Purpose: The purpose of this study was to estimate life time of halogen lamps and acceleration factors using accelerated life test. Methods: Voltage was selected as an accelerating variable through the technical review about failure mechanism. The test was performed at 14.5V, 15.5V and 16.5 for 4,471 hours. It was assumed that the lifetime of Halogen lamps follow Weibull distribution and the inverse power life-stress relationship models. Results: Mean lifetimes of pin and screw types were 19,477 hours and 6,056 hours, respectively. In addition, acceleration factor of two items are calculated as 4.8 and 2.2 based on 15.5V, respectively. Conclusion: The life-stress relationship, acceleration factor, and MTTF at design condition are estimated by analyzing the accelerated life test data. These results suggest that voltage was very important factor to accelerate life time in the case of halogen lamps and the life time of pin type is three times longer than screw type lamps.
Halogen lamp was applied to fabricate the selective emitter crystalline silicon solar cell. In selective emitter structure, the recombination of minority carriers is reduced with heavily doped emitter under metal grid, consequently improving the conversion efficiency. Laser selective emitter process which is recently used the most generally induces the damage on the silicon surface. However the lamp has enough heat to form heavily doped emitter layer by diffusing phosphorus from PSG without surface damage. In this work, we have studied to find the design and the suitable condition for halogen lamp such as power, time, temperature and figured out the possibility to fabricate the selective emitter silicon solar cell by lamp heating. The sheet resistance with $100{\Omega}/{\Box}$ was lower to $50{\Omega}/{\Box}$ after halogen lamp treatment. Heat transfer to lightly doped emitter region was blocked by using the shadow mask.
본 연구에서는 텅스텐 할로겐 램프를 사용한 RTA(or RTP) 장치를 제작하여 웨이퍼 가장자리와 내부사이의 서로 다른 반사계수를 갖는 반사판을 사용하여 $1300^{\circ}C$에서 최소 2개까지 슬립 (${\2"}$ wafer) 발생억제 효과를 얻을 수 있었다. 뿐만 아니라 웨이퍼 주위에 흑연환을 씌워 경계에서 잃는 온도 보상효과를 주어 슬립 생성을 억제시킬 수 있었다. 또한 소모전력감소 및 슬립현장을 동시에 줄이기 위한 또 다른 방법으로 Two-channel heating을 제시하였다.
In case of the rapid thermal process by halogen lamps, an optical pyrometer is generally used to measure the temperature. It is, however, necessary to measure the temperature by the thermocouple when the process temperature is lower than 700$^{\circ}C$ and the correction of the temperature is required. Contact by the PdAg paste is commonly used out but in this case it is impossible to see the effect of surface states of the substrate, which is critical in the rapid thermal process. In this study, real temperature ramping speed of silicon substrates coveredwith various thin films such as SiO$_2$2, Si$_{3}N_{4}$, dopants, and conductive layers (Ti or Co) was investigated by a mechanical contact of the thermocouple. And the results were compared with the case in which the contact was made by the PdAg paste. Effect of process ambient was also studied. It was found that depending on the surface state, overshoot more than 100$^{\circ}C$ could occur. It was also found that in case of the substrate covered with conductive layers, mechanical contact might render the correct temperature.
본 고에서는 쇼윈도 크기, 조명, 그리고 디스플레이간의 관계를 고찰하였다. 그 결과, 대구지역 쇼윈도의 평균공간 크기는 폭 341.3[cm], 높이 233.4[cm]였다. 광원은 할로겐램프, 형광등, 백열등의 순으로 사용되었고, 2가지 이상의 광원이 병용되며 국부조명법이 주로 사용되었다. 상점종사자들의 디스플레이와 조명에 대한 의식에서는 디스플레이의 필요성이나 중요성에 대해 잘 인식하고 있으나 조명효과가 상품의 색, 진열방법 등과 같은 다른 요소와 조화를 이루어야 한다는 점은 과소평가되고 있다.
할로겐 램프를 열원으로 하는 image furnace를 사용하여 소위 traveling solvent floating zone법에 의해 Mg TiO3(가이킬라이트) 고용체 단결정을 육성했다. 육성된 결정은 직경 8mm, 길이 100mm이였으며 성장측은(1010)이었다. MgTiO, 상은 고온에서 일정한 공용영역을 나타내고 있으며 완만한 속도로 냉각시키면 TiO, 성분이 결정학적 방위의 콘트롤을 받아 (0001)면에 평행하게 용출됨으로써 광채효과를 나타낸다. 육성된 boul은 검은색을 띠고 있으나 1100℃ 산소분위기에서 annealing시킬 경우 반투명한 단양한 색깔을 보여 준다. 따라서 가이킬라이트는 새로운 종류의 인공캣츠아이로 활용될 수 있다.
자유수면 근처에서의 박리유동 현상을 수치 시뮬레이션 방법과 유선 가시화 시험 방법으로 연구하였다. 수치 시뮬레이션은 물체표면에서 유기되고 확산(diffusion) 및 대류(convection)에 의해 유동중으로 박리되어 방출되는 보오티시티(vorticity)를 다수의 보오텍스로 치환하여 유동의 변화와 유체력을 구하는 보오텍스블럽 법을 사용하여 수행하였다. 이 방법으로 대규모의 와류의 생성 및 변화를 추정할 수 있으며 또한 자유수면과 와류유동의 상호간섭현상 그리고 동 유체력 등을 추정할 수 있었다. 유선 가시화 시험은 해사기술연구소의 공동수조에서 수행하였으며, 직류 전원에 의해 얻어진 수소기포를 가시화 입자로 이용하였다. 조명장치는 할로겐 램프를 이용하였고, 연속사진을 가시화의 결과로 사용하였다. 또한 자유수면의 시간적 공간적 변화를 파고계를 이용하여 계측하고 이로부터 와류유동의 변화 주기를 추정하였다.
광학 현미경을 이용한 포토리소그래피 방법을 통해 단일 나노선에 선택적 전극을 형성하였다. $SiO_2$ 기판에 나노선을 도포하여 사용하였고 수 마이크로미터 길이의 단일 나노선에 2단자 전극을 형성하는데 충분한 resolution을 얻을 수 있었다. 리소그래피 노광 광원으로는 현미경에 내장된 할로겐 램프를 사용하였고, 동일 광원으로 관측하기 위해 광학 필터를 사용하였다. 실험 상황에 따라 금속, OHP 필름, 종이 등의 재질로 다양한 마스크를 제작하여 사용하였다. 대물렌즈의 교환을 통해 다양한 projection 배율을 구현하였다.
본 연구에서는 딸기의 당도예측모델을 개발하기 위하여 수행하였으며, 딸기의 당도판정에 보다 적합한 조명장치를 설계하기 위해 조명의 영향을 구명하고, 딸기의 당도예측 모델을 개발하였으며, 주요연구 결과는 다음과 같다. 조명방법에 따른 당도 예측 성능을 비교한 결과 4개의 램프로 시료를 직접 조명하는 경우 $r_{SEP}$= 0.603, SEP = 0.502$^{\circ}$Bx으로 나타났으며, 광 화이버로 빛을 유인하여 국부적으로 시료에 점 조명한 경우(광 화이버 3개 사용)에는 $r_{SEP}$= 0.715, SEP = 0.433$^{\circ}$Bx으로서 후자가 더 좋은 성능을 나타내었다. 또한 램프 반사면의 금 코팅 유무에 따른 당도판정 성능시험을 실시한 결과 금 코팅된 할로겐램프를 사용한 경우 $r_{SEP}$= 0.837, SEP = 0.510$^{\circ}$Bx으로서 그렇지 않은 경우의 $r_{SEP}$= 0.756, SEP = 0.580$^{\circ}$Bx보다 양호한 결과가 나타나 금 코팅에 대한 당도판정 효과가 있는 것으로 나타났다. 딸기 당도판정을 위한 최적 회귀모델을 개발하기 위하여 PLSR과 PCR을 이용하였다. 전처리를 하지 않은 경우 $r_{SEP}$= 0.860, SEP=0.498$^{\circ}$Bx로 양호한 결과가 나타났으나, 가장 좋은 결과는 상기에서 언급된 최적의 조명상태에서 측정된 스펙트럼 데이터에 OSC 전처리를 한 경우 $r_{SEP}$= 0.891, SEP = 0.443$^{\circ}$Bx, LV=14로 가장 양호한 결과를 나타내었다. 한편, PCR을 이용한 당도 예측은 전처리를 하지 않은 경우 $r_{SEP}$= 0.845, SEP = 0.520$^{\circ}$Bx, LV=17으로서 DT 전처리에서의 $r_{SEP}$= 0.845, SEP = 0.521$^{\circ}$Bx, LV=17보다 오히려 높게 나타나 전처리에 따른 효과는 없는 것으로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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