feed compositions(steam/carbon= 0.5~4.5), and pressures(1~30 atm) were applied to investigate the effects of the reaction conditions on the thermodynamic properties of dimethyl ether steam reforming. An endothermic steam reforming competed with an exothermic water gas shift reaction and an exothermic methanation within the applied reaction condition. Hydrogen production was initiated at the temperature of 400 K and the production rate was promoted at temperatures exceeding 500 K. An increase of steam to carbon ratio(S/C) in feed mixture over 1.0 resulted in the increase of the water gas shift reaction, which lowered the formation of carbon monoxide. The maximum hydrogen yield with minimizing loss of thermodynamic conversion efficiency was achieved at the reaction conditions of a temperature of 900 K and a steam to carbon ratio of 3.0.

Study on th growth of nonlinear optical crystal $CsLiB_{6}O_{10}$ (비선형 광학 결정 $CsLiB_{6}O_{10}$ 육성에 관한 기초 연구)

  • 김호건;김명섭
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.6 no.2
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    • pp.166-176
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    • 1996
  • The fundamental conditions for growing $CsLiB_{6}O_{10}$ crystal, new nonlinear optical material, were investigated. Stoichiometirc mixture of $CsLiB_{6}O_{10}$ composition resulted in the crystal of the same composition in the process of heating at the temperature above $600^{\circ}C$. No phase transition was observed in the $CsLiB_{6}O_{10}$ crystal in the temperature range of $600^{\circ}C~800^{\circ}C$, and $CsLiB_{6}O_{10}$ crystal melted congruently at $850^{\circ}C$. When the melt of this composition was cooled at rates of $1~150^{\circ}C/hr$, glass state ingot was formed regardless of cooling rates. However, $CsLiB_{6}O_{10}$ crystals were formed directly from the melt at any cooling rate in the presence of $CsLiB_{6}O_{10}$ seed crystal in the melt. Transparent $CsLiB_{6}O_{10}$ single crystal was grown from the melt using the seed crystal at the growing rate of 0.06 mm/hr in the furnace having the temperature gradient of $100^{\circ}C/cm$. Analysis of the single crystal showed that the crystal belonged to the noncentrosymmetric tetragonal space group 142d and unit cell dimensions were $a=10.467(1)\;{\AA},\;c=8.972(1)\;{\AA}\;and\;V=983.0(2)\;{\AA}^3$. Optical absorption edge of the crystal was observed at 180mm and the crystal showed a good optical transparency (70% transmittance, sample thickness 0.5 mm) in the wide wavelength range above 300 nm.

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레이저 유도 형광법(Laser Induced Fluorescence)을 이용한 플라즈마 방전 표시기(Plasma Display Panel)내의 전계 측정에 관한 연구

  • 김정훈;이준학;최영욱;양진호;황기웅
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.232-232
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    • 1999
  • 교류형 플라즈마 방전 표시기(AC Plasma Display Panel, AC PDP)에 사용되는 플라즈마는 그 부피가 너무 작아서 플라즈마에 변화를 일으키지 않고 그 물성을 관측하기란 쉬운일이 아니다. 그래서 주로 PDP 내의 물성을 관측하는 데 시뮬레이션에 의존하게 된다. 그 물성중에 PDP내의 전계 분포에 대한 정보는 방전의 형성 및 소멸에 대한 많은 단서를 제공하고 있다. 특히 AC PDP의 경우, 유전체에 형성되는 벽적하(wall charge)가 방전의 형성 및 PDP 구동에 중요한 역할을 하는데, 이는 PDP 내의 전계 분포를 살펴봄으로써 대략 예측할 수 있다. 본 연구에서는 시뮬레이션에 의존하지 않고, 직접 레이저 유도 형광법을 이용하여 AC PDP 내의 전계를 측정하였다. 방전 가스인 헬륨(He)의 에너지 준위는 전계의 크기에 따라 에너지 준위가 변화하여, Rydberg(n$\geq$8) 준위가 여러 개의 준위로 나누어지는 현상이 일어나는데, 이를 Stack 효과라고 한다. 따라서 전계의 세기가 커짐에 따라서 각 준위와 준위 사이 값(splitting)이 커지는데, 이를 이용하면 전계를 측정할 수 있다. 즉, 헬륨 원자를 여기시키는 레이저 파장을 변화시키면서 관측되는 레이저 유도 형광 신호를 관측하면, 준위의 splitting을 관측할 수 있다. 본 연구에서는 PDP 내의 전계의 시간적 변화를 관측하였다. 50%, 40kHz의 구형파를 PDP의 두 전극에 가하였을 때, 플라즈마가 켜진 상태뿐만 아니라 플라즈마가 꺼진 후에도 전계에 의한 Splitting 신호가 관측이 되었는데, 전계로 환산하였을 때, 그 값은 대략 수 kV/cm의 값을 갖았는데, 이는 wall charge에 의한 값으로 사료된다.결과로 생각되어진다.플라즈마의 강도값을 입력하여 플라즈마의 radiation을 검출하고, 스퍼터링 공정중 실질적인 in-situ 정보로 이용하였다. PEM을 통하여 In/Sn의 플라즈마 강도변화를 조사하였다. 초기 In/Sn의 플라즈마 강도(intensity)는 강도를 100하여, 산소를 주입한 결과, plasma intensity가 35 줄어들었고, 이때 우수한 ITO 박막을 얻을 수 있었다. Pulsed DC power를 사용하여 아크 현상을 방지하였다. PET 상에 coating 된 ITO 박막의 표면저항과 광투과도는 4-point prove와 spectrophotometer를 이용하여 분석하였고, AES로 박막의 두께에 따른 성분비를 확인하였다. ITO 박막의 광투과도는 산소의 유량과 sputter 된 In/Sn ion의 plasma emission peak에 따라 72%-92%까지 변화하였으며, 저항은 37$\Omega$/$\square$ 이상을 나타내었다. 박막의 Sn/In atomic ratio는 0.12, O/In의 비율은 In2O3의 화학양론적 비율인 1.5보다 작은 1.3을 나타내었다.로 보인다.하면 수평축과 수직축의 분산 장벽의 비에 따라 cluster의 두께비가 달라지는 성장을 볼 수 있었고, 한 축 방향으로의 팔 넓이는 fcc(100) 표면의 경우 동일한 Ed+Ep값에 대응하는 팔 넓이와 거의 동일한 결과가 나타나는 것을 볼 수 있다. 따라서 이러한 비대칭적인 모양을 가지는 성장의 경우도 cluster 밀도, cluster 모양, cluster의 양 축 방향 길이 비, 양 축 방향의 평균 팔 넓이로부터 각 축 방향의 분산 장벽을 얻어낼 수 있을 것으로 보인다. 기대할 수 있는 여러

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Study for biological denitrification of high strength nitrogen industrial wastewater (고농도 질소 함유 폐수의 생물학적 탈질에 관한 연구)

  • Han, Hyung-Suk;Won, Ki-Yeon;Song, Jin-Ho;Lee, Eun-Sil;Kim, Ho;Choi, Chang-Sik
    • Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.251-251
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    • 2011
  • 해양 투기가 금지되면서 혐기소화를 통해 최종적으로 발생되는 폐기물 양을 줄이고 메탄 등의 바이오 가스를 얻어 이를 에너지로 얻기 위한 많은 공정들이 현장에 적용되고 있다. 하지만 혐기 소화 과정을 마친 후 유출되는 유출액은 고농도의 유기물질 및 암모니아성 질소, 인산염 등을 다량으로 함유하고 있어 적은 양이라도 하천이나 호수 등에 유입되면 수질 악화와 부영양화를 초래할 위험성이 크다. 이번 연구에서는 음식물류 폐기물로부터 바이오가스를 생산하기 위한 혐기소화 공정에서 발생하는 유출액의 방류수 수질기준 확보와 경제성을 만족시킬 수 있는 처리공정의 상용화 기술을 개발하기 위해 생물학적 처리, 물리 화학적 처리를 통합한 공정을 적용하였다. P건설사 혐기소화 유출액 pilot plant(1 ton/day) 운전 결과 50~70% 로 $NO_2$-N 이 약 1,000 mg/$\ell$정도로 축적되는 현상을 보였으며 상대적으로 $COD_{Cr}$의 농도는 400~600 mg/$\ell$로 C/N 비가 낮아 탈질이 어려울 것으로 판단하였다. 이에 실험실 규모에서의 실험을 진행하였다. $NO_2$-N와 $NO_3$-N을 기준으로 McCarty 양론비 기준 80% 에서 300%까지 메탄올을 주입해 제조 폐수와 실제폐수로 실험을 진행하였고 제조폐수로 실행된 실험에서 아질산 탈질의 효율을 확인하였다. 미생물이 메탄올에 순응 후 완전 탈질에 걸리는 시간은 약 2.5 일로 확인 되었으며 메탄올이 추가로 주입되지 않은 반응조의 $NO_2$-N의 탈질량은 메탄올이 이론값 100% 주입 된 반응조에 비해 30% 이하의 처리 효율을 나타냈다. 이론값을 기준으로 메탄올이 100% 주입된 반응조는 약 96.1%의 탈질 효율을 보였으며 메탄올 순응 후에 약 1.5 일의 HRT가 단축되었기 때문에 메탄올에 장시간 순응 시 탈질 효율이 더 좋아질 것으로 보인다. 아질산탈질에 대한 실험실 규모 연구결과를 토대로 pilot plant에서 재현성 검토를 목적으로 운전을 수행하였다. 무산소조의 HRT는 2.7 일 이었으며 호기조의 HRT는 4.1 일 이었다. 유입수의 평균 $COD_{Cr}$ 농도는 2,878 mg/L, T - N 농도는 2,723 mg/L로 나타났으며 $NO_2$-N 기준 C/N비 1.2-1.8의 메탄올을 주입하였을 때 96% 이상의 탈질율을 보였다.

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Correlation between Strain and Dielectric properties in Paraelectic $ZrTiO_4$ Thin Films ($ZrTiO_4$상유전 박막의 Strain과 유전 특성 상관성 고찰)

  • 김태석;오정민;김용조;박병우;홍국선
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.108-108
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    • 2000
  • 급증하는 무선통신 정보수요는 특히, 고주파대역 (300NHz-300GHz)에서 사용되는 공진기, 필터, 발진기 등과 같은 소자의 품질향상을 요구하고 있다. 고주파용 유전체 중 ZrTiO4 는 $\alpha$-PbO2 계열의 사방정구조를 갖고 있는 유전체로서 높은 유전율 ($\varepsilon$=40)과 높은 품질계수 (Q=1/tan$\delta$=4700 at 7GHz)를 갖고 있고, Sn 첨가시 0ppm/$^{\circ}C$의 공진주파수 온도계수를 얻을 수 있다고 보고되어 있다. 본 연구에서는 약 110$0^{\circ}C$ 이상에서 안정한 상으로 존재하는 ZrTiO4를 저온에서 증착하여 준안정한 상태로 결정화되게 한후, 유전손실 (tan$\delta$)과 유전율($\varepsilon$)을 측정하였다. 또한 증착온도와 열처리과정에 따른 박막의 us형 (Strain) 정도의 변화를 X-선 회절결과로부터 분석하였으며 이를 측정된 유전특성 값과 비교하였다. ZrTiO4 박막은 DC magnetron reactive sputter로 Zr과 Ti 타겟으로부터 high phosphorous doped Si (100) 기판위에 증착하였다. 압력은 4mTorr로 유지하고 박막의 화학양론적 조성비를 맞추기 위해 각 타겟에 가해지는 power는 Zr/Ti=500W/650W로 고정하고, 반응가스의 비율을 Ar/O2=17sccm/3.5sccm으로 유지하여 박막내에 인입되는 산소량을 제어하였다. 증착 직후와 열처리 후의 박막특성을 비교하기 위해 증착온도를 상온에서부터 $600^{\circ}C$까지 변호시키고 증착후 각각의 시편을 80$0^{\circ}C$ 산소분위기에서 2시간동안 열처리하여 시편을 준비하였다. 박막의 상형성 여부와 결정성변화는 $ heta$-2$\theta$X-선 회절법을 사용하여 조사하였고, EPMA를 이용하여 박막의 조성을 확인하였다. 유전특성의 측정을 위해 백금 상부전극을 증착한 후, impedance analyzer를 이용하여 100kHz 영역에서의 유전손실을 측정하고, 측정된 정전용량과 박막의 두께로부터 유전율을 계산하였다. ZrTiO4 박막은 증착온도 20$0^{\circ}C$ 이상에서 결정성을 보이기 시작했으며, 열처리 이후에는 상온에서 비정질이었던 시편이 $650^{\circ}C$ 이상의 온도에서 결정화되기 시작하였다. 증착온도에 따라 유전손실은 0.038에서 0.017 정도로 감소하는 경향을 나타냈으며, 각각 열처리에 의해서 0.034, 0.005 정도로 다시 감소하였다. 박막의 유전율은 약 35 정도의 값을 나타내었으며 X-선 회절 data로부터 분석한 박막의 변형은 증온도에 따라 7.2%에서 0.04%로 감소하였고 이 이경향은 유전손실은 감소경향과 일치하였다.

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A study on the fabrication of $Pb(Fe^{0.5},Nb^{0.5}O_3$ thin films by a Co-sputtering technique and their characteristics properties (동시 스퍼터링법에 의한$Pb(Fe^{0.5},Nb^{0.5}O_3$박막의 제조 및 특성 평가에 대한 연구)

  • 이상욱;신동석;최인훈
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.7 no.1
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    • pp.17-23
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    • 1998
  • $Pb(Fe_{0.5}Nb_{0.5}O_3(PFN)$ thin films were prepared by rf magnetron co-sputtering method on $SiO_2/Si$, ITO/glass, and $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrates and post-annealed at the $N_2$ atmosphere by RTA(rapid thermal annerling). The degree of crystallinity of PFN films was identified on various substrates. Electrical properties of PFN films was characterized for $Pt/PFN/Pt/Ti/SiO_2/Si$ structure. The composition of PFN films was estimated by EPMA (electron probe micro analysis). PFN films would be crystallized better to perovskite phase on ITO/glass substrate than $SiO_2/Si$ substrate. This may be induced by the deformation of Pb deficient pyrochlore phase due to Pb diffusion into $SiO_2/Si$ substrate. PFN films on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate. PFN films with 5-10% Pb excess were crystallized to perovskite phase from $500^{\circ}C$ temperature. In summary, we show that Pb composition and annealing temperature were critically influenced on crystallinity to perovskite phase. When PFN film with 17% Pb excess was annealed at $600^{\circ}C$ at the $N_2$ atmosphere for 300kV/cm and 88. Its remnant polarization coercive field $2.0 MC/cm^2$ and 144kV/cm, respectively.

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