• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.05a
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• pp.206-209
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• 2002

본 논문에서는 폴리실리콘의 재결정화 공정에서 발생하기 쉬운 폴리실리콘의 엉김현상, 슬립, 부분적인 실리콘 기판의 녹음현상 등을 방지하기 위한 방법을 제시한다. 그리고 재결정화 된 박막의 질을 향상시키기 위한 폴리실리콘과 보호 산화막(capping oxide)의 두께 변화에 따른 실험 결과를 살펴본다. 폴리실리콘의 엉김현상은 매몰 산화막(buried oxide)과 액체 상태의 실리콘 사이의 wetting angle과 관계되는데, 이를-방지하기 위해서는 재결정화할 폴리실리콘과 산화막의 계면에 질소를 주입시켜주면 되는데, 이는 재결정화할 시료를 암모니아 가스 분위기에서 열처리를 통하여 해결할 수 있다. 그러고 실러콘 기판의 국부적 녹음 현상 및 슬립은 실리콘 기판의 윗면을 mechanical damage에 의해서 약 $20{\mu}m$ 정도의 거칠기를 가지도록 하면 이러한 현상을 방지할 수 있다. 그러고 폴리실리콘이 재결정활 될 때 부피의 변화가 발생하며, 이로 인하여 재결정화된 박막의 두께는 위치에 따라 변화한다. 재결정화된 박막 두께의 균일도를 유지하기 위해서는 재결정화할 폴리실리콘 두께의 3배 이상이 되는 보호 산화막을 사용하였을 때 원하는 균일도를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.244.2-244.2
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• 2016

폴리 실리콘 박막은 저온 안정성, 산화 안정성, 가스 투과성 및 전기재료로서의 우수한 물성 때문에 산업에서 계속적으로 넓게 쓰이고 있다. 특히 최근 높은 색 재현율과 고화질로 각광을 받고 있는 능동형 유기발광 다이오드 (AMOLED)를 위한 Thin Film Transistor (TFT)는 신뢰성 및 우수한 특성이 요구되기 때문에 반드시 폴리실리콘 TFT가 적용되어야 한다. 이러한 이유 때문에 아모포스 실리콘을 폴리실리콘으로 결정화 시키는 방법들이 많이 연구 되어져왔다. 이 연구에서는 아모포스 실리콘 박막을 고품질의 폴리실리콘 박막으로 제조하기 위해, 기판에 positive DC 전압을 펄스 형태로 인가함으로써, 기판에 입사되는 전자를 이용한 열처리 방법을 사용하였다. 열처리 온도는 기판에 들어오는 current값을 조절함으로써 제어할 수 있었다. 열처리를 위해 사용 된 수소화 된 아모포스 실리콘은 Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)장비로 530도에서 증착 되었으며, 이러한 아모포스 실리콘 박막은 공정시간 60 s 이내에 샘플 표면온도가 600도 이상으로 증가함으로써 균일한 폴리실리콘 막으로 제조 되었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.2 no.3
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• pp.180-190
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• 1992

Some solutions to several major problems in ZMR such as agglomeration of polysilicon, slips and local substrate melting are described. Experiments are performed with varying polysilicon thickness and capping oxide thickness. The aggmeration can be eliminated when nitrogen is introduced at the capping oxide layer-to-polysilicon interface and polysilicon-to-buried oxide layer interface by annealing the SOI samples at $1100^{\circ}$ in $NH_3$ ambient for three hours. The slips and local substrate melting are removed when the back surface of silicon substrate is sandblasted to produce the back surface roughness of about $20{\mu}m$. The subboundary spacing increases with increasing polysilicon thickness and the uniformity of recrystallized SOI film thickness improves with increasing capping oxide thickness, improving the quality of recrystallized SOI film. When the polysilicon thickness is about $1.0{\mu}m$ and the capping oxide thickness is $2.5{\mu}m$, the thickness variation of the recrystallized SOI film is about ${\pm}200{\AA}$ and the subboundary spacing is about $70-120{\mu}m$.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.6 no.3
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• pp.261-264
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• 2005

The 90 nm gate pattern technology have been virtualized by employing the hard mask and the planarization of fate poly silicon. We fabricated 70nm poly-Si on $200 nm-SiO_2/p-Si(100)$ substrates using low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) to investigate roughness evolution by varying rapid annealing temperatures. The samples were annealed at the temperatures of $700^{\circ}C\~1100^{\circ}C$ for 40 seconds with a rapid thermal annealer. The surface image and the surface roughness were measured by a field emission scanning electron microscopy (FESEM) and an atomic force microscopy (AFM), respectively. The poly silicon surface became more rough as temperature increased due to surface agglomeration. The optimum conditions of poly silicon planarization were achieved by annealed at $700^{\circ}C$ for 40 seconds.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.136-136
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• 2010

본 연구에서는 귀금속 촉매 식각법을 이용하여 고효율의 태양전지 응용을 위한 p형 실리콘 와이어 어레이를 제조 하였다. 실리콘 와이어 어레이를 기판에서 분리하기 위해 고무 상의 고분자인 폴리디메틸실록산 (polydimethylsiloxane)을 스핀 코팅을 이용하여 실리콘 와이어 어레이 위에 증착하였다. 희석제의 함량과 스핀코팅의 회전수에 따라 폴리디메틸실록산의 박막두께를 조절하였으며, 기계적 방법으로 실리콘 와이어 어레이를 기판에서 분리할 수 있음을 보여주었다.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.32 no.3
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• pp.546-567
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• 2015

Silicone-based surfactants consist of a hydrophobic organosilicone group coupled to one or more hydrophilic polar groups, while the hydrophobic groups of hydrocarbon surfactants are hydrocarbons. Silicone surfactants have been widely used in many industrial fields starting from polyurethane foam to construction materials, cosmetics, paints & inks, agrochemicals, etc., because of their low surface tension, lubricity, spreading, water repellency and thermal and chemical stability. A wide range of silicone surfactant structures are required to provide the functional diversity for reflecting the necessities in the various applications. This review covers the basic properties and the synthetic schemes of polydimethylsiloxane and reactive polysiloxanes as hydrophobic siloxane backbones, the main reaction schemes, such as hydrosilylation reaction, for coupling reactive polysiloxanes to hydrophilic groups, and the synthetic schemes of the main polysiloxane surfactants including polyether-, ionic-, carbohydrate-type surfactants.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1353-1354
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• 2007

폴리 실리콘 층의 유무에 따른 금속-옥사이드-반도체(MOS) 구조의 소자를 제작하였다. 터널링 산화막과 블로킹 산화막으로는 $Al_{2}O_{3}$ 층을 증착하였으며, 원자층 증착법을 이용하여 제작하였다. 터널링 산화막 층의 두께에 따른 I-V와 C-V 특성을 측정하였다. 전자들이 폴리 실리콘 층에 저장됨에 따라 N-형의 I-V 특성이 관찰되었다. C-V 측정 시에는 반시계 방향의 히스테리시스 특성을 나타내었으며, 전압이 증가할수록 플랫-밴드 전압 이동 폭이 더욱 증가하였다. 이러한 전기적 특성은 전압의 이동에 따른 전자들이 터널링 산화막 층을 통하여 폴리 실리콘 내부에 저장되기 때문이다. 이를 특성들은 폴리 실리콘의 전하 저장 가능성을 보여주는 것이며, 터널링 산화막 층의 두께에 따른 전기적 특성 변화도 관찰하였다.

• The Safety technology
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• no.199
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• pp.18-20
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• 2014

차세대 친환경 에너지의 대표주자로 꼽히는 태양광 발전. 지구촌의 환경오염 문제가 심각한 문제로 대두되기 시작하면서 세계 각국에서는 태양광 발전 산업에 뛰어들고 있다. 우리나라도 이와 같은 추세에 적극 동침하고 있다. 특히 오늘의 주인공인 한화케미칼(주)은 지난 2010년 태양광 사업을 추진한 이후 지난해 8월부터는 여수에서 폴리실리콘공장을 가동하는 등 본격적인 행보에 나서고 있다. 태양광 발전에서 가장 중요한 요소가 바로 태양전지인데 이의 기초 원료가 되는 폴리실리콘을 이곳에서만 연간 1만톤가량 생산하고 있는 것이다. 이에 힘입어 현재 한화케미칼에서 태양광 사업은 주력 사업으로 부상했을 정도다. 때문에 이곳 공장에서는 그야말로 빈틈없는 안전관리가 전개되고 있다. 작은 사고로도 한화케미칼이 그동안 쌓아온 '안전사업장'이라는 명성에 오점을 남길 수 있기 때문이다. 본사 차원의 시스템을 바탕으로 현장 상황에 맞는 최적의 안전관리를 전개하고 있는 한화케미칼(주) 폴리실리콘공장을 찾아가 봤다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.46 no.1
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• pp.37-49
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• 2008

Recent rapid progress in the photovoltaic industry has seriously been retarded by limited supply of polysilicon used as the feedstock for silicon wafer-based solar cells. It is thus believed that development of a competitive process for preparing polysilicon with the quality required for solar cells can greatly enhance the competitiveness and extent of the photovoltaic application. Technologies currently available for preparing the silicon feedstock are reviewed with the recent fluidized bed silicon deposition process being discussed in more details in terms of key technical barriers.

• Membrane Journal
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• v.10 no.4
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• pp.205-212
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• 2000

The true-lPN's based on silicone rubber(SR)rrubbery polymer) and polystyrenc(PS)(glass polymer) were prepared by using the sequential IP!\' method_ The characteristic of permeability of oxygen/nitrogen was investigated with the control of the amount of PSOO-70 wt%) in the true-lPN, As a results of fTlR and N1Vm. the SRIPS membrane was synthesised successfully with the IPN synthetic method, Thermal analysis resulls indicated that the degree of mixing of IPN increased with increase of the amount of PS in the IPN. Regarding the characteristic of gas permeability, the membrane showed a trend of decrease in oxygen permeability as the PS content increased, The oxygen permeability of membrane having 50 wt% of PS. however, increased momentarily, Selectivity, meanwhile, increased slightly as the contents of I'S increased. However, the maximum value of oxygen selectivity, which is 20.6% enhanced Value, was obtained with the membrane containing 50 wt% of PS. This can be explained that the behavior of lPN, i.e. mutual assistance, is pronounced in the membrane having 50 wt% of PS.