• 대한지하수환경학회지
• /
• 제1권2호
• /
• pp.85-89
• /
• 1994

폐기물 매립지로부터의 침출수의 유출에 의한 지하수와 토양의 오염은 심각한 환경문제중의 하나 이며, 일반적으로 매립지에서는 폐기물의 생화학적 자연분해 또는 강우 침투에 의하여 침출수가 형성된다. 대전시 신대동 일반 폐기물 매립지 역 주변토양의 Cu, Pb와 Zn 함량은 대부분의 우리나라 토양내의 평균 함량보다는 높은 것으로 나타났으나 농작물을 통하여 인류에 해를 끼칠 수 있는 정도는 아닌 것으로 나타났다. 지하수의 경우 Cu, Pb와 Zn이 검출되지는 않았으나 특정 시료의 pH가 5.6으로 나타나 음용수로는 부적합한 것으로 판명되었다. 토양오염이 발견된 지역에서는 심토내의 중금속 원소 함량이 표토보다 높은것으로 나타나 지하수를 통한 오염체의 영향이라고 판단된다. 전기 비저항 탐사를 행한 결과 토양오염이 진행된 지역에 함수층이 존재하고 있었으며 침술수의 배출에 의한 오염체의 이동에 의해 전기 비저항값이 더욱 낮게 나타났다. 한편 침출수의 배출지점에서 멀어질수록 오염물질의 감소에 의해 전기 비저항치가 증가하는 것으로 나타났으며 실제로 토양내의 중금속원소 함량도 감소한다.

• 지구물리와물리탐사
• /
• 제8권1호
• /
• pp.67-72
• /
• 2005

복공식 시하공동내에 액화천연가스(LNG)를 저장하는 새로운 LNG 저장기술의 타당성을 검증하고 실규모 저장소 건설을 위한 기반기술의 개발을 위하여 액화질소를 저장하는 소규모 시험장을 한국지질자원연구윈 구내에 건설하였다. 액화질소를 지하공동내에 저장함에 따라 공동주변의 암반은 극저온 환경의 직접적인 영향을 받게 되므로, 공동주변에 결빙층(ice ring)의 형성은 물론 지반상태 변화를 수반할 것으로 예상되었다. 이 시험장에서는 지반상태의 변화 규명과 모니터링을 위하여 물리탐사, 수리지질조사, 암반공학 조사 등이 수행되었으며, 특히 시추공 레이다와 3 차원 전기비저항 탐사를 포함하는 물리탐사법을 적용하여 극저온 환경으로 인한 암반내 결빙층의 형성을 탐지하고 지반상태 변화를 모니터링 하였다. 특히, 3차원 전기비저항 탐사자료는 액화질소의 저장 전후에 획득하여 그 결과를 비교하였으며, 3 단계에 걸쳐 획득한 3 차원 전기비저항 영상들로부터 액화질소의 저장에 기인한 뚜렷한 전기비저항 변화 영역을 도출하였다. 저장공동의 동쪽부에서 전기비저항의 감소를 보였으며, 수리지질조사 결과와 저장소 주변의 여러 패턴을 비교, 검토하여 이와 같은 전기비저항의 변화가 지하수 흐름의 변화에 기인하는 것으로 해석하였다. 즉, 극저온의 액화질소에 의한 암반의 동결로 인하여 공동주변의 수리지질조건 및 지하수 흐름에 변화가 발생하는 등, 저장소 가동 이전의 지반상태로부터 뚜렷한 변화를 나타낸 것으로 해석되었다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제13권4호
• /
• pp.23-27
• /
• 2009

실리콘 기판 상에 MBE (molecular beam epitaxy)로 형성된 GaSb 기반 p-channel HEMT 소자를 제작하기 위하여 오믹 접촉 형성 공정과 식각 공정을 연구하였다. 먼저 각 소자의 절연을 위한 메사 식각 공정 연구를 수행하였으며, HF기반의 습식 식각 공정과 ICP(inductively coupled plasma)를 이용한 건식 식각 공정이 모두 사용되었다. 이와 함께 소스/드레인 영역 형성을 위한 오믹 접촉 형성 공정에 관한 연구를 진행하였으며 Ge/Au/Ni/Au 금속층 및 $300^{\circ}C$ 60초 RTA공정을 통해 $0.683\;{\Omega}mm$의 접촉 저항을 얻을 수 있었다. 더불어 HEMT 소자의 게이트 형성을 위한 게이트 리세스 공정을 AZ300 현상액과 citric산 기반의 습식 식각을 이용하여 연구하였으며, citric산의 경우 소자 구조에서 캡으로 사용된 GaSb와 베리어로 사용된 AlGaSb사이에서 높은 식각 선택비를 보였다.

• 멤브레인
• /
• 제30권4호
• /
• pp.228-241
• /
• 2020

리튬 이온 전지의 양극과 음극 사이에 물리적인 층을 만들어주는 분리막은 분리막의 품질에 따라 리튬 이온 전지의 성능을 결정함에 따라 많은 관심을 받고 있다. 일반적으로 전기화학적 안정성과 적절한 역학적 강도를 갖고 있는 폴리에틸렌과 폴리프로필렌으로 구성된 다공성 막이 리튬 이온 전지의 분리막으로 사용된다. 하지만 폴리에틸렌과 폴리프로필렌의 낮은 열 저항성과 젖음성으로 인해 리튬 이온 전지의 잠재력을 충분히 끌어내지 못한다. 녹는점 이상의 온도에 도달하게 되면 분리막의 구조가 변형되고 리튬 이온 전지는 단락된다. 분리막의 낮은 젖음성은 낮은 이온전도도와 부합하고, 이는 전지의 저항을 상승시킨다. 이러한 폴리에틸렌과 폴리프로필렌 분리막의 단점을 극복하고자 이중 전기방사방법, 코팅 층 도포 방법, 코어 셸 구조 형성 방법, 제지법 등 여러 가지 방법들이 연구되었다. 언급된 방법들로 합성된 분리막들은 열 저항성과 젖음성이 크게 향상되었고 유연성과 인장 강도 같은 역학적 특성도 향상되었다. 본 리뷰 논문에는 각기 다른 방법으로 형성된 리튬이온 전지의 분리막에 대해서 다루고 있다.

• 한국재료학회지
• /
• 제8권4호
• /
• pp.288-292
• /
• 1998

n-well Si(100) 영역에 $BF_{2}$를 이온주입 [에너지: 30KeV, 주입량 : $5\times10^{15}cm^{-2}$] 하고 Co($120\AA$)/Ti($40\AA$)이중막을 진공증착하여 RTA-silicidation을 통해 Co/Ti 이중막 실리사이드층을 갖는 p+ -n극저접합 다이오드를 제작하였다. 제작된 소자의 이상계수와 비접촉저항 및 누설전류는 각각 1.06, $1.2\times10^{-6}\Omega\cdot\textrm{cm}^2$, $8.6\muA/\textrm{cm}^2$(-3V)로 나타났으며 실리사이드층을 갖는 이미터 영역의 면저항은 약 $8\Omega\Box$로, 실리상이드/실리콘 계면에서 보론 농도는 약 $6\times10^{19}cm^{-3}$으로, 실리사이드 두께(~$500\AA$)를 포함한 접합깊이는 약 $0.14\mu{m}$로 형성되었다. 다이오드 제작에서 Co/Ti 이중막 실리사이드 층의 형성은 소자의 누설전류를 다소 증가시켰으나 이상계수의 개선과 이미터 영역의 면저항 및 비접촉저항의 감소를 가져왔다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.272-272
• /
• 2010

최근 화합물반도체를 이용한 집광형 고효율 태양전지가 차세대 태양전지로서 주목을 받기 시작하였다. GaAs를 주축으로 하는 고신뢰성 고효율 태양전지는 높은 가격으로 인해 응용이 제한되어왔으나, 고집광 기술을 접목하여 태양전지 재료 사용을 수 백배 이상 줄이면서도 동시에 효율을 극도로 향상시킴으로써 차세대 태양전지로 활발히 개발되고 있다. GaAs 기판을 이용한 다중접합의 태양전지는 n-type GaAs 기판 위에 버퍼 층, GaInP back surface field 층, GaAs p-n 접합, AlInP 창층, GaAs p-n 접합의 터널접합층, 상부전지로서 GaInP p-n 접합, AlInP 창층 순서로 epi-taxial structure를 형성하고 전극과 무반사막을 구성한다. 이러한 태양전지의 효율을 결정하는 요인 중, 상부 전극은 전기적 및 광학적 손실을 일으키는 원인으로써 최소화되어야 한다. 그런데 이러한 이중접합 화합물 태양전지에 집광한 태양광을 조사할 경우, 태양광을 집광한 만큼 전류가 증가하게 되며 증가한 전류가 전극에 흐르면서 전기적 효율 손실을 유발하게 된다. 따라서, 집광형 화합물 반도체 태양전지의 전극에 의한 손실에 대한 연구가 선행되어 저항에서 손실되는 전력을 최소화하여야만 전기적 손실이 낮은 고집광 태양전지 개발이 가능하다. 본 논문에서는 먼저 전극 두께가 0.5${\mu}m$인 GaInP/GaAs 이중접합 태양전지 (효율 25.5% : AM1.5G)의 집광시 효율 변화에 대해서 연구하였다. 이후 이러한 효율 변화가 전극 구조의 최적화에 의해서 개선 될 수 있는지를 삼차원 모의실험을 통해서 확인하였다. 모의실험에는 Crosslight 사의 APSYS를 사용하였고, material parameter를 보정하여 실제 실험 결과에 근사 시킨 후 전극 구조에 대한 최적화를 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.591-591
• /
• 2012

본 연구는 Transparent conducting oxide (TCO, 산화물투명전극)를 이용한 박막태양전지 효율향상에 관한 것으로, 이중의 TCO층(Double-stacked TCO layer)의 효과적인 광학 및 전기적 설계에 관한 것이다. 기존 박막 태양전지에서는 투명전극 TCO layer로서, ITO (Indium-Tin-Oxide), FTO (Fluorine- Tin-Oxide), 및 AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 등을 사용해 왔다. 각 TCO layer마다 장점이 있지만 단점 또한 존재한다. ITO의 경우 높은 전기적 특성을 가지는 반면 수소 플라즈마에 취약하고 기계적 강도에 취약해 ITO 단일층만으로 박막 태양전지에 적용하는 것에 제한을 받는다. 한편, AZO의 경우 전기적 특성도 우수할 뿐만 아니라 수소 플라즈마에도 내구성이 강한 장점이 있지만, 일함수가 p형 반도체보다 낮아 Schottky junction이 되어, 높은 전위장벽이 형성된다. 이는 정공의 이동을 방해하고, 정공의 축적이 일어나서 순방향 전압을 인가할 때 많은 전류의 감소를 가져온다. 또한, AZO와 p형 반도체 사이의 높은 직렬저항으로 인해 광전압(Voc, Open circuit voltage)와 충실률 (FF, Fill factor)가 떨어진다는 단점이 있다. 본 실험에서는 ITO/AZO 2중구조의 TCO층을 적용하여 상기의 문제점을 해결하고자 한다. 이중 구조 TCO층은 Magnetron sputter system을 이용하여, 단계적으로 증착되었다. 빛이 입사하는 유리에 ITO를 제1전도층으로 증착하였는데, ITO는 입사광의 투과도와 전기전도성이 우수하다. 제2전도층으로는 AZO층을 이용하였으며, 실리콘 반도체층과 접하게 된다. AZO는 실리콘 증착시 발생하는 수소 플라즈마에 안정적이고, 물리적 강도 또한 우수한 장점이 있다. 이중 구조층위에 실리콘 광흡수층(Si absorber)을 증착하였으며, pin 구조를 가진다. 기존, 단일막 TCO층과 2중구조 TCO층을 이용하여, 실리콘 박막 태양전지를 구성하였다. 이때, ITO/AZO의 2중구조를 적용하였을 때 태양 전지 특성이 크게 향상된 결과를 얻을 수가 있었다. 특히, 전류밀도의 경우 ITO, FTO, AZO 각각 14.5 mA/cm2, 11.2 mA/cm2, 8.18 mA/cm2를 나타낸 반면 ITO/AZO 2중구조의 경우 약 17mA/cm2 로 크게 향상 되었고, 태양전지 변환 효율도 각각 7.5%, 6.9%, 4%에서 ITO/AZO 2중 구조의 경우 8.05%로 크게 향상되었다. 본 발표에서는 2중구조 TCO를 이용한 현공정에 적용 가능한 박막태양전지 효율향상 기법에 대해 논의하고자 한다.

• Applied Microscopy
• /
• 제29권2호
• /
• pp.255-263
• /
• 1999

Co/Ti 다층 박막 구조에서 증착 박막의 두께를 조절하여 세 가지 조성의 다층 박막을 형성시키고, 후속 열처리 공정을 진행시키면서, 다층 박막 구조에서의 계면 반응에 의한 미세 구조 변화와 전기, 자기적 특성 변화를 살펴보았다. 1. Co/Ti다층 박막의 계면 반응은 후속 열처리 온도에 따라 다른 양상을 나타냈다. $200^{\circ}C$의 저온에서 열처리 한 Co/Ti 다층 박막의 계면 반응은, 결정질 Co와 Ti을 계면 반응물로 소모시키면서 비정질 층을 성장시키는 비정질화 반응이 활발이 일어났다. 한편, $300^{\circ}C$와 $400^{\circ}C$의 고온에서 열처리한 Co/Ti 다층 박막의 계면 반응은 새로운 화합물 결정질 CoTi상을 형성시키는 결정화 반응이 우세했다. 2. Co/Ti 다층 박막의 미세구조 변화는 계면에서의 비정질화 반응의 정도에 의존하고, 비정질화 반응은 계면의 분율에 따라 다르게 나타났다. 즉, 계면의 분율이 가장 많은 Co 2nm/Ti 2 nm다층 박막에서 초기 증착 단계의 비정질화 반응이 가장 우세하여 다른 두 조성의 Co/Ti 다층 박막의 미세 구조 변화와 차이를 보였다. 3. 저온 열처리에 따른 X-선 회절 피크변화에서 Ti피크의 감소율이 Co피크보다 더 크게 관찰된 것으로부터 Co/Ti 다층 박막의 계면에서의 결정질 Co와 Ti의 확산 반응에서 Ti이 비정질화 반응의 주 확산자로 작용한 것을 알 수 있다. 4. Co/Ti 다층 박막에서, 비정질층의 생성 및 성장에 의해 박막의 전기적 저항이 증가하였다.

• 한국산림과학회지
• /
• 제86권4호
• /
• pp.415-421
• /
• 1997

본 연구는 Shigometer를 조경수목의 건강도 측정에 활용하기 위하여 계절별로 형성층 부근의 전기저항치를 조사하여 수종별 평균치를 구하고, 관목, 침엽수교목, 활엽수교목의 개엽, 개화, 생장정지등 계절별 생장에 따른 전기저항 특성을 상호 비교하기 위하여 수행하였다. 1996년 3월부터 11월까지 경기도 수원시 서울대학교 농업생명과학대학 교내에 식재되어 있는 조경수 20 수종을 대상으로 Shigometer를 이용하여 각 수목의 형성층의 전기저항치(CER)를 개화와 개엽시기인 3월에서 5월까지 주 1회씩, 6월부터 10월까지 월 1회씩, 그리고 11월에는 2주마다 측정하였다. 수종별로 건강한 4개체를 사용하였으며, 매회 개체당 4반복으로 조사하였다. 모든 수종이 3월에 높은 CER을 보이다가 4월부터 감소하기 시작하여 5월부터 8월 사이에 가장 낮은 값을 보였으며, 9월부터 다시 증가하기 시작하여 11월에는 3월과 같은 수준의 높은 값을 나타냈다. 전체 20 수종 중에서 년 평균 CER 값이 가장 낮은 수종은 $5.5k{\Omega}$의 메타세코이아였으며 가장 높은 수종은 $22.7k{\Omega}$과 $22.9k{\Omega}$의 박태기나무와 쥐똥나무였다. 여름철 (6~8월)에 가장 낮은 CER 값을 보여준 수종은 등나무 ($2.4k{\Omega}$)였으며, 그 다음은 메타세코이아($2.5k{\Omega}$)이었다. 11월 혹은 3윌 중에 가장 높은 CER 값을 가진 나무는 사철나무($46.8k{\Omega}$)이었고 그 다음은 쥐똥나무($45.0k{\Omega}$)이였다. 봄철 개엽시기에 맞추어 대부분 수종의 CER이 감소하였으며, 특히 관목에서 현저히 나타났다. 개화시기에도 많은 수종의 CER이 감소하였는데 특히 개화량이 많은 관목과 활엽수 교목에서 관찰되었다. 관목, 활엽수 교목, 침엽수 교목간의 비교에서는 관목의 평균 CER치가 교목보다 높은 편이었으며, 상록수의 계절간 변화폭은 낙엽수보다 적게 나타났다. 메타세코이아는 낙엽성 침엽수이지만 년간 평균치가 가장 낮았다.

• 한국재료학회지
• /
• 제2권3호
• /
• pp.213-219
• /
• 1992

$As^{+}$이온을 주입시킨후 열처리 방법을 달리한 Si 표면부 미세구조와 성분분석 및 전기적특성을 조사하였다. 이온주입에 의해 형성되었던 비정질층은 열처리에 의해 결정화 되었으며 열처리방법에 따라 결정화 양상의 차이를 보였다. 또한 주입된 이온의 분포 및 전기저항을 미세구조와 비교한 결과 주입된 이온의 농도가 최대인 깊이에서 최대의 손상이 발견되었으며 열처리 후에도 매우 작은 결함이 존재하였다. 하지만 이러한 작은 결함들은 전기적 성질에 큰 영향을 미치지는 않은 것으로 나타났다.