The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.4
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pp.356-362
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2003
In this paper, we propose a predistortion technique which uses a novel combination of the second harmonic technique and the difference frequency technique to achieve independent control of the 3rd and 5th order intermodulation products generated by the PA. The second harmonic and difference frequency terms are generated using an envelope detector and two frequency multipliers. The RF predistorter has capability to independently control of the 3rd and 5th order intermodulation products so that high power amplifier is optimized for linear characteristics. From the measurement results, over the frequency band 2137.5 MHz to 2142.5 MHz, ACPR reduction of 11 dB is obtained for a single 30 dBm W-CDMA carrier.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.41
no.2
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pp.65-70
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2004
This paper presents a novel linearization scheme for a nonlinear RF amplifier It is based on the amplitude modulation with envelope signal. The 3rd order distortion generator is composed of two FETs and it adopts a balanced structure for the purpose of main carrier cancellation. The amplitude and phase of the IM3 component can be controlled at RF band. This predistorter is implemented and tested at the KOREA PCS Tx. band (1840∼1870MHz). Experimental results of two-tone test show that the IM3 cancellation is achieved about 30-40 ㏈ for the wide dynamic range. The adjacent channel power ratio is improved by over 10 ㏈ at the broad-band CDMA signal with a peak to average power ratio of l0㏈, and this improvement is maintained through a wide range of output power levels.
In this paper, the 30 W power amplifier for an IMT-2000 repeater was developed a gain flatness and the third IMD (Intermodulation distortion) by microwave absorber. The absorption ability of the absorber is shown up to -10 dB and -4 dB at 3.6 GHz, 2.3 GHz band, respectively. The power amplifier without absorber has the gain over 57 dB, the gain flatness of $\pm$0.33 dB and the third IMD of 27 dBc at 33.3 W output. Otherwise, the power amplifier with absorber has the gain over 58 dB, the gain flatness of less than $\pm$0.9, the third IMD over 29 dBc at the same output power. As a result, the characteristic of the different type shows improvement of 1 dB in gain, 0.3 dB in gain flatness and 1.77 dBc in IMD.
In this paper, We designed and implemented a linear high-power amplifier which can be used for the commercial service in band of $1.9GHz(1.93{\sim}1.99GHz)$ at U.S.A. The output power of the implemented linear high power amplifier is 25W. In order to satisfy IMD characters decided by FCC, the Feedforward linearization techniques has been used. The used feedforward method has improved the IMD characteristics from 10.51dBc to 19.01dBc in each power level from 1W(30dBm) to 25W(44dBm). The IMD level of the final output shows from minimum 64.84dBc to maximum 68.17dBc. Because this good characteristics of IMD, the LPA is expected to use as a commercial product of PCS base station.
In this paper, we have studied narrow-band analog pre-distortion linearization technique using UHF 400 MHz band 20 W power amplifier. The analog pre-distorter used the SC1894 radio frequency power amplifier linearizer(RFPAL) provided by MAXIM Corp and through the look-up table technique confirmed the intermodulation distortion(IMD) performance and the adjusted channel leakage ratio(ACLR) improvement for bandwidth below 1 MHz which does not operate on existing chips. In the 400 MHz (400 ~ 500 MHz) band, IMD performance and the ACLR improvement of up to 17.46 dB based on 1-channel offset and up to 16.6 dB based on 2-channel offset were confirmed. In the system requiring the same linearity, we confirmed power efficiency improvement of 12.41% at output power of over 40 W.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.44
no.7
s.361
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pp.41-46
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2007
A novel post-linearization technique is proposed for CMOS cascode low noise amplifier (LNA). The technique uses dual common gate FETs one of which delivers the linear currents to a load and the other one sinks the $3^{rd}$ order intermodulation currents of output currents from the common source FET. Selective current branching can be implemented in $0.18{\mu}m$ CMOS process by using a thick oxide FET as an IM3 sinker with a normal FET as a linear current buffer. A differential LNA adopting this technique is designed at 2.14GHz. The measurement results show 11dBm IIP3, 15.5dB power gain and 2.85dB noise figure consuming 12.4mA from 1.8V power supply. Compared with the LNA with turning off the IM3 sinker, the proposed technique improves the IIP3 by 7.5 dB.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.41
no.10
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pp.41-49
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2004
Nonlinear distortion introduced by the optical transmitter using a direct modulation of laser diode(LD) and an indirect modulation of optical modulator can limit considerably the performance of analog optical link system such as subcarrier multiplexing system. In this paper, we have compensated the nonlinear distortion of LD and optical modulator using electrical predistorter. In the case of LD, two-tone experiments using 877.5 MHz and 882.5 MHz have shown reduction of 19 dB in third-order intermodulation product(IMP$_3$). And in the case of optical modulator, we have achieved nearly 21 dB reduction in IMP3 through two-tone experiments using 1.8975 GHz and 1.9025 GHz. The spurious free dynamic ranges of LD and optical modulator are also improved by 5 dB/Hz$^{2}$ 3/ and 7 dB/Hz$^{2}$ 3/, respectively.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.3
no.4
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pp.282-288
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2008
In this paper, the Passive Intermodulation Distortion(PIMD) of high power RF Filter is measured with filter inner coating materials and we suggest how to reduced the PIMD of RF filter coating methods. According to the standard measurement regulation by IEC, the Passive Intermodulation Distortion of Wibro relay high power filter are measured. We suggest the coating materials and coating methods of high power filter inner structure to reduce the PIMD generating by insert loss and worse flatness of filter delay in the design of Wibro high power filter efficiently.
This paper, describes the VDR physical layer design in VDL Mode-2 in order to meet the requirements of International standards. VDR's frequency band is 117.975~137MHz, and CSMA(Carrier Sense Multiple Access), D8PSK(Differential Eight Phase Shift Keyed), 25KHz's channel bandwidth use. The analysis of the isolated channel from near channels, sensitivity of the receiver, dynamic range of the receiver, linear of the transmitter and energy of spurious for linear and non-linear simulation as a requirement condition of performance of VDR and teaches the course of design. The transmitting power level should be lower than 5dB from Po1dB point and the selected IF frequency is 45MHz to suppress the spurious signals. The receiver designed has 4.5dB of Noise figure, 27.52dB of Es/No, Mixer isolation up to 30dB, IIP3 power of LNA up to +10dBm to minimize the intermodulation.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.12
no.7
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pp.1086-1093
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2001
A new linearization technique for RF high-power amplifiers(HPAs) using n-th order error signal generator (ESGn) is proposed. The n-th order ESG generates an error signal based on the complex envelope transfer characteristics of the HPA, which is combined at the output of the HPA. Therefore, the higher-order nonlinearlities are not affected by the ESG$\_$n/ and the stability of the linearized system is guaranteed due to the inherent open-loop configuration. Moreover, the output delay loss can be avoided, because the error signal is generated with the input signal of the HPA. The IMD(intermodulation distortion) improvement obtained applying the ESG$\_$7/ to 5 W class A HPA in cellular band demonstrates the feasibility of the proposed postdistortion system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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