• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1745-1746
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• 2008

수도 원격검침을 위한 수도미터의 측정방법이 리드스위치, MR 센서방식, 엔코더방식, Cyble 방식등 다양하게 제시되고 있다. 그러나, 홀효과를 이용한 반도체 소자로 제공되는 Hall IC방식의 경우 많은 장점이 있으나 수도 원격검침분야에 적용된 사례가 전무하여 본 연구를 통하여 Hall IC방식이 원격검침용 수도미터에 적용하여 효과적 사용이 가능한지 적용성을 분석코자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.04a
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• pp.103-105
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• 2002

본 연구에서는 홀소자를 이용한 저가형 엔코더와 제어기를 제안하고 이를 통한 연속적인 회전자 위치추정을 통해 최적의 스위칭 온/오프시점을 결정함으로서 저속 전기자동차 구동용 SRM의 기동특성과 주행성능을 실험을 통해 확인하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07d
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• pp.2519-2521
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• 2000

브러시리스용 다기능 제어구동장치를 80C196KC 콘터롤러와 IPM으로 단순화하여 개발하여 기존의 TTL 소자 구성에 비하여 하드웨어를 가장 단순화시키고 표준화제품의 개발을 유도하였다. 대신에 대부분의 기능을 소프트웨어로 처리함으로써 설계의 융통성과 확장성을 높이고 고성능 저가격의 제품을 개발할 수 있었다. 특히, 속도 센서로 자극검출에 필요한 홀센서를 이용함으로써 기존 엔코드 센서에 비하여 속도 분해능은 다소 떨어지지만 이 센서를 없앨 수 있어 제품가격을 낮추고, 크기를 줄일 수 있는 장점을 갖는다. 제어 구동장치의 성능시험을 통하여 개발결과를 검증하였으며, 고정밀 속도제어를 실현할 수 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.113-113
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• 2003

ZnO 박막은 p형 도핑방법이 점차 알려 지면서 최근 차세대 발광소자 재료로서 주목을 받고 있으며, 우수한 전자 이동도, 우수한 홀 이동도, 발광 스펙트럼(PL) 피크의 날카로움, 높은 free exciton binding energy, 방사선 노출에 대한 큰 내구성, 습식 식각이 가능, 동종 기판 사용이 가능함으로써 박막의 품질을 개선할 수 있고 제조공정을 간소화할 수 있는 등의 장점을 지니고 있어 이에 관련된 많은 연구들이 진행되고 있다. 특히 ZnO 박막을 차세대 발광소자로 응용하기 위해서는 고품질의 에피탁시 박막을 성장시켜야 하며 이를 위하여 MBE, MOCVD, PLD법 등 다양한 에피탁시 박막증착이 시도되고 있다. 또한 보다 양질의 ZnO 박막을 성장시키기 위해 적절한 단결정 기판 및 버퍼층의 탐색과 각 기판에 따른 ZnO 박막의 물성평가 작업도 진행되고 있다.

• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• s.263
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• pp.67-78
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• 1998

최근 파워일렉트로닉스기술의 급속한 진보로 인버터 응용기기가 폭넓은 분야에 이용되어 자에너지화에 크게 기여하고 있다. 그러나 반면에 이들 기기로 부터는 전기의 공해라고도 할 수 있는 고조파전류가 발생하고 있다. 이와 같은 배경에서 $\ulcorner$고압 또는 특별고압으로 수전하는 수용가의 고조파 억제대책 가이드라인$\lrcorner$이 제정되어 앞으로 인버터 기기류를 다수 설치하는 수용가에서는 고조파억제대책을 세워야 하는데 그 기기로서 액티브 필터(Active Filter)가 주목을 받고 있다. 액티브 필터는 $\cdot$고속응답성을 갖춘 IGBT(Insulted Gate Bipolar Transistor)소자를 사용한 인버터에 의하여 여러 가지 고조파를 한번에 억제할 수 있다. $\cdot$IGBT소자의 채용에 의한 소형화로 자스페이스$\cdot$저소음화를 실현할 수 있다. $\cdot$액티브 필터는 전원계통을 변경하더라도 설비특성을 변경할 필요가 없다. $\cdot$액티브 필터는 고조파전류가 증가하여도 과부하가 되는 일이 없다. 등 기존의 L-C필터(패시브 필터)에는 없는 우수한 특징을 갖추고 있어, 일반제조업 이외에도 테넌트(임대) 빌딩이나 극장(홀)에도 적용시킬 수 있는 고조파대책의 유효한 수단이 되고 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.395-395
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• 2013

GaN는 LED, 태양전지, 그리고 전자소자 등에 쓰이는 물질로, 관련 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이와 더불어 top-down방식을 활용한 소자제작 방법 또한 발달되고 있다. 하지만, 일반적으로 LED 제작에 사용되는 c-plane GaN의 경우, c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받게되며, 분극은 LED내 양자우물의 밴드를 기울게 하여 전자와 홀의 재결합률을 감소시켜 낮은 내부양자효율을 야기한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 여러 가지 방법들이 제시되었으며, 그 중에서도 a면, 혹은 m면과 같은 nonpolar면을 사용하는 GaN LED가 주목받고 있다. 본 연구에서는, top-down방식을 통해 약 $2{\mu}m$ 크기의 diameter를 갖는 micro-sized column LED를 구현하였으며, 식각 후 드러나는 semipolar면을 wet treatment를 통해 제거하여 nonpolar면을 드러나게 하였으며, 이 면에 Ni/Au를 contact하여, 전기적, 광학적 특성을 논하였다. Fig. 1은 I-V 특성 그래프이며, Fig. 2는 EL측정 결과(광학적 특성)이다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.10
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• pp.32-38
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• 2003

This works reports the measurement and analysis results on the hot electron induced device degradation in Gate-All-Around SOI MOSFET's, which were fabricated using commercially available SIMOX material. It is observed that the worst-case condition of the device degradation in nMOSFETs is $V_{GS}$ = $V_{TH}$ due to the higher impact ionization rate when the parasitic bipolar transistor action is activated. It is confirmed that the device degradation is caused by the interface state generation from the extracted degradation rate and the dynamic transconductance measurement. The drain current degradation with the stress gate voltages shows that the device degradation of pMOSFETs is dominantly governed by the trapping of hot electrons, which are generated in drain avalanche hot carrier phenomena.r phenomena.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.155-155
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• 2012

기존의 플로팅 타입의 비휘발성 메모리 소자는 스케일 법칙에 따른 인접 셀 간의 간섭현상과 높은 동작 전압에 의한 누설전류가 증가하는 문제가 발생을 하게 된다. 이를 해결하고자 SONOS (Si/SiO2/Si3N4/SiO2/Si) 구조를 가지는 전하트랩 타입의 비휘발성 메모리 소자가 제안되었다. 하지만 터널링 베리어의 두께에 따라서 쓰기/지우기 특성은 향상이 되지만 전하 보존특성은 열화가 되는 trad-off 특성을 가지며, 또한 쓰기/지우기 반복 특성에 따라 누설전류가 증가하게 되는 현상을 보인다. 이러한 특성을 향상 시키고자 많은 연구가 진행이 되고 있으며, 특히 엔지니어드 터널베리어에 대한 연구가 주목을 받고 있다. 비휘발성 메모리에 대한 엔지니어드 기술은 각 베리어; 터널, 트랩 그리고 블로킹 층에 대해서 단일 층이 아닌 다층의 베리어를 적층을 하여 유전율, 밴드갭 그리고 두께를 고려하여 말 그대로 엔지니어링 하는 것을 뜻한다. 그 결과 보다 효과적으로 기판으로부터 전자와 홀이 트랩 층으로 주입이 되고, 동시에 다층을 적층하므로 물리적인 두께를 두껍게 형성할 수가 있고 그 결과 전하 보전 특성 또한 우수하게 된다. 본 연구는 터널링 베리어에 대한 엔지니어드 기술로써, Si3N4를 기반으로 하고 높은 유전율과 낮은 뉴설전류 특성을 보이는 ZrO2을 두 번째 층으로 하는 엔지니어드 터널베리어 메모리 소자를 제작 하여 메모리 특성을 확인 하였으며, 또한 Si3N4/ZrO2의 터널베리어의 터널링 특성과 전하 트랩특성을 온도에 따라서 특성 분석을 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.186-186
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• 2010

액정디스플레이, 유기발광소자 및 태양전지에서 전도성 투명전극으로 indium-tin-oxide (ITO)가 일반적으로 많이 사용되고 있지만 인듐의 희소성과 유독성으로 인하여 ITO를 대체할 수 있는 물질에 대한 많은 연구가 현재 진행되고 있다. ITO 전극을 대체할 수 있는 물질 중에서 Al 도핑된 ZnO (AZO) 박막은 높은 전도성과 광학적 투과성 때문에 다양한 광전소자의 전극과 윈도우 물질로 많은 응용 가능성을 보여주고 있다. 본 연구에서는 여러 가지 스퍼터링 증착 조건에서 증착된 AZO 박막의 전기적특성과 광학적 특성을 조사하였다. 기준시료의 AZO 박막 증착 조건은 ZnO-2 wt.% $Al_2O_3$세라믹 타겟을 사용하였고 $250^{\circ}C$의 기판 온도에서 100 W 전력으로 5 mTorr의 진공 분위기에서 증착되었다. 최적의 AZO 박막 조건을 얻기 위해 증착 온도와 증착 챔버의 압력을 변화하면서 AZO 박막의 전기적 특성 변화와 광학적 특성 변화를 조사하였다. 4-포인트 프로브 측정과 홀 효과측정으로 각기 다른 조건에서 증착한 AZO 박막의 비저항과 전하농도 값을 비교 분석하였고 UV 스펙트로미터 측정을 통해서 AZO 박막의 투과율을 조사하였다. 스퍼터링 방법으로 증착된 AZO 박막은 높은 전도성과 광학적 투과성을 가지기 때문에 액정디스플레이, 유기발광소자 및 태양전지의 투명전극으로 사용할 수 있음을 알 수 있었다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.14 no.5
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• pp.2381-2387
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• 2013

This paper deals with an optimal angle error reduction method of magnetic hall sensor using hall effect elements with yoke. The magnetic position sensor is required to generate ideal sine and cosine waveforms from its hall effect elements according to rotation angle for precise angle information. However, the output signals are easy to include harmonics due to uneven magnetic field distribution from disturbance in the vicinity of hall effect elements. Thus, The paper studies a way which makes sine and cosine waveforms robust in disturbance and reduces harmonics by installing a yoke around Hall effect elements. The angle detection simulation for the magnetic hall sensor is performed by 3 dimensional finite element method and Taguchi method, one of the design of experiments. For the Taguchi method, three design parameters related to position of hall effect elements and shape of hall effect element yoke are selected.