Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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v.42
no.2
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pp.172-179
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2015
The developmental mechanism of root formation is a complex process. Hereditary and environmental factors may affect the morphology of the developing root. A total of 12 cases was presented with permanent first molars with abberant root morphology. Clinically, these teeth appeared as a normal crown. However, radiographically, the root was slender, twisted and characterized by irregular lengths. In addition, root trunk length was shorter and pulp chamber was obliterated. In these cases, periapical radiolucency and loss of lamina dura were often observed. In 6 cases, an abnormal root of the primary second molars were also present, as well as root malformation of permanent first molars. In 3 cases, permanent central incisors also had a dysmorphic crown. These cases almost all had medical history, such as premature birth, brain infection or congenital heart disease in infants. The present paper describes cases of permanent first molars with an abnormal root that are rarely reported in literature. This case may intensify the variation in the permanent first molar and is intended to reinforce the clinician's awareness of rare morphology of the roots.
Kim, Sang-Gi;Yu, Seong-Uk;Gu, Jin-Geun;Na, Gyeong-Il;Park, Jong-Mun;Yang, Il-Seok;Kim, Jong-Dae;Lee, Jin-Ho
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.108-108
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2011
최근 에너지 위기와 환경 규제 강화 및 친환경, 녹색성장 등의 이슈가 대두되면서 에너지 절감과 환경보호 분야에 그린 전력반도체 수요가 날로 증가되고 있다. 이러한 그린 전력반도체는 휴대용컴퓨터, 이동통신기기, 휴대폰, 조명, 자동차, 전동자전거, LED조명 등 다양한 종류의 전력소자들이 사용되고 있으며, 전력소자의 수요증가는 IT, NT, BT 등의 융복합기술의 발달로 새로운 분야에 전력소자의 수요로 창출되고 있다. 특히 환경오염을 줄이기 위한 고전압 대전류 전력소자의 에너지 효율을 높이는 연구 개발이 활발히 진행되고 있다. 종래의 전력소자는 평면형의 LDMOS나 VDMOS 기술을 이용한 소전류 주로 제작되어 수십 암페어의 필요한 대전류용으로 사용이 불가능하다. 반면 수직형 전력소자인 트렌치를 이용한 power 소자는 집적도를 증가 시킬 수 있을 뿐만 아니라 대전류 고전압 소자 제작에 유리하다. 특히 평면형 소자에 비해 약 30%이상 칩 면적을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 평면형에 비해 on-저항을 낮출 수 있기 때문에 수요가 날로 증가하고 있다. 트렌치 게이트 power MOS의 중요한 게이트 산화막 형성 기술은 트렌치 내부에 균일한 두께의 산화막 형성과 높은 신뢰성을 갖는 게이트 산화막 형성이 매우 중요하다. 본 연구에서는 전력소자를 제조하기 위해 트렌치 기술을 이용하여 수직형 전력소자를 제작하였다. 트렌치형 전력소자는 게이트 산화막을 균일하게 형성하는 것이 매우 중요한 기술이다. 종래의 수평형 소자 제조시 게이트 산화막 형성 후 산화막 두께가 매우 균일하게 성장되지만, 수직형 트렌치 게이트 산화막은 트렌치 내부벽의 결정구조가 다르기 때문에 $1000^{\circ}C$에서 열산화막 성장시 결정구조와 결정면에 따라 약 35% 이상 열산화막 두께가 차이가 난다. 본 연구는 이러한 문제점을 해결하기 위해 트렌치를 형성한 후 트렌치 내부의 결정구조를 변화 및 산화막의 종류와 산화막 형성 방법을 다르게 하여 균일한 게이트 산화막을 성장시켜 산화막의 두께 균일도를 향상시켰다. 그 결과 고밀도의 트렌치 게이트 셀을 제작하여 제작된 트렌치 내부에 동일한 두께의 게이트 산화막을 여러 종류로 산화막을 성장시킨 후 성장된 트렌치 내벽의 산화막의 두께 균일도와 게이트 산화막의 항복전압을 측정한 결과 약 25% 이상 높은 신뢰성을 갖는 게이트 산화막을 형성 할 수 있었다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.334-334
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2012
태양전지 기술은 우주 항공에서부터 핸드폰과 같은 소규모 가전 시설에까지 폭 넓게 사용되고 있다. 현재 태양전지 기술은 기존의 화석 에너지에 비해 효율 측면에서의 열세함으로 인해 변환 효율을 높이는 연구가 진행되고 있다. 태양전지의 기본 구조에서 고반사막을 대신하여 선택적 투과막을 채용하면 적외선 영역은 광흡수층으로 재반사시키고 가시광선 영역은 선택적으로 투과시킬 수 있기 때문에 태양전지의 변환 효율을 높임과 동시에 채광에 유리한 투명 태양전지를 얻을 수 있다. 본 연구에서는 반응성 분위기에서 AlTi 단일 타겟을 스퍼터링하여 유리 기판 위에 AlTiO 선택적 투과막을 형성하고 광학적 특성을 평가하였다. 기존의 연구에서 스퍼터링으로 형성한 AlTiO 선택적 투과막은 가시광선 영역에서 약 30%의 비교적 높은 반사율을 나타내었다. 이번 연구에서는 광학 두께를 조절함으로써 가시광선 영역에서 반사율이 평균 20% 이상 감소하고 적외선 영역에서 약 30% 이상의 반사율을 나타내는 선택적 투과막을 형성한 결과를 보고한다.
사과 겹무늬썩음병의 주 전염원은 가지 병반에서 형성되는 자낭포자 및 병포자이므로, 가지에서의 포자형성 또는 포자의 분산을 화학적 또는 물리적 방법으로 저해할 수만 있다면 효과적으로 병을 방제할 수 있을 것으로 생각했다. 전염원을 줄이기 위한 첫 번째 시도로 1992년 이른봄 가지에 형성된 사마귀를 호미로 제거한 결과, 병포자의 분산과 과실발병 억제효과에 있어서 무처리와 유의적인 차이가 인정되지 않았다. 두 번째 시도로 포자의 분산을 막기 위해 1993년 이른봄에 겹무늬썩음병에 걸린 가지를 비닐필름으로 감고 5월부터 9월까지 20일 간격으로 살균제를 살포한 결과, 통계적으로 유의성이 인정되는 병 방제효과가 있었고, 나무의 생육에 있어서도 콜크층이 이상 비대하는 것 이외에 별다른 이상이 없었다. 이 개념을 더욱 발전시켜 1994년 이른봄에는 병든 가지를 수용성 고분자 물질인 polyvinyl alcohol로 도포하고 수배 분산 포자의 수를 조사한 결과, 포자의 분산량이 크게 줄어져 실용화의 가능성이 시사되었다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2017.05a
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pp.98.2-98.2
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2017
본 연구에서는 다양한 농도의 수산화나트륨 수용액에서 AZ31 마그네슘 합금의 양극산화 거동에 미치는 인가 전류밀도의 영향에 대해 알아보았다. 다양한 크기의 DC 전류를 인가하여 양극산화 거동을 확인하였으며, 형성된 피막의 표면구조를 optical microscope, confocal scanning laser microscope 등을 이용하여 관찰하였다. 연구결과, 인가 전류밀도에 따라 세 가지 유형의 voltage-time curve를 얻을 수 있었으며, voltage-time curve의 유형에 따라 서로 다른 피막 색상과 표면구조를 형성함을 발견하였다. 수산화나트륨 전해액에서 AZ31 마그네슘 합금의 플라즈마 전해산화 피막은 0.6 M 이상의 농도를 가진 수산화나트륨 용액에서 임계값 이상의 전류밀도를 인가하였을 경우에만 형성됨을 확인하였다.
2달령의 수컷 로트와 일러가 4일간 설사와 통증.보행 실조 등의 증상을 보여 (주)해 마루 소동물 임상 의자 연구소에 의뢰되었다 흉부 방사선 검사에서 폐야 전반에 걸친 페포성 침윤과 흉벽의 심란 비후가 관찰되어 흉막폐렴으로 진단하였으며 복강 초음파 검사에서 상 복부에서 소량의 복수가 관찰되었고 전반적인 간 echogenicity가 증가되어 있었다. 치료 후 설사 증상은 사라지고 전신 상태가 다소 호전되어 내원 후 7일째에 흉부 방사선 검사를 재 실시하였다. 흉막과 폐의 병변은 변화가 없었으나 상완골과 요골의 골간단 부분에 이상 소견 이 발견되어 골격계 방사선 검사를 실시한 결과 상완골, 요골, 대퇴골 그리고 경골의 골간단에 경화성 변화와 무정형의 골막 반응이 관찰되었고 요골, 척골과 경골의 골간단 부분에 성 장판 외의 방사선 투과성 선이 관찰되었다. 이상의 특이적인 방사선 소견을 바탕으로 비록 본 질환의 정확한 원인은 밝힐 수 없었으나, 감염성 원인에 의한 비대성 골이형성증으로 진단하였다.
Bi-Sr-Ca-Cu-O 계에서 상형성에 관해 연구하였다. 임계온도가 80K인 초전도체는 Bi-Sr-Ca-Cu의 몰비율이 2:2:1:2의 성분으로부터 solid state synthesis의 방법으로 합성하였다. 이때 이상에 대한 x-ray diffraction pattern은 모두 색인하였다. 2:2:1를 기본으로한 solid solution의 형성을 Bi2Sr2-xCa1+yCu2O8+$\delta$으로 단일상(single phase)을 형성하고 있으며, 이때 x와 y의 범위는 0
본 연구는 두개이상의 원판형철심으로 구성된 철심에 두개 이상의 회전자계 또는 교번, 이동자계에 의한 변전전동, 발전, 전압주정방식으로서 재래의 원판형철심으로 구성된 방식과는 전연 그 원리가 다른것이다. 변압 또는 위상변환에 있어서는 원판형철심 또는 다각형철심에 권선한 두개 이상의 철심과 각계철심 수개로서 동극 또는 이극의 회로를 형성하여 다상 또는 군상을 얻을 수 있는 방법 또는 위상을 변환할 수 있는 방식이다.
Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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v.30
no.3
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pp.510-514
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2003
The Axenfeld-Rieger syndrome is a rare autosomal dominant disorder characterized by dental and ocular abnormalities. The essential ocular features include partial or complete bilateral hypoplasia of the iris stroma, abnormalities of the angle structures with congenital iris adhesions, and anterior displacement of Schwalbe's corpuscles. Common oral findings are hypodontia(especially in anterior maxillary segment), microdontia, misshaped teeth, delayed eruption of the teeth. Additionally, other systemic symptoms can be seen and early detection by the pedodontist through dental diagnosis should prevent visual impairment.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.189-190
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2011
Cu가 기존 배선물질인 Al을 대체함에 따라 resistance-capacitance (RC) delay나 electromigration (EM) 등의 문제들이 어느 정도 해결되었다. 그러나 지속적인 배선 폭의 감소로 배선의 저항 증가, EM 현상 강화 그리고 stability 악화 등의 문제가 지속적으로 야기되고 있다. 이를 해결하기 위한 방법으로 Cu alloy seed layer를 이용한 barrier 자가형성 공정에 대한 연구를 진행하였다. 이 공정은 Cu 합금을 seed layer로 사용하여 도금을 한 후 열처리를 통해 SiO2와의 계면에서 barrier를 자가 형성시키는 공정이다. 이 공정은 매우 균일하고 얇은 barrier를 형성할 수 있고 별도의 barrier와 glue layer를 형성하지 않아 seed layer를 위한 공간을 추가로 확보할 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한, via bottom에 barrier가 형성되지 않아 배선 전체 저항을 급격히 낮출 수 있다. 합금 물질로는 초기 Al이나 Mg에 대한 연구가 진행되었으나, 낮은 oxide formation energy로 인해 SiO2에 과도한 손상을 주는 문제점이 제기되었다. 최근 Mn을 합금 물질로 사용한 안정적인 barrier 형성 공정이 보고 되고 있다. 하지만, barrier 형성을 하기 위해 300도 이상의 열처리 온도가 필요하고 열처리 시간 또한 긴 단점이 있다. 본 실험에서는 co-sputtering system을 사용하여 Cu-V 합금을 형성하였고, barrier를 자가 형성을 위해 300도에서 500도까지 열처리 온도를 변화시키며 1시간 동안 열처리를 실시하였다. Cu-V 공정 조건 확립을 위해 AFM, XRD, 4-point probe system을 이용하여 표면 거칠기, 결정성과 비저항을 평가하였다. Cu-V 박막 내 V의 함량은 V target의 plasma power density를 변화시켜 조절 하였으며 XPS를 통해 분석하였다. 열처리 후 시편의 단면을 TEM으로 분석하여 Cu-V 박막과 SiO2 사이에 interlayer가 형성된 것을 확인 하였으며 EDS를 이용한 element mapping을 통해 Cu-V 내 V의 거동과 interlayer의 성분을 확인하였다. PVD Cu-V 박막은 기판 온도에 큰 영향을 받았고, 200 도 이상에서는 Cu의 높은 표면에너지에 의한 agglomeration 현상으로 거친 표면을 가지는 박막이 형성되었다. 7.61 at.%의 V함량을 가지는 Cu-V 박막을 300도에서 1시간 열처리 한 결과 4.5 nm의 V based oxide interlayer가 형성된 것을 확인하였다. 열처리에 의해 Cu-V 박막 내 V은 SiO2와의 계면과 박막 표면으로 확산하며 oxide를 형성했으며 Cu-V 박막 내 V 함량은 줄어들었다. 300, 400, 500도에서 열처리 한 결과 동일 조성과 열처리 온도에서 Cu-Mn에 의해 형성된 interlayer의 두께 보다 두껍게 성장 했다. 이는 V의 oxide formation nergyrk Mn 보다 작으므로 SiO2와의 계면에서 산화막 형성이 쉽기 때문으로 판단된다. 또한, V+5 이온 반경이 Mn+2 이온 반경보다 작아 oxide 내부에서 확산이 용이하며 oxide 박막 내에 여기되는 전기장이 더 큰 산화수를 가지는 V의 경우 더 크기 때문으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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