• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.02a
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• pp.61-62
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• 1997

• Ceramist
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• v.20 no.1
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• pp.53-61
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• 2017

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2001.11a
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• pp.17-17
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• 2001

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1993.07a
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• pp.68-69
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• 1993

• Polymer Science and Technology
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• v.11 no.5
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• pp.671-676
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• 2000

• Proceedings of the Mineralogical Society of Korea Conference
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• 2003.05a
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• pp.1-3
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• 2003

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.31 no.4
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• pp.287-293
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• 2018

Amorphous silica ($SiO_2$) silt grains were found in some soils of Korean Peninsula. Scanning electron microscopy of polished section of soils revealed ellipsoidal amorphous $SiO_2$ grains with numerous submicron pores concentrated in the interior. Their amorphous structure was confirmed by lattice imaging and electron diffraction under transmission electron microscope. Amorphous $SiO_2$ grains were not found in the eolian sediment of the Chinese loess plateau. Although the origin of the amorphous $SiO_2$ grain is uncertain, they are likely either phytolith or weathering product of volcanic ash. The amorphous $SiO_2$ silt grains are not useful as a tracer of long-range transport mineral dust in soils.

• ETRI Journal
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• v.10 no.3
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• pp.212-220
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• 1988

투과전자현미경(TEM)의 관찰을 위한 반도체 시료의 박편제작기술에 대하여 언급하였다. 전자선을 투과할 수 있는 얇은 두께의 시편을 제작하는 일은 금속이나 생물학적인 재료에 비하여 반도체의 경우 많은 어려움이 따르며 특히 잘 부서지기 쉬운 특성 때문에 취급에 많은 주의를 요한다. 반도체를 대상으로 하여 일반적으로 사용되는 박편 제작기술에 대해 그 특성과 장단점 등을 조사하였다.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.57-57
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• 2002

100 nm 이하의 입자의 크기와 모양을 정확하게 측정할 수 있는 기술개발을 위하여 투과형 전자현미경(TEM)으로 100 nm 지름의 폴리스티렌구의 평균지름을 측정하였다. 기기 표시 배율과 엣지결정불확도에 의한 크기측정오차를 최소화하기 위하여, 지름이 정확히 알려진 300 nm 입자를 내부 기준자로 쓰기 위하여 100 nm 입자와 섞었다. 100 nm 입자들의 지름은 동일한 TEM 필름상의 300 nm 입자와의 비교를 통하여 얻어졌다. 전자빔에 의한 입자축소효과의 보정을 위하여, 가속전압, 빔세기, 그리고 노출시간이 축소량에 미치는 정량적 관계를 조사하고 분석하였다. 그러한 분석과 몇가지 데이터 처리과정에 기초하여, 100 nm 폴리스티렌구의 평균지름을 95 ％ 신뢰수준에서 확장불확도 2 ％로 결정하였다. 측정값은 동일한 쌤플에 대하여, 다른 방법을 사용하는 다른 실험실들과의 결과와도 일치하고 있다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.09a
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• pp.73-77
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• 2005

고분해능 투과전자현미경을 이용하여 PRAM소자의 상변화물질인 $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}(GST)$의 결정화에 관해 미세구조 분석을 수행하였다. 결정성을 측정하는 일반적인 방법인 XRD법에 비해 고분해능 투과전자현미경을 이용한 미세구조 분석은 XRD에서 분석할 수 없는 결정화 초기 양상을 분석할 수 있을 뿐만 아니라, 소자내부의 국부적인 영역과 같이 특정한 영역에서의 결정구조 및 원자배열에 관한 분석이 가능하였다. 이를 통해 GST박막의 전기적 특성이 결정립 크기에 직접적으로 연관성이 있음을 밝혀내었다. GST의 결정구조 및 원자배열에 관해서는, 제한시야전자회절 기법을 통해 준안정상에서의 GST는 FCC 구조를 가지고 안정상의 GST는 hexagonal 구조를 가짐을 보여주었으며, 고분해능 이미지 관찰을 통해 원자단위로 GST의 결정성을 규명하였다.