• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 2011.11a
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• pp.554-557
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• 2011

One of the issues that occurs in development of a combustor using Metal Powder as a fuel is an alumina slag processing. A water film formed inside the combustor is expected to be able to solve this issue. The experiments about the formation of a water film were carried out as a preliminary study. As the tangential velocity of water jet is increasing, the angle derivation from horizontal is decreasing for the test model. Results of the experiments showed that the thin water film on the inner surface appeared at the velocity of 10~15 m/s.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.5
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• pp.505-511
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• 1998

The silicide formation mechanisms of Co/Hf and Co/Nb bilayer on (100) Si have been investigated. We ob-served that crystallographic orientationso f the 500$^{\circ}C$ formed cobalt silcides were different each other with the varying intermediate layers. Epitaxial and non-epitaxial CoSi2 formed simultaneously in Co/Hf/(100Si. While only non-epitaxial CoSi2 formed in Co/Nb/(100) Si. The reason why the crystallographic orientation of CpSi2 is different for those two systems seemed to be relate to the formation and decomposition of stable reaction barriers at high temperature. The stable reaction barrier formed at high temperature could control the uniform diffusion of Co atoms which enables epitaxial growth of CoSi2.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.1
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• pp.7-12
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• 2010

In this work, optimization analysis has been accomplished to find important process factors for realization of vertical wall around holes punched by the punchless piercing process. Taguchi method was used for optimization analysis. Lemaitre damage theory, one of the ductile fracture models, was also adopted to simulate numerically formation of vertical wall. From the results of analysis the most influencing factor that affects the vertical wall has been revealed to be 'Corner Radius of Die'.

• Korean Journal of Food Science and Technology
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• v.17 no.3
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• pp.232-236
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• 1985

The inhibiting properties of sodium benzoate on the dopachrome formation were investigated with crude enzyme preparations from homogenized tissues of raw potato tubers. The % inhibition of dopachrome formation was increased with increasing concentrations of sodium benzoate and decreasing concentrations of substrate, 3,4-dihydroxyphenylalanine(DOPA). The inhibiting action was gradually reduced with increasing temperature. Dopachrome formation tended to be greatly inhibited in the range of pH 3-5, while it revealed a sharp increase above pH 6. The results suggested that sodium benzoate might compete with the substrate for the enzyme.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.5
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• pp.503-511
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• 1995

금속/실리콘계에 대한 이온선 혼합시의 비정질상 및 결정상 형성여부를 예측할 수 있는 모델(ADF Model)과초기 결정상 예측 모델(PDF Model)의 적용을 실험적으로 조사하기 위하여 Ni/Si계에 대한 이온선 혼합을 온도와 이온선량을 변수로 하여 행하였으며 상형ㅅㅇ과정을 해석하였다. 이온선 혼합은 80keV가속기를 이용하여 상온~20$0^{\circ}C$의 온도 범위에서 1.0 $\times$ $10^{15}$Ar^{+}$/$cm^{2}$~2.0 $\times$ $10^{-16}$Ar^{+}$/$cm^{2}$의 이온선량을 변화시키면서 실험하였고, 상분석은 TEM과 GXRD를 이용하였다. Ni/Si게에 대한 ADF값은 0.804로 양의 값을 가지므로 이온선 혼합시 비정실상이 형성되고, $Ni_{2}$Si상이 다른 화합물상보다 훨씬 큰 음의 PDF값을 갖으므로 초기 결정상이 $Ni_{2}$Si가 될 것을 예측하였다. 이러한 예측은 실험결과와 매우 잘 일치하였다. 이상의 연구결과로부터 ADF 및 PDF모델을 이용하여 박막에서 형성되는 상을 보다 정확히 예측할수 잇음을 알 수 있었다.

• The Korean Journal of Zoology
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• v.36 no.1
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• pp.36-50
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• 1993

한국산 관박쥐(Rhinolophusfewmequinum Jroma의 웅성생식 pattern을 알아보기 위하여 정소의 형태변화와 세정관 정상피의 1년주기를 조사하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 정자형성은 5월에 시작되어 10월말에 완료되었다. 7월초부터 10월중순까지는 정자변태과정이며, 정자형성과정의 활성도가 가장 높은 달은 8월 중순경이었다. 또한 교미가 끝난 11월경부터 세정관내에는 미성숙한 정자세포가 Sertoli cell의 식작용과정의 일환으로 포식되어졌고, 91년 12월부터 92년 1월, 2월, 3월, 그리고 동면각성기인 4월의 실험군에서도 역시 점진적으로 식작용 과정을 관찰할 수 있었다. 교미가 끝난 후의 세정관 내에는 새로운 정자를 만들기 위한 준비단계로서 미성숙된 정자들이 Sertoli cell의 식작용에 의해 정화(cleaning)되므로 이 기간을 정화기간(cleaning time)이라 볼 수 있다. 따라서 정소내 세정관의 1년 주기를 볼 때 정화기간은 동면 개시기인 11월부터 익년 4월까지 약 6개월에 걸쳐 이루어 진다. 이상의 결과로 볼때, 정자형성은 동면각성 직후부터 시작하여 10월경에 완료되며 교미개시기에는 정지되고, 동면기 동안 정자형성이 일어나지 않는 점으로 보아 한국산 관박쥐는 'Pipistnfluspottem'에 속한다고 할 수 있다.

• Journal of Broadcast Engineering
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• v.8 no.2
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• pp.136-145
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• 2003

This paper proposes a DTV receiver using beamforming techniques to improve indoor and mobile reception. The proposed DTV receiver estimates the directions of arrival (DOAs) of incoming signals using Capon's DOA estimation method and generates an adaptive antenna beam pattern to the estimated DOA of the mainpath signal to Improve the channel condition. After beamforming, a following decision feedback equalizer (DFE) removes the remaining multipath components. The proposed receiver can be implemented with a conventional DTV receiver without anymodification. The performance of the proposed receiver is analyzed with modified Brazilian field test models, which include DOA information of Incoming signals. Simulation results show that the proposed receiver can satisfy the threshold of visibility (TOV) when input signal to noise ratio is slightly over 10 dB.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07a
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• pp.485-488
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• 2004

1M, 2M 황산망간 수용액에서 25회 dipping하여 대기중 $450^{\circ}C$에서 1시간동안 열분해법으로 Mn 산화물을 형성시켜 Mn $oxide/IrO_2/Ti$ 전극을 제조하였다. 제조된 Mn $oxide/IrO_2/Ti$ 전극은 XRD를 통하여 MnO의 결정구조를 가지는 것을 확인하였다. 또한 전극 표면은 열분해법으로 발생하는 가스에 의해 미소 균열이 형성되어 있었다. dipping 횟수가 증가할수록 피복되는 Mn 산화물의 무게는 감소하였고, 이것은 $450^{\circ}C$에서의 계속적인 열처리에 의해 열분해되어 제거되는 가스로 인해 무게가 감소됨을 알 수 있었다. 황산망간 수용액의 농도가 높으면 형성되는 Mn 산화물의 무게도 증가하였다. 황산망간 수용액에서 25회까지 dipping을 한 후 전기비저항의 변화는 초기 Mn 산화물이 형성되는 경우에는 비저항이 증가하다가, 일정 횟수 이상에서는 감소함을 알 수 있었다. 또한 황산망간 수용액의 농도가 클수록 비저항이 증가하는 것으로 나타났다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.10 no.2
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• pp.241-246
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• 2001

Single or dual ion implantations were performed onto the transparent polyethylene terephthalate(PET) sheet, and the surface hardness and the light transmittance in the visual-UV range were examined. Nanoindentation showed that the surface hardness was the highest at about 50 nm depth from the surface and was increased by about 3 times when nitrogen ions were implanted with energy and dose of 90 keV and $1\times10^{15}\textrm{/cm}^2$ respectively. When dual ions such as He+N and N+C ions were implanted into PET, the hardness was increased even more than the case only N ions were implanted. Especially, when PET were implanted with N+C dual ions, the surface hardness of PET increased 5 times more as compared to when implanted with N ions alone. The light at the 550 nm wavelength(visual range) transmitted more than 85%, which is close to that of as-received PET, and at the wavelength below 300 nm(UV range) the rays were absorbed more than 95% as traveling through the sheet. implying that there are processing parameters which the ion implanted PET maintains the transparency and absorbs the UV rays. It can be considered that the increase in the hardness of polymeric materials is attributed to not only cross linking but also forming hard inclusions such as hard C-N compounds, as evidenced by the formation of the highest hardness when both N and C ions are implanted onto PET.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.154-155
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• 2010

최근 Stranski-Krastanov (SK) 성장법을 이용한 자발형성 (Self-assembled) InAs/GaAs 양자점 (Quantum Dot) 연구가 기초 물리학뿐만 아니라 응용에 있어 활발하게 진행되고 있다. 그러나 기존 보고에 따르면 SK 성장법을 통한 InAs/GaAs 양자점은 크기, 균일도, 및 밀도 등의 성장거동 제어에 한계가 있다. 예로, 성장속도 및 증착양이 감소하더라도 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 클러스터 (Cluster)를 형성하여 크기분포의 불균일 및 결함을 야기하여 결과적으로 전기/광학적 특성을 저해하는 요인이 된다. 이를 개선하기 위한 방안으로 SK 성장법을 변형한 다양한 수정자발형성법이 제안되어 연구되고 있다. 본 논문에서는 기존 SK 성장법과 Arsenic-interruption Technique(AIT), In Pre-deposition (IPD)법을 각각 접목한 수정자발형성법을 이용하여 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 양자점 또는 클러스터 형성을 감소시켜 공간적 크기 균일도 및 밀도를 제어한 결과를 보고한다. 성장된 InAs/GaAs 양자점 시료의 구조 및 광학적 특성을 원자력간현미경 (Artomic Force Microscopy, AFM)과 Photoluminescence (PL) 분광법을 이용하여 분석하였다. 기존 SK 성장법을 이용하여 형성한 기준시료의 AFM 이미지에서 InAs/GaAs 양자점과 클러스터의 공간밀도는 각각 6.4*1010/cm2와 1.4*109/cm2로 관찰되었다. 그러나, AIT를 이용한 양자점 시료의 경우 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 클러스터는 관찰되어지지 않았고, 양자점 밀도는 8.4*1010/cm2로 SK 양자점에 비하여 30% 정도 개선되었다. 또한, InAs/GaAs 클러스터를 제외한 공간 균일도는 SK-InAs/GaAs 양자점의 15.6%에 비하여 8%로 크게 개선된 결과를 얻었다. AIT 성장법을 이용한 InAs/GaAs 양자점에서 원자의 이동거리 (Migration Length)의 제어로 양자점의 형성특성이 개선된 것으로 설명할 수 있으며, Arsenic 차단 시간이 임계점 이상으로 길어지면 다시 InAs/GaAs 클러스터들이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. InAs/GaAs 양자점과 클러스터 형성 특성이 초기 표면 조건에 어떻게 영향을 받는지 분석하기 위해, InAs 양자점 성장 이전에 V족 물질 공급 없이 Indium의 공급시간을 1초(IPDT1S 시료), 2초 (IPDT2S 시료), 3초 (IPDT1S 시료)로 변화시키면서 증착하고 기존 SK 성장법으로 양자점을 성장하였다 (IPD성장법). 그 결과 IDP1S 양자점 시료의 공간밀도가 10*1010/cm2로 SK InAs/GaAs 양자점 시료에 비해 약 60% 정도 증가하였고, 클러스터도 관찰 할 수 없었다. 그러나 IPD 시간이 증가할수록 다시 InAs/GaAs 클러스터들이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 InAs/GaAs 양자점 성장초기에 InAs 핵생성 사이트 (Nucleation site)의 크기 및 상태를 제어하는 것이 양자점의 밀도 및 균일도를 제어하는 중요한 요소임을 알 수 있다.