• Title/Summary/Keyword: 표면에칭

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Analysis of Optical Process Depending On Texturing Process of Si Wafer (실리콘 웨이퍼의 표면조직화에 따른 광학적 특성분석)

  • Oh, Teresa
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.15 no.11
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    • pp.2439-2443
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    • 2011
  • To obtain the effect of texturing process in Solar cells, the Si-wafers were textured by using the IPA+DI water mixed etching solution with KOH alkaline. All samples were analyzed by the scanning electron microscopy for the surface images, and it was researched the correlation between the efficiency of optical properties and the effect of texturing. From the results of the surface images obtained by SEM, mc-Si wafer shows a isotropic surface but sc-Si wafers displays the unisotropic surface. The reflectance was improved at the sc-Si wafer textured uniformly, and the reflectance of over etched-samples increased.

Effect of Hydrofluoric Acid Etching on Shear Bond Strength between Resin Cement and Zirconia cores (표면 불산처리가 레진시멘트와 지르코니아 하부구조물의 전단결합강도에 미치는 영향)

  • Kim, Sa-Hak;Kim, Sun-Moon;Kim, Chong-Kyen
    • The Journal of the Korea Contents Association
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    • v.18 no.10
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    • pp.361-367
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    • 2018
  • The purpose of this study was to evaluate the influence of hydrofluoric acid etching treatment on the bonding strength of yttria-stabilized tetragonal zirconia polycrystal(Y-TZP). Four groups of zirconia-resin cement specimens were prepared; 1) ZGS group (zirconia, no treatment), 2) ZGSH group (zirconia, hydrofluoric acid etching treatment) 3) H-ZGS group (Hybrid zirconia, no treatment) 4) H-ZGSH group (Hybrid zirconia, hydrofluoric acid etching treatment). The shear bond strength between zirconia and porcelain was measured using a Instron Universal Testing Machine(Model DBBP-500, Instron Corporation, Kyonggi, Korea). Data were statistically analyzed using independent t-test and two-way ANOVA(${\alpha}=0.05$). The ceramic-resin cement bonding strength was affected by hydrofluoric acid etching treatment(p<0.05). Digital microscope examination of the fracture surface showed mixed failures with adhesive and cohesive types in hydrofluoric acid etching treatment with treated zirconia and hybrid zirconia groups.

Effect of plasma etching on DLC films prepared by RF-PECVD method (RF-PECVD법에 의해 합성된 DLC 박막에 대한 plasma etching의 영향에 대한 연구)

  • Oh, Chang-Hyun;Yun, Deok-Yong;Park, Yong-Seob;Cho, Hyung-Jun;Choi, Won-Seok;Hong, Byung-You
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.315-315
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    • 2007
  • 본 논문에서는 DLC (Diamond-like carbon)박막이 가지는 높은 경도, 낮은 마찰계수, 전기적 절연성, 화학적 안정성 등의 특성을 이용하여, 리소그래피를 위한 resist나 hard coating물질로써 응용하기 위해, DLC 박막의 에칭에 관한 연구를 진행하였다. DLC 박막의 합성 과 에칭은 13.56 MHz RF plasma enhanced vapor deposition technique를 통해 이루어졌으며, DLC 박막은 150 W의 RF Power에서 메탄 $(CH_4)$과 수소$(H_2)$ 가스를 이용하여 약 300 nm의 두께로 제작되었으며, DLC박막의 에칭은 RF power의 변화 (50~250 W)와 산소 $(O_2)$가스의 유량변화 (5~25 sccm)에 따라 실시하였다. 에칭 되어진 DLC 박막의 표면 특성들은 AFM (atomic force microscopy)과 contact angle 장치를 사용하여 측정되었고, 측정된 결과로써 DLC 박막은 RF power와 산소 가스의 유량이 높을수록 etching rate는 증가하였고, 박막의 표면은 거칠어졌으며, 결국 DLC 표면에서는 산소에 의한 결합의 증가로 인해 친수성을 나타내었다.

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Surface Modification Method of Stainless Steel using Electrochemical Etching (전기화학적 에칭을 이용한 스테인리스 스틸의 표면 개질)

  • Lee, Chan;Kim, Joonwon
    • Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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    • v.31 no.4
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    • pp.353-358
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    • 2014
  • This paper reports a simple, yet effective 1-step surface modification method for stainless steel. Electrochemical etching in dilute Aqua Regia forms hierarchical micro and nanoscale structure on the surface. The surface becomes highly hydrophobic (${\sim}150^{\circ}$) as a result of the etching in terms of static contact angle (CA). However the liquid drops easily pinned on the surface because of high contact angle hysteresis (CAH), which is called a "petal effect": The petal effect occur because of gap between surface microstructures, despite of intrinsic hydrophobicity of the base material. The pore size and period of surface structure can be controlled by applied voltage during the etching. This method can be applied to wide variety of industrial demand for surface modification, while maintaining the advantageous anti-corrosion property of stainless steel.

Sputtering으로 증착된 금(Au) 박막과 사파이어(Al203) 모재사이의 입계반응

  • 박재원;이광원;최병호
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.142-142
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    • 1999
  • 열역학적 평형하에서 금(Au)은 사파이어(Sapphire: 다결정 Al203)와 반응을 하지 않으므로 접합성이 약하나 사파이어표면을 Ar 이온으로 에칭한후 금박막을 증착하였을 때 후 열처리 없이도 대단히 강한 접합(>70MPa)이 얻어졌다. 접합기구를 규명하기 위해 고 해상도 Auger 전자광분광기로 금/사파이어 쌍의 입계에 Ai-Al-O 화합물이 1-2 원자층 범위내에서 형성되어 있고 7KeV의 Ar 이온에너지로 3분간 조사하을 때 사파이어표면에 환원으로 인한 금속알루미늄이 형성되어 있음이 발견되었다. 이 이온조사로 인한 환원은 선택적 에칭으로 인한 것으로 TRIM 계산결과와도 일치하는 것이다. 따라서 금박막과 이온조사된 사파이어 사이의 강한 접합은 이온조사로 인한 사파이어 표면에 충돌할 때의 운동 에너지가 구동력이 되어 Au-Al-O 화합물의 형성으로 결론될 수 있다.

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