지진해일은 진행속도가 빠르고 파장이 길며 파형의 변화 없이 먼 거리를 진행 할 수 있어 주변지역은 물론 멀리 떨어진 지역에도 심한 범람피해를 야기시킨다. 지진해일의 일반적인 특징으로 장파와 단파가 합성되어 있고 먼 거리를 전파할 경우 분산효과의 역할이 중요하게 된다. 특히 우리나라의 동해안에 영향을 주는 지진해일은 단주기파 성분이 강하고 파장에 비해 먼 거리를 전파하기에 분산을 고려하는 선형 Boussinesq 방정식을 지배방정식으로 사용하는 것이 바람직하다. 하지만 지금까지의 지진해일 전파모의를 위한 모형은 선형 Boussinesq 방정식의 복잡한 계산과 계산시간이 길다는 단점 때문에 선형 천수방정식을 지배방정식으로 사용하고 분산효과는 수치분산을 이용하여 고려해왔다. 지진해일 해석 시 일반적으로 사용되어 오던 기존의 leap-frog 유한차분 모형(Imamura et al., 1988; 조용식, 1996)은 지배방정식으로 선형 천수방정식을 사용하고 파의 분산효과는 수치분산을 이용하여 고려하므로 정해진 시간 간격에 대해 수심에 따라 격자 간격을 적절히 선택해야 하는데 수심이 복잡하게 변하는 경우 격자간격 조정이 불가능하여 분산효과를 정도 높게 고려할 수 없다. 이 문제점을 해결하기 위하여 윤성범 등(2004)은 파동방정식의 인위적인 분산항을 이용하여 Boussinesq 방정식의 분산효과를 고려할 수 있는 능동적인 분산보정기법을 제안하였고 Cho et al.(2007)는 일정한 수심에서 수치적인 분산오차가 Boussinesq 방정식의 물리적인 분산항을 대체하도록 수심, 격자 간격 및 계산 시간 간격 사이의 관계식을 유도하고 Boussinesq 방정식의 분산항과 일치하는 수치분산을 이용하여 실용적인 분산보정기법을 개발하였다. 이에 Ahn(2010)은 현재 컴퓨터의 계산 능력이 향상되어 선형 Boussinesq 방정식을 직접 차분하여 계산하는데 무리가 없다고 판단하여 선형 Boussinesq 방정식을 직접 차분한 모형을 개발하였다. 본 연구에서는 기존의 원해 지진해일 전파모의에 이용되어왔던 선형 천수방정식에 수치분산을 고려한 모형 대신 선형 Boussinesq 방정식의 유한차분 모형을 제안하였으며 기존의 선형 Boussinesq 방정식 모형의 격자와 수심간의 제약을 없애기 위해 차분 기법을 달리 한 2차 정확도의 유한차분 모형을 제안하였다. 검증을 위하여 선형 Boussinesq 방정식의 해석해(Carrier, 1991)와 비교하였다.
We synthesized the nonlinear optical (NLO) PI-SOT(polyimide system, 4-[N,N-bis(hydroxyethyl)amino-4,-($\beta$-cyano-$\beta$-methylsulfonyl)vinyl]azobenzene) polymer with high electro-optic coefficients as well as good thermal and temporal stabilities of the elector-optic coefficient ${\gamma}_33$ by the simple Mitsunobu reaction. By using the simple reflection method of C. C. Teng, we measured the thermal and temporal stabilities of the electro-optic coefficient ${\gamma}_33$ of corona-poled PI-SOT polymer at the wavelength of 632.8 nm and 852 nm, respectively. At the temperature of $20^{\circ}C$, the electro-optic coefficient ${\gamma}_33$ of corona-poled PI-SOT polymer were 25.12 pm/V at the wavelength of 632.8 nm and 5.40 pm/V at the wavelength of 852 nm. These values were highly stabilized for more than 60 days at 2$0^{\circ}C$ and stabilized within 6% for more than 10 hours at $100^{\circ}C$.
BACKGROUND: Plant growth under smart greenhouse (that is plant factory system) conditions of an artificial light type is significantly depending on the artificial light sources such as a fluorescent lamps or Light-Emitting Diodes (LEDs) with specific spectral wavelengths regardless of the outside environmental changes. In this experiment, characteristics on the growth and compound synthesis of kale seedlings affected by light qualities and intensities provided by LEDs were mentioned. METHODS AND RESULTS: The kale seedlings which developed 3~4 true leaves were exposed by fluorescent lamps or LEDs lights of red (R), blue+white (BW), blue+red (BR) with 50 (L) or $100(H){\mu}mol/m^2/s^1$ photosynthetic photon flux (PPF) under hydroponic culture system of deep flow technique for 50 days. Shoot fresh weight increased under the RH, BWH, and BRH treatments with higher PPF. Shoot elongation of the seedlings decreased, and polyphenol synthesis promoted by the higher light intensity conditions. Sugar synthesis in the leaves was above 2 times greater under the RH treatment of monochromic red light quality with $100{\mu}mol/m^2/s^1\;PPF$ than $50{\mu}mol/m^2/s^1\;PPF$. CONCLUSION: The results show that the control of light quality and intensity in the smart greenhouse conditions with artificial lights significantly affects the growth and compound synthesis in the fresh kale leaves with higher culture efficiency compared to the conventional soil culture under greenhouse or field conditions. Researches on the optimum light intensities of the LEDs with special spectral wavelengths are necessary for maximum growth and metabolism in the seedlings.
Kim, Jae-Myung;Kim, Kyung-Nam;Park, Joung-Kyu;Kim, Chang-Hae;Jang, Ho-Gyeom
Journal of the Korean Chemical Society
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v.48
no.4
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pp.371-378
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2004
The $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$ green emitting phosphor has been studied as a luminous device for CRT (Cathode Ray Tube) or FED (Field Emission Display) and EL (Electroluminescence). This phosphor, also, is under noticed for LED (Lighting Emitting Diode) phosphor, which makes use of excitation characteristics of long wavelength region. The $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$ phosphor was prepared generally conventional synthesis method using flux. However, this method needs high heat-treated temperature, long reaction time, complex process and harmful $H_2S$or $CS_2$ gas. In this works, therefore, we have synthesized $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$ using SrS, $Ga_2S_3$, and EuS as starting materials, and the mixture gas of 5% H2/95% N2 was used to avoid the $H_2S$or $CS_2$. We investigated the luminescence characteristic of $SrGa_2S_4:Eu^{2+}$ phosphor prepared in various synthesis conditions, performed post-treatment and sieving process for application to LED.
In this study, the push-pull structure polymer for organic photo voHaics (OPVs) was synthesized and characterized. The poly{4,8-didodecyloxybenzo[1,2-b;3,4-b]dithiophene-alt-5,6-bis(octyloxy)-4,7-di(thiophen-2-yl)benzo[c][1,2,5]-thiadiazole} (PDBDT-TBTD) was synthesized by Stille coupling reaction using the benzothiadiazole (BTD) derivative as an electron acceptor and benzodithiophene (BDT) derivative as an electron donor. The structure of monomers and polymers was identified by $^1H-NMR$ and GC-MS. The optical, physical and electrochemical properties of the conjugated polymer were identified by GPC, TGA, UV-Vis and cyclic voltammetry. The number average molecular weight ($M_n$) and initial decomposition temperature (5% weight loss temperature, $T_d$) of PDBDT-TBTD were 6200 and $323^{\circ}C$, respectively. The absorption maxima on the film was about 599 nm and the optical band gap was about 1.70 eV. The structure of device was ITO/PEDOT : PSS/PDBDT-TBTD : $PC_{71}BM/BaF_2/Ba/Al$. PDBDT-TBTD and $PC_{71}BM$ were blended with the weight ratio of 1:2 which were then used as an optical active layer. The power conversion efficiency (PCE) of fabricated device was measured by solar simulator and the best PCE was 2.1%.
Shinde, N.M.;Nam, Min Sik;Patil, U.M.;Jun, Seong Chan
KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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v.2
no.1
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pp.97-101
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2016
ZnO has nanostructured material because of unique properties suitable for various applications. Amongst all chemical and physics methods of synthesis of ZnO nanostructure, the hydrothermal method is attractive for its simplicity and environment friendly condition. Nanostructure ZnO thin films have been successfully synthesized on fluorine doped tin oxide (FTO) substrate using hydrothermal method. A possible growth mechanism of the various nanostructures ZnO is discussed in schematics. The prepared materials were characterized by standard analytical techniques, i.e., X-ray diffraction (XRD) and Field-emission scanning electron microscopy (SEM). The XRD study showed that the obtained ZnO nanostructure thin films are in crystalline nature with hexagonal wurtzite phase. The SEM image shows substrate surface covered with nanostructure ZnO nanrod. The UV-vis absorption spectrum of the synthesized nanostructure ZnO shows a strong excitonic absorption band at 365 nm which indicate formation nanostructure ZnO thin film. Photoluminescence spectra illustrated two emission peaks, with the first one at 424 nm due to the band edge emission of ZnO and the second broad peak centered around 500 nm possibly due to oxygen vacancies in nanostructure ZnO. The Raman measurements peaks observed at $325cm^{-1}$, $418cm^{-1}$, $518cm^{-1}$ and $584cm^{-1}$ indicated that nanostrusture ZnO thin film is high crystalline quality. We trust that nanostructure ZnO material can be effectively will be used as a highly active and stable phtocatalysis application.
Nano-sized ZnO crystals were successfully incorporated using ion exchange method in TMA-A zeolite synthesized by the hydrothermal method. The optimal composition for the synthesis of TMA-A zeolite was resulted in a solution of $Al(i-pro)_3$ : 2.2 TEOS : 2.4 TMAOH : 0.3 NaOH : 200 $H_2O$. 0.3 g of TMA-A zeolite and 5 mol of $ZnCl_2$ solution were employed for the preparation of ZnO incorporated TMA-A zeolite. The crystallization process of ZnO incorporated TMA-A zeolite was analyzed by X-ray diffraction (XRD). The incorporated nano-sized ZnO crystals and the crystallinity of TMA-A zeolite were evaluated by transmission electron microscopy (TEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The size of the incorporated nano-sized ZnO crystals was 3~5 nm, while the TMA-A zeolite was 60~100 nm. The bonding structure and absorption of the ZnO incorporated TMA-A zeolite were compared with the ZnO and TMA-A zeolite by the FT-IR analysis. Subsequentlly, the ZnO incorporated TMA-A zeolite showed the photoluminescent characteristics on the wavelengths of 330~260 nm and 260~230 nm by measurement of UV spectrophotometer.
Kim, Tae-Gyu;Shin, Yeong-Ho;Cho, Hyun;Kim, Jin-Kon
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.22
no.4
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pp.190-193
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2012
Transparent diamond-like carbon (DLC) films were synthesized on glass using radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition method from the gas mixture of $CH_4$, $SiH_4$ and Ar. The pressure, the rf-power, $CH_4/SiH_4/Ar$ ratio, and the deposition time were 0.1Torr, 100W, 20 : 1 : 1, and 20 min, respectively. The optical transmittances of DLC-deposited glass and uncoated glass were compared with each other in the visible light regions. The DLC-deposited glass showed transmittance of approximately 83 % and 95 % as compared to the uncoated glass for the wavelength of 380 nm and 500 nm, respectively. The hardness and roughness of DLC-coated glass have been measured by nanoindentation and AFM, respectively. The DLC-coated glass showed a little less or similar optical transmittance compared to the uncoated glass, while the hardness of DLC-coated glass was 2.5 times higher than that of the uncoated glass. The deposited DLC film had the very smooth surface and was thicker than 150 nm after deposition for 20 min.
Kim, Sung-Gu;An, Jun-Won;Kim, Nam;Lee, Kwon-Yeon;Seo, Ho-Hyung
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.02a
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pp.288-289
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2000
SBN, BSKNN KNSBN 등의 tungsten-bronze 계열에 속하는 광굴절 결정은 짧은 파장에서 좋은 감광도와 빠른 응답시간을 갖는다. 이중에서도 KNSBN 결정은 큰 크기의 결정 성장 및 도핑이 용이하고 광굴절 결정에서 중요한 특성 중 하나인 열 안정성(thermal stability)이 좋기 때문에 빠른 응답특성이 요구되는 응용분야에서 촉망받는 매질이다. 본 논문에서는 광정보저장, 광정보처리, 광컴퓨터, 광통신과 같은 다양한 분야에서 응용가능성을 가지는 Cu가 0.04wt.%도핑된 5mm$\times$5mm$\times$5mm 크기의 KNSBN 결정을 이용한 광신호의 증폭기술에 대하여 연구하였다. 먼저 Cu-KNSNB 결정의 2광파 결합 특성을 분석하기 위하여, 기록 파장에 따른 지수이득계수의 외부입사각의존성, 최대 지수이득계수를 나타내는 외부입사각에서 입사빔의 세기비에 따른 2광파 결합 이득을 측정하였다. 또한, 632.8nm파장 영역에서 기록 및 삭제시간 상수, 회절 효율의 입사빔 세기비 의존성을 측정하였다. 그리고, 음향-광학 변조기(AOM: acousto-optic modulator)에 의해 진폭 변조된 신호빔을 이용하여 광신호 증폭특성을 분석하고 그 결과를 제시하였다. 이때 두 빔의 입사각은 최대 지수이득계수를 나타내는 입사반각 12$^{\circ}$로 고정하고, 감쇄기를 이용하여 신호빔의 세기를 조절하면서 신호빔의 차동이득을 측정하였다. 투과된 신호빔은 같은 주파수에서 차동 이득(diffrerential gain)을 보였으며, 이는 moving grating과 시간-변조된 신호빔(또는 펌프빔)사이의 새로운 상호작용은 광굴절 결정의 시간 적분 특성에 의한 것이다. (중략) 경우는 상온에서 펌프 펄스의 유지시간이 0.5% 인 경우 레이저가 동작하는 것을 보여주었다. 이는 구조내에서 열전도가 문제가 된다는 것을 의미하는데 위아래가 공기로 둘러 싸여 있어 발생한 열이 가는 유전체 네트웍을 통해서만 전달 될 수 있기 때문이다. (중략)$^4$A$_2$에 의한 nophonon line R$_1$, R$_2$(680.4, 678.5 nm) 및 $^2$T$_1$$\longrightarrow$$^4$A$_2$(655.7, 649.3, 645.2 nm)의 형광방출 스펙트럼을 얻었으며, 형광수명은 0.264 ms로 조사되었다. 제조된 레이저 발진봉은 직경 6.3 m, 길이 45 nm이었다.\pm$0.06kHz Ge $F_4$; -1.84$\pm$0.04kHz$0.04kHz/TEX>0.04kHz 모국어 및 관련 외국어의 음운규칙만 알면 어느 학습대상 외국어에라도 적용할 수 있는 보편성을 지니는 것으로 사료된다.없다. 그렇다면 겹의문사를 [-wh]의리를 지 닌 의문사의 병렬로 분석할 수 없다. 예를 들어 누구누구를 [주구-이-ν가] [누구누구-이- ν가]로부터 생성되었다고 볼 수 없다. 그러므로 [-wh] 겹의문사는 복수 의미를 지닐 수 없 다. 그러면 단수 의미는 어떻게 생성되는가\ulcorner 본 논문에서는 표면적 형태에도 불구하고 [-wh]의미의 겹의문사는 병렬적 관계의 합성어가 아니라 내부구조를 지니지 않은 단순한 단어(minimal $X^{0}$ elements)로 가정한다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.17
no.5
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pp.204-209
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2007
We synthesized a series of $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ red-emitting phosphors for application in phosphor-converted three-band white light emitting diode(LED). The photoluminescence and structural properties of $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ were examined. The $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ phosphors have a strong absorption at 455 nm, which is the emission wavelength of a blue LED. CaS:Eu has a red omission peak at 651 nm due to the $4f^65d^1(T_{2g}){\rightarrow}4f^7(^8S_{7/2})$ transition of the $Eu^{2+}$. The emission peak of $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ is shifted from 651 to 598 nm with increasing Se content. $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ can be used as wavelength-tunable red-emitting phosphors pumped by a blue LED. We also fabricated a three-band white LED by doping $SrGa_2S_4:Eu$ and $CaS_{0.50}Se_{0.50}:Eu$ phosphors onto a blue LED chip.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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