In this study, the effect of reaction conditions on the transesterification of soybean oil and methanol was investigated in a high-pressure-fixed-bed-reactor-system with zinc aluminate catalysts. Without catalysts, high-pressure-reaction at $300^{\circ}C$ and 1,200 psi brought 19% yields of methyl esters, which was caused by the approach of reaction condition to supercritical point of methanol. However, except the specific reaction condition, the yields in the reaction with no catalyst were very low below 4.5%. The zinc aluminate was prepared as catalyst by coprecipitation and characterized with $N_2$ gas adsorption/desorption and X-ray diffraction. With catalyst, the effect of the reaction parameters such as temperature, pressure, and molar ratio of reactants on biodiesel production was demonstrated. The higher temperature, pressure, and methanol molar ratio to soybean oil, the more yields of methyl esters. It was proved that among the reaction parameters, the reaction temperature be the most influential variable on methyl ester yields.
Im, Jinsol;Ahn, Jinhyeok;Kim, Jungmin;Sung, Shi-Joon;Cho, Kuk Young
Journal of the Korean Electrochemical Society
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v.22
no.2
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pp.60-68
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2019
High-voltage operation of the lithium ion battery is one of the advantageous approaches to obtain high energy capacity without changing the conventional cell components and structure. However, operating at harsh condition inevitably results in severe side reactions at the electrode surface and structural disintegration of active material particles. Herein we coated layers composed of $Al_2O_3$ and ZnO on the electrode based on NCM using atomic layer deposition (ALD). Thicker layers of novel Al-doped ZnO (AZO) coating compared to conventional ALD coated layers are prepared. Cathode based on NCM with the varying AZO coating thickness are fabricated and used for coin cell assembly. Effect of ALD coating thickness on the charge-discharge cycle behavior obtained at high-voltage operation was investigated.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.39-39
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2007
원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 방법은 반응물질들을 펄스형태로 챔버에 공급하여 기판표면에 반응물질의 표면 포화반응에 의한 화학적 흡착과 탈착을 이용한 박막증착기술이다. ALD법은 기존의 화학적 기상증착(Chemical Vapor Deposition: CVD)과 달리 자기 제한적 반응(self-limiting reaction) 에 의하여 반응가스가 기판 표면에서만 반응하고 가스와 가스 간에는 반응하지 않는다. 따라서 박막의 조성 정밀제어가 쉽고, 파티클 발생이 없으며, 대면적의 박막 증착시 균일성이 우수하고, 박막 두께의 정밀 조절이 용이한 장점이 있다. 이러한 ALD 방식으로 3차원의 반도체 장치 구조물에 산화막 등을 형성하는 공정에서 중요한 요소 중의 하나는 전구체의 충분한 공급이다. 따라서 증기압이 높은 전구체를 선호하는 경향이 있다. 그러나 증기압이 낮은 전구체를 사용할 경우, 공급량이 부족하여 단차 도포성(step coverage)이 떨어지는 문제가 있다. 원자층 증착 공정에서 전구체를 충분히 공급하기 위해전구체 온도를 증가시키거나 전구체의 공급시간을 늘리는 방법을 사용한다. 그러나 전구체 온도를 상승시키는 경우, 전구체의 변질이나 수명을 단축시키는 문제점을 발생시킬 수 있으며. 전구체를 충분히 공급하기 위하여 전구체의 공급시간을 늘이는 방법을 사용하면, 원하는 박막을 형성하기 위하여 소요되는 공정시간과 전구체 사용량이 증가된다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 반응기 안에서 전구체 노출 시간을 조절하는 새로운 ALD 공정을 소개한다. 특히 이러한 기술을 적용하면 나노튜브를 성장시키는데 매우 유리하다. 본 연구에서 전구체 노출 시간을 조절하기 위하여 사용된 ALD 장비는 Lucida-D200-PL (NCD Technology사)이며 (TEMA)Zr와 H2O를 사용하여 ZrO2 나노튜브를 폴리카보네이트 위에 성장시켰다. 전구체의 노출 시간은 반응기의 Stop 밸브를 이용하여 조절하였으며, SEM, TEM 등을 이용하여 나노튜브의 균일성과 단차피복성 등의 특성을 관찰하였다. 그 결과 전구체 노출시간을 조절함으로써 높은 종횡비를 갖는 나노튜브를 성장 시킬 수 있음을 확인하였다. 또한 낮은 증기압을 가지는 전구체를 이용하여도 우수한 특성의 나노튜브를 균일하게 성장시킬 수 있었다.
Journal of Nuclear Fuel Cycle and Waste Technology(JNFCWT)
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v.8
no.3
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pp.173-179
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2010
In a HLW repository, the buffer is exposed to an elevated temperature due to a radioactive decay and geochemical conditions for a long time and such a hydrothermal condition may cause a significant loss of its barrier function. This study carried out hydrothermal tests with a domestic smectite clay to investigate the changes in the expandibility, layer charge, and cation exchange capacity of the smectite. When the temperature and potassium concentration in solution was increased for the hydrothermal treatments, the expandibility decreased, the layer charge negatively increased, and the CEC also decreased.
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation. The starting material was (100) silicon $n/n^{+}/n$ wafer structured by $n^{+}$-diffusion on n-type substrate and by subsequent n-epitaxial growth. After the top n-silicon epitaxial layer was etched to open the porous silicon layer(PSL) anodisation window, anodisation takes place only to $n^{+}$-buried layer. The process of porous silicon formation on (100) sample was anisotropic, which was evident from that the shapes of the reacted porous silicon layer was all squarelike regardless of the shapes of reaction windows. The experimental results show that the PSL anodisation process does not depend on chemical reaction but does on electrical conduction property, which is hole mobility depending on the crystal direction.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2003.05a
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pp.769-771
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2003
고분산성을 이루는 물질들이 석영(quartz)을 바탕물질로 하여 기계-화학적 반응 기술을 이용하여 제작하였다. 반응의 처리 조건과 이후의 응용에 따라서 기계-화학적 반응을 이용하여 제작한 물질은 자기 특성, 유전체 특성, 전기적 특성을 동시에 나타냈다. 부착성 복합물질의 특징을 고려하여 세그네토 마그네틱스(Segneto-magnetics)로 분류 제작된 자기-전기적 분말은 유전체재료 특성을 나타냈다. 특히, 석영 표면에 하나 또는 그 이상의 이질 화합물 층이 10∼50nm 두께로 합성되어, 자기ㆍ전기적 특성을 나타냈다.
Journal of the Korean Society for Marine Environment & Energy
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v.12
no.1
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pp.55-59
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2009
As one of the methods for recycling the FRP from the small and medium waste ships, separation of roving layer from the mat has some merits in a sense of the recycling energy and the environmental effects. Similar characteristics, however, between the roving and the mat even with different ratio of the resin and the glass and the thickness of the roving, much thinner than the mat, make the mechanically automatic differentiation difficult. In this study spectrochemical differentiation between the two layers has been made using (1) boiling concentrated sulfuric acid which can dissolve the resin in the FRP layer, (2) methanol and isopropanol solution saturated with KOH which can dissolve the glass, or (3) hydrogen fluoride(HF) solution which can reacts with $SiO_2$ fragments of the glass. Furthermore coloring water-soluble dye following the HF treatment makes the roving layer more distinguishable photo-physically.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.195.1-195.1
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2014
최근 반자성 물질인 $MoS_2$를 수소 기체 속에서 열처리하게 되면 약한 강자성이 유발된다는 연구가 보고되었다. 본 연구에서는 강자성 발현을 수반하는 물리적 및 화학적 변화를 이해하기 위해서 단일층 $MoS_2$에 대한 라만분광 및 광발광 연구를 수행하였다. 기계적 박리법을 이용하여 $MoS_2$ 결정으로부터 단일층 및 이중층 $MoS_2$를 분리하여 $SiO_2/Si$ 기판에 전사한 후, $200^{\circ}C{\sim}500^{\circ}C$ 영역의 특정 온도에서 1시간 동안 열처리하였다. 배경 기체가 열처리 도중 $MoS_2$에 미치는 영향을 이해하기 위하여 수소 속 반응을 진공 상태와 비교하였다. 라만 스펙트럼에서는 큰 변화가 없었으나, 광발광의 세기는 수소 속 반응 후에 감소하고 진공 속 반응 후에는 증가하는 대조적인 결과를 보였다. AFM 측정으로부터는 열처리 후에 $MoS_2$ 표면에 뚜렷한 변화가 일어나지 않는다는 사실을 확인하였다. 본 발표에서는 수소와 진공 조건에서 관찰된 상이한 광발광 특성과 그래핀/$SiO_2/Si$에서 관찰된 p-형 도핑과의 상관관계를 설명하고자 한다.
Aspen plus는 Aspentech사에서 개발한 공정모사용 프로그램으로서 다양한 화학종의 열역학적 자료를 기반으로 공정설계, 공정최적화, 공정모니터링 등 공정개발에 활용되고 있다. 연료개질기는 수증기 개질반응, 수성가스전이반응, 선택적화학반응으로 구성된 소규모 수소생산공정에 해당된다. 따라서 Aspen 전산모사를 통해 다양한 조건에서의 운전결과를 모사하여 개질기에 미치는 영향을 분석함으로써 운전조건을 최적화 할 수 있다. 연료개질기의 성능에 영향을 미치는 주요인자는 주로 수증기개질 촉매층 출구온도 및 수증기/탄소 비이다. 수증기개질 촉매층의 출구온도를 $660{\sim}740^{\circ}C$로 변화시키면서 개질가스의 조성, 카본 전환율, 개질효율 등을 비교 분석하였다. 또한 수증기/탄소 비를 3~5의 범위에서 변화시키면서 영향을 살펴보았다. 수증기개질 촉매층의 온도가 높을수록 수소생산량이 증가에 따른 효율 증가가 나타났으며 수증기/탄소 비가 증가할 경우에도 개질효율에 긍정적인 영향을 미치는 것을 확인하였다. 하지만 실제 개질기의 운전에서는 소재의 제약에 따라 운전 온도에 제약이 있으며 수증기/탄소비의 증가 역시 개질기의 부피 증가로 이어지는 단점이 있다는 것을 고려해야 한다. 따라서 반응기 재질, 크기, 운전온도와 개질효율과의 상관관계를 파악하여 개질기의 특성을 최적화 하여야 한다.
Moon, Jee Hyun;Kim, Ji Hyeon;Yoo, In Sang;Park, Sang Joon
Applied Chemistry for Engineering
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v.25
no.6
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pp.577-580
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2014
Indium hydroxy sulfide ($In(OH)_xS_y$) as a cadmium (Cd)-free buffer layer for $CuInGaSe_2$ (CIGS) solar cells was prepared by the chemical bath deposition (CBD) and the reaction time was optimized. The band gap energy and transmittance data alongside the thickness results from the direct observation with focused ion beam system (FIB) could be a powerful tool for optimizing the conditions. In addition, X-ray diffractometer (XRD), X-ray photoelectron microscopy (XPS), and scanning electron microscope (SEM) were also employed for the layer characterization. The results indicated that the optimum reaction time for $In(OH)_xS_y$ buffer layer deposition by CBD was 20 min at $70^{\circ}C$ under the conditions employed. At the optimum conditions, the buffer layer thickness was near 57 nm and the band gap energy was 2.7 eV. In addition, it was found that there was no XPS peak shift in between the buffer layers deposited on molybdenum (Mo)/glass and that on CIGS layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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