• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.5
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• pp.512-517
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• 1996

본 고는 반도체 재료가 갖는 자기효과를 이용하여 자기센서의 종류 및 특성등에 대하여 서술하였다. 반도체 LSI의 응용분야가 확대됨에 따라서 반도체 센서를 이용한 극소형화, 고성능화, 저가격화, 다기능화등이 가능하게 되었다. 이러한 상황에서 반도체를 이용한 홀 소자나 자기저항 소자와 같은 자기센서 등을 주변회로와 일체화시킨 초소형 시스템에 대한 연구가 활발하다. 특히 화합물 반도체는 자기센서에 적합한 물리적인 특성을 갖고 있기 때문에, 자기센서로 효율을 나타내고 있다. 반도체의 미세가공기술의 발전과 LSI제조기술의 발전을 이용하여 센서의 집적화, 저가격화를 가능하게 하였으며, 다른 종류의 반도체 센서들을 자기센서와 함께 하나의 칩위에 장착할 수 있는 응용집적센서(Application-specific Integrated Sensor)가 더욱 중요한 역할을 할 것이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2010.10a
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• pp.740-743
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• 2010

본 논문에서는 홀 효과를 이용하여 차축(Tone Wheel) 회전에 따른 자속밀도의 변화를 감지하여 속도를 검출하는 자동차용 차륜 속도센서를 개발 제작하였다. 개발된 센서는 능동형 차속센서로서 마그네트 내장형 2-wire 홀 IC와 케이블 연결부를 ABS를 이용 하우징한 모형 구조로 제작 실험하였다. 기존의 능동형 차속센서 중 1개사의 자동차용 차속센서 부품의 특성을 분석하여 본 논문에서 제작한 센서와 각 특성을 비교하였다. 본 논문에서 개발된 차속센서는 12km/h 이하에서의 최소 감지스피드 성능, $80^{\circ}C$이하의 작동온도, 49% ~ 51%의 듀티 사이클$[T_{on}/(T_{on}+T_{off})]$ 동작 특성을 보였다. 본 논문에서 제작한 능동형 차속센서는 수동형과 비교하여 부품수가 적고 소형화 및 경량화, 에어 갭(Air Gap) 변화에도 민감하지 않으며 듀티 사이클과 저속에서의 검출능력이 우수한 특성을 지닌다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1745-1746
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• 2008

수도 원격검침을 위한 수도미터의 측정방법이 리드스위치, MR 센서방식, 엔코더방식, Cyble 방식등 다양하게 제시되고 있다. 그러나, 홀효과를 이용한 반도체 소자로 제공되는 Hall IC방식의 경우 많은 장점이 있으나 수도 원격검침분야에 적용된 사례가 전무하여 본 연구를 통하여 Hall IC방식이 원격검침용 수도미터에 적용하여 효과적 사용이 가능한지 적용성을 분석코자 한다.

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 2020.07a
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• pp.327-328
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• 2020

본 논문에서는 저전력 저비용 임베디드 환경에서 PCB 검사 기법을 제안한다. 특히, IC 미삽에 대한 검출 알고리즘을 제안하고 실험한다. 고사양의 컴퓨팅 시스템에서는 CNN과 같은 딥러닝 뉴럴 네트워크를 사용하여 특별한 알고리즘을 고려하지 않아도 대규모의 데이터를 입력함으로써 모델을 완성하고 이를 통해 PCB 검사를 수행할 수 있다. 그러나 데이터의 양이 충분하지 않거나 충분한 전력과 비용을 투입하지 못하는 임베디드 환경에서는 각 부품에 따른 컴퓨터 비전 알고리즘이 필요하다. IC의 경우 타부품에 비하여 형태가 직사각으로 정형화 되있으며 색상도 균일한 특징을 가지고 있기에 미삽에 대한 검출이 가능하다. 베어보드(Bare Board)의 색상과 IC 부품의 색상이 확연히 다를 경우에는 RGB 픽셀을 카운트 하는 히스토그램 카운팅 알고리즘만으로 검출이 가능하다. 베어보드의 색삭과 IC의 색상이 유사할 경우에는 베어보드의 핀 혹은 홀의 형태를 감지하여 검출이 가능하다. 본 논문에서는 베어보드의 색상와 IC의 색상이 같을 경우에 다를 경우를 나누어 미삽 검사를 수행하고 그 정확도를 확인한다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.32A no.1
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• pp.138-145
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• 1995

The offset voltage in silicon Hall plates is mainly caused by stress and strain in package, and by alignment in process. The offset voltage is appeared random for condition change with time in the factory, is non-linearly changed with temperature. In this paper proposed new method of design of Hall IC, and methematicaly proved relation layout of chip of 90$^{\circ}$-shift-current Hall plate pair is matched with "Differentail to single ended Conversion amplifier." In the experiment, the offset voltage is reduced about 1/100 time than the original offset voltage.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.20 no.4
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• pp.56-64
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• 2006

Generally, Permanent Magnet Brushless DC Motor(PM BLDC) is necessary the Hall-IC to detect the rotor position. But it will take place the operation standstill of motor or error of rotor position detection according to the circumference temperature, humidity, or limited surroundings. This paper propose the algorithm of rotor position detection only using one or two Hall-IC. Therefore we can estimate information of the others phase in sequence through a rotor instead of using three Hall-IC at 3 phase motor. This paper identify the same characteristics, performance and function of protection circuit by the proposed algorithm with the 3 phase PM BLDC motor in comparison with general method.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2002.06b
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• pp.73-76
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• 2002

In this paper we present an integrated Hail sensor It for fan motors, fabricated in industrial bipolar process. As a discrete Hall sensor and signal processing circuitry In the fan motor system were Integrated into single chip a temperature dependence of Hall sensitivity and Hall offset voltage can be compensated and cancelled by on-chip circuitry. We Propose a novel temperature compensation of Hall sensitivity with negative temperature coefficient (TC) using the differential amplifier gain with Positive TC. After a package of the chip was sealed using a plastic Package 20 Pins, the thermal and magnetic characteristics were investigated. The obtained experimental results are in agreement with analytical predictions and have more excellent performance than\ulcorner conventional the fan motor system using discrete Hall sensor.

• Transactions of the Korean Society of Automotive Engineers
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• v.21 no.5
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• pp.1-7
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• 2013

The present paper relates to a development of the Gear Detection Sensor for automotive manual transmission. To detect air gap from control finger to detecting zone of sensor based on non-contacted method, permanent magnet and linear type Hall IC are mounted in this sensor. Control finger is machined to 3 step heights to detect 3 gear stages such as In-Gear, Normal and Rear. After conducting actual experimentation based on exclusive Jig and FEM, it is described to consider possibility for automotive application of Gear Detection Sensor.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.9 no.6
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• pp.536-543
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• 2004

Slotless Permanent Magnet Brushless DC Motor(PM BLDC) with the characteristics of high speed and power density has been more widely used In Industrial and factory machine. Generally, PM BLDC meter is necessary that the three Hall-lCs evenly be distributed around the stator circumference in case of the 3 phase motor. The Hall-ICs are set up in PM BLDC Motor to detect the main flux from the rotor. therefore the output signal from Hall-ICs is used to drive a power transistor to control the stator winding current. However, instead of using three Hall-ICs, if it used only one Hall-IC, we can estimate information of the others phase in sequence through a rotor This paper identified the characteristics and performance by using one Hall-IC with the 3-phase, 2-pole, 6-slot PM BLDC motor.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.16 no.6
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• pp.439-445
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• 2007

SiGe integrated circuits are being used in the field of high-speed wire/wireless communications and microwave systems due to the RF/high-speed analog characteristics and the easiness in the fabrication. Reducing the resistance variation in SiGe thin film resistors results in enhancing the reliability of integrated circuits. In this paper, we investigate the causes that generate the resistance nonuniformity after the silicon-based thin film resistor was fabricated, and consider the counter plan against that. Because the Ti-B precipitate, which formed during the silicide process of the SiGe thin film resistor, gives rise to the nonuniformity of SiGe resistors, the boron ions should be implanted as many as possible. In addition, the resistance deviation increases as the size of the contact hole that interconnects the SiGe resistor and the metal line decreases. Therefore, the size of the contact hole must be enlarged in order to reduce the resistance deviation.