• The Journal of the Korean dental association
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• v.43 no.6 s.433
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• pp.368-383
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• 2005

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1999.10a
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• pp.447-450
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• 1999

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2004.04a
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• pp.67-67
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• 2004

• Journal of the korean veterinary medical association
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• v.36 no.1
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• pp.17-27
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• 2000

• 대한생식의학회:학술대회논문집
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• 1994.10a
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• pp.30.2-31
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• 1994

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1995.05a
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• pp.110-111
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• 1995

• KOREAN POULTRY JOURNAL
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• v.42 no.4
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• pp.190-191
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• 2010

• Korea Petroleum Association Journal
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• no.9 s.139
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• pp.81-94
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• 1992

이 자료는 지난 8월 18일 서울프라자 호텔에서 열린 해운산업연구원 주최 국제심포지움에서 발표된 내용을 옮긴 것이다.

• Proceedings of the Korean Printing Society Conference
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• 1995.11a
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• pp.1-3
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• 1995

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.76.2-76.2
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• 2010

질산 용액을 이용한 처리를 통해서 실리콘 웨이퍼 위에 누설 전류가 thermal oxidation 방법과 비슷한 수준의 얇은 실리콘 산화막을 형성할 수 있다. 이러한 처리 방법은 thermal oxidation에 비해서 낮은 온도에서 공정이 가능하다는 장점을 가진다. 이 때 질산 용액으로 68 wt% $HNO_3$을 쓰는데, 이 용액에만 넣었을 때에는 실리콘 산화막이 어느 정도 두께 이상은 성장하지 않는 단점이 있다. 그렇기 때문에 실리콘 웨이퍼를 68 wt% $HNO_3$에 넣기 전에 seed layer 산화막을 형성 시킨다. 본 연구에서는 p-type 웨이퍼를 phosphorus로 도핑해서 에미터를 형성 시킨 후에 seed layer를 형성 시키고 68 wt% $HNO_3$를 이용해서 에미터 위의 실리콘 산화막을 성장 시켰다. 이 때 보다 더 효과적인 seed layer를 형성 시키는 용액을 찾아서 실험하였다. 40 wt% $HNO_3$, $H_2SO_4-H_2O_2$, HCl-$H_2O_2$ 용액에 웨이퍼를 10분 동안 담그는 것을 통해서 seed layer를 형성하고, 이를 $121^{\circ}C$인 68 wt% $HNO_3$에 넣어서 실리콘 산화막을 성장시켰다. 이렇게 형성된 실리콘 산화막의 특성은 엘립소미터, I-V 측정 장치, QSSPC를 통해서 알아보았다.