• 전력전자학회논문지
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• 제6권5호
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• pp.394-399
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• 2001

반도체 생산 공정에 있어, 저압 화학적 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)과 프라즈마 강화 화학적 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정 후 발생된 환경 유해 가스를 효과적으로 세정하기 위한 장비인 건식 세정기(dry scrubber)의 전원장치에 대한 연구이다. 주 전력회로는 1500W, 스위칭주파수 100kHz의 위상 변위 풀 브리지(Phase Shift Full-Bridge)방식의 인버터와 100kHz 저역 통과 필터 및 임피던스 변환기로 구성되었다 모드해석과 모의실험을 통하여 회로방식의 타당성을 확인하였고 50$\Omega$ dummy load 및 chamber 실험을 통하여 다양한 부하조건에서도 프라즈마를 안정되게 발생시킬 수 있음을 확인하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권3호
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• pp.277-283
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• 1996

The temperature dependent characteristics of hydrogenerated amorphous silcon thin film transistor (a-Si:H TFT) with a bottom gate of N-Type <100> Si wafer were investigated. Drain current on the hysteresis characteristic curve showed an exponential variation. Hysteresis area of TFT increased with the gate voltage increased and decreased with the small gate voltage. According to the variation of gate voltages, drain current of TFT increased by temperature increase, and hysteresis characteristics mainly depended on the temperature increase. The hysteresis current showed negative characteristics curve over 383K. The hysteresis occurance area and the differences of forward and reverse sweep were increased at the higher temperature. Hysteresis current of I$_{d}$(on/off) ratio decreased at the lower temperature and increased at the higher temperature.e.