• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.4
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• pp.434-441
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• 1994

메탄과 수소 혼합가스로 직류 플라즈마 화학 증착법을 이용하여 방전전류 반응압력 메탄농도 및 피착체의 온도를 변화시키면서 다이아몬드 유산탄소 박막(DLCF)을 Si(111)-웨이퍼 위에 합성하였다. 주 사전자 현미경(SEM)과 레이져 Raman 스펙트로포토메터로 확인된 양질의 DLCF를 얻은 조건은 방전전 류 반응 압력, 메탄농도 그리고 피착체의 온도가 각각 480mA, 32 Torr, 1.0 vol% 및 85$0^{\circ}C$ 였다. 이 DLCF는 대부분 sp3 탄소결합으로 된 구형의 알갱이들로 구성되어 있고 그굴절률은 2.2로 천연다이아몬 드와 비슷한 값을 가지고 있다. 또한 DLCF 성장에서 수소피복이 매우 중요한 것으로 밝혀졌다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.27 no.4
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• pp.513-520
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• 1990

Diamond film was deposited on Si wafer substrate from a gas mixture of methane, hydrogen and oxygen by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition. The effects of the pre-treatments of the substrate and of the oxygen addition on the diamond film synthesis are described. In order to obtain diamond film, the substrate was pre-treated with 3 kinds of methods. When the substrate was ultrasonically vibrated within the ethyl alcohol dispersed with 25${\mu}{\textrm}{m}$ diamond powder, the denset diamond film was deposited. Addition of oxygen in the gas mixture of methane and hydrogen improved the crystallinity of the deposited diamond film and also increased the deposition rate of the diamond film more than two times.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.121.2-121.2
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• 2014

Synthesis of catecholamine from aniline is achieved by plasma enhanced CVD process. Catecholamine has a variety of functions in body such as brain and bloodstream controls. Catecholamine also has an interesting property of a material independent ability of functionalizing surface, which is found at mussels' adhesive nature. Synthesis of catecholamine has only been available from DOPA by chemical reduction and oxidation. This study presents the direct synthesis of catecholamine from further elemental source, aniline, which has not been achieved by a conventional chemical method. The process also indicates that a variety of catecholamine can be formed by controlling reactant gases. In additional to PECVD's very useful properties such as conformal, ultrathin and uniform coatings, a direct synthesis from aniline and a capability of controlling formation of a variety catecholamine is believed to open up a numerous applications.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2006.05a
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• pp.473-474
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• 2006

Aligned carbon nanotubes(CNTs) array were synthesized using direct current plasma-enhanced chemical vapor deposition. The nickel microgrids catalyzed the growth of carbon nanotubes which take on the area of the nickel microgrids. Selective growth of areas of nanotubes was achieved by patterning the nickel film. CNTs were grown on the pretreated substrates at 30% $C_2H_2:NH_3$ flow ratios for 10min. Carbon nanotubes with diameters about 20 nanometers and lengths approximately 720 nanometers were obtained. Morphologies of carbon nanotubes were observed by FE-SEM and TEM.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.37-37
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• 2011

반도체 칩의 빠른 성장에는 Si을 기본으로 한 산화막 또는 질화막 재료의 공헌이 크다. 하나의 반도체 소자를 만드는 데 있어, 산화막(SiO2)과 질화막(Si3N4)은 각각 다양한 두께와 다양한 방법으로 제조되고 있기 때문이다. 또한 차세대 소자제작을 위해 사용되는 미세 patterning 방법으로 dual patterning 방법을 사용하는데 이는 ALD나 CVD를 이용한 저온 SiO2 증착공정을 기반으로 하고 있다. 이러한 Si 기반 소재 개발이나 공정개발을 위해 많은 Si 전구체가 개발되어지고 있지만 적합한 전구체를 선별하기는 어려운 실정이다. 본 연구에서는 FT-IR (Fourier transform-infrared)을 이용하여 개발된 전구체의 기상안전성 및 반응성을 실시간으로 진단하여 기존의 전구체와의 차별성을 확인하고 우수한 전구체를 선별하기 위한 연구를 진행하였다. 이를 위해 특별히 제작된 가스셀을 사용하여 열 및 플라즈마 상태변화에서의 분자상태 변형을 진단하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.258-258
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• 2011

Solar Cell의 TCO로써 연구중인 ZnO 박막을 제조함에 있어 Remote ICP PECVD 방법으로 개발된 공정기술을 응용하여 공정 변수인 소스간의 혼합비율, 공정압력, 공정온도, 플라즈마 파워 등의 공정조건을 조절하여 박막의 표면구조 및 (박막) 특성을 제어하는 것이 가능하다. 공정조건을 조절하여 박막두께와 표면결정크기를 변화시킴에 따라 광학적 특성의 변화가 발생하였으며 표면결정크기와 Haze 율이 관계가 있음을 확인하였다. 일반적으로 CVD 법에 의한 ZnO 박막의 표면결정크기는 박막의 두께가 증가함에 따라 성장하지만 공정조건의 조절을 통해 동일두께에서 결정크기의 조대화가 가능함을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.293-293
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• 2014

The applicability of graphene has been demonstrated in the electronic fields. But, high performance of graphene is limited by the contact resistance (Rc) at the metal-graphene interface. Recently, Rc was found to be improved by forming edge-contacted graphene via theoretical simulation. Based on the differences between the surface and edge contacts at the M-G interface, we demonstrate "edge-contacted" graphene through the use of a controlled plasma processing technique that generates the edge structure of the bond and significantly reduces the contact resistance. The contact resistance attained by using pre-plasma processing was of $270{\Omega}{\cdot}{\mu}m$. Mechanisms of pre-plasma process leading to low Rc was revealed by SEM and Raman spectroscopy. In the end, controlled pre-plasma processing enabled to fabricate CVD-graphene field effect transistors with an enhanced adhesion and improved carrier mobility.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.43 no.2
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• pp.312-317
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• 1994

We studied the fabrication and electrical characteristics of high voltage hydrogenerated amorphous silicon thin film transistor using plasma enchanced chemical vapor deposition(PECVD). The device shows 2500${\AA}$ SiOS12T, 400-1500${\AA}$ a-Si tickness, 350V output voltage and 9.55${\times}$10S04T average on/off current ratio. We found that the leakage current of high voltage TFT occurred 0-70V drain voltage. As the leakage current depend on the a-Si thickness, the leakage current of high voltage TFT decreased by reduction of the a-Si thickness.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.3 no.2
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• pp.56-60
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• 1988

반도체 가스의 순도에 따라 반도체 박막의 특성이 좌우되기 때문에 현재의 고순도 가스에서 초고순도 가스로 사용하여야 한다. 최근 반도체 공정기술은 화학증착법으로 많은 특수 가스를 사용하는데 이런 가스들은 사전에 가스에 대한 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야만 고성능화 공정기술이 가능하다. 반도체용 가스는 회로의 집적도가 높아짐에 따라 요구되는 가스의 품질이 점점 고순도화되고 있다. 따라서 현 반도체 공정에 사용되는 가스 순도를 초고순도화 시켜야만 초고집적 소자인 4M DRAM, 16M DRAM, 64M DRAM 제품 개발 및 제조가 가능하다. 다시말해서 공정에 따른 주변조건이 이루어져야 만 반도체 산업이 크게 신장 할 수 있다. 최근 반도체 공정 기술로는 플라즈마(Plasma), 드라이에칭(Dry etching), CVD(Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), Ion Implantation, EPI 공정으로 거의 대부분 공정 가스가 가연성, 폭발성, 독성, 부식성 이기 때문에 한번 취급을 잘못하면 막대한 인명 및 재산 피해를 입히므로 취급상 특별한 주의를 요하고 사전에 가스의 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2011.10a
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• pp.886-887
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• 2011

To obtain a transparent electrode, AZO thin film was deposited on SiOC film with various flow rates by rf magnetron sputtering system. SiOC film was deposited with various DMDMOS/O2 flow rate ratio by CVD, The optical electrical properties of the SiOC film and SiOC/AZO were analyzed by the uv visible spectrometer and 4 point prove system. The reflectance of SiOC/AZO film was changed in compared with that of SiOC film. The resistance was decreased with low RF power because of increasing the concentration of carriers.