• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.119-120
• /
• 2011

Kawazoe는 1997년 p-type TOS를 만들기 위해서는 3가지가 충족되어야 한다고 언급한바 있다. 첫 번째, 가시광영역에서 투명하기 위해서 cation의 d10s0이 가득 차야 한다. 가득 차지 않은 d10 shell은 광 흡수가 가능하여 투과도를 떨어뜨린다. N-type을 예로 들어 ZnO, TiO, In2O3가 각각 Zn2+, Ti4+, In3+가 되어 d shell을 가득 차게 만드는 것을 볼 수 있다. 두 번째, cation d10s0 shell은 산소의 2p shell과 overlap 되어야 한다. 이 valence band는 홀 전도를 더욱 좋게 한다. 예를 들어 Cu1+(3d), Ag1+(4d)가 해당한다. 세 번째로, 양이온과 산소간의 공유결합을 강하게 하기 위해서 결정학적 구조는 매우 중요하다. Delafossite 구조는 산소가 pseudo-tetrahedral 구조로서 공유결합에 유리하다. 이러한 환경은 O2- (2p6)을 형성하고 홀의 이동도를 증가시킨다. 예를 들어 Cu2O의 경우 앞의 2가지를 만족시키지만 광학적 특성에서 좋지 않다. 그 이유가 3번째 언급한 결정학적인 요인에 있다. 결정 계의 환경은 Cu2O를 따라가면서 3차원적인 연결을 2차원적으로 변형된 delafossite 구조에서는 quantum well이 형성되어 band gap이 커진다. 본 연구에서는 전기적 이방성을 가지고 있는 delafossite CuCrO2 상에서 우선배향을 일으키는 인자 중 기판을 변화시켜 실험을 진행하였다. 결과적으로 기판변화를 통해 우선배향조절이 가능하였으며 CuCrO2 박막을 시켰으며, 결정방향에 따른 전기적 물성의 이방성에 관한 연구는 계속 진행 중에 있다. c-plane sapphire 기판위에는 [00l]로 성장하는 반면, c-plane STO 기판 위에는 [015] 방향으로 성장하는 것을 확인하였다. 이러한 원인은 기판과 증착되는 박막간의 mismatch를 최소화 하여 strain을 줄이고, 계면에서의 Broken boning 수를 줄여 계면에너지를 낮추는 방법이기 때문일 것으로 예상된다. C-plane sapphire 기판위에 증착될 경우 증착온도가 증가함에 따라 c-축으로의 성장이 온전해지며 이에 따라 캐리어농도의 감소와 모빌리티의 증가가 급격하게 변하는 것을 확인할 수 있다. 반면 c-plane STO 기판에서는 증착온도에 따른 박막의 배향변화가 없으며 전기적 물성 변화 또한 비교적 작은 것을 간접적으로 확인하였다.

• Journal of Bio-Environment Control
• /
• v.10 no.3
• /
• pp.181-186
• /
• 2001

During the growth of fruit vegetables such as pepper, cucumber and tomato, there are light deficiency under the plant canopy. This study was conducted to clarify the effect of light diffusion film on the stem growth, canopy, flowering and fruiting of green pepper in greenhouse. The transmittance of total solar radiation into greenhouse under woven and double films were 90% and 75% of polyethylene film. And the transmittance of photosynthetically active radiation into greenhouse under woven and double films were 96% and 81% of polyethylene film. However, the light diffusions under woven, double and polyethylene films were 46%, 31% and 9%, respectively. The plant height under polyethylene film covered greenhouse was 96.9% cm, taller than those under woven and double films by 6.5, 13.9 cm. And the third node length under woven film covered greenhouse was 8.6 cm, shorter than those under double and polyethylene films by 2.5, 5.7 cm. Also the first branch angle under woven film covered greenhouse was 61.0$^{\circ}$, larger than those under double and polyethylene films by 2.3, 10.3$^{\circ}$. But there was no clear difference in the node numbers among the covering materials. The rate of curved and sterile fruit under woven film covered greenhouse was smaller than those under double and polyethylene films by 4.6, 5.5% and 1.2, 3.6%. But the contents of vitamin C showed no difference among the covering materials and plant densities.

• Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
• /
• v.13 no.3
• /
• pp.95-101
• /
• 1980

Optical properties were studied at the fishing ground of anchovy in the southern part of Korea based on seven oceanographic stations from May to August and November to December, 1977. Submarine daylight intensity was measured at intervals of 1m depth in the upper 30 m layer by the underwater luxmeter (Toshiba # 9). The absorption coefficient of the sea water ranged from 0.066 to 0.619 (mean 0.21) for six months. The transparency ranged from 2.6 to 16 meters (mean 8.4m). The relationship between absorption coefficient (n) and transparency (D) was k=1.70/D. The mean water color in this area was 4.8 $(3\~10)$ in Forel scales. The rates of light penetration for daylight at four different depths were computed with reference to the surface light intensity. The mean rates of light penetration were $69.38\%(25.43\~88.10\%),\;30.35\%\;(4.38\~59.46\%),\;12.53\%\;(0.75\~33.51\%),\;5.7\%(0.18\~20.27\%)$ at depths of 1, 5, 10 and 15 m respectively.

• Solar Energy
• /
• v.17 no.4
• /
• pp.3-11
• /
• 1997

Because grain boundaries in polycrystalline silicon act as potential barriers and recombination centers for the photo-generated charge carriers, these defects degrade conversion effiency of solar cell. To reduce these effects of grain boundaries, we investigated various influencing factors such as thermal treatment, various grid pattern, selective wet etching for grain boundaries, buried contact metallization along grain boundaries, grid on metallic thin film. Pretreatment above $900^{\circ}C$ in $N_2$ atmosphere, gettering by $POCl_3$ and Al treatment for back surface field contributed to obtain a high quality poly-Si. To prevent carrier losses at the grain boundaries, we carried out surface treatment using Schimmel etchant. This etchant delineated grain boundaries of $10{\mu}m$ depth as well as surface texturing effect. A metal AI diffusion into grain boundaries on rear side reduced back surface recombination effects at grain boundaries. A combination of fine grid with finger spacing of 0.4mm and buried electrode along grain boundaries improved short circuit current density of solar cell. A ultra-thin Chromium layer of 20nm with transmittance of 80% reduced series resistance. This paper focused on the grain boundary effect for terrestrial applications of solar cells with low cost, large area, and high efficiency.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.14 no.3
• /
• pp.343-348
• /
• 2003

Indium tin oxide (ITO) thin films (170 nm) were grown by DC magnetron sputtering deposition on Coming glass substrates without a post annealing. The electrical transport and optical properties of the films have been investigated as a function of deposition temperature $T_{s}$ (10$0^{\circ}C$$\leq$ $T_{s}$$\leq$35$0^{\circ}C$) and oxygen partial pressure $P_{o_{2}}$, (0 $P_{o_{2}}$ $\leq$ 10$^{-5}$ torr). Films were deposited from a high density (99% of theoretical density) ITO target (I $n_2$ $O_3$: Sn $O_2$= 90 wt% : 10 wt%) made of ITO nano powders. With an increase of $T_{s}$ the electrical resistivity p of ITO thin films was found to decrease, but the mobility $\mu$$_{H}$ was found to increase. The carrier density nu shows the maximum value of 6.6$\times$10$^{20}$ /㎤ at $T_{s}$ = 30$0^{\circ}C$. At fixed Is, with an increase of the oxygen partial pressure, $n_{H}$ and $\mu$$_{H}$ were found to decrease, but p was found to increase. The minimum resistivity and maximum mobility values of the ITO films were found to be 0.3 mΩ.cm and 39.3 $\textrm{cm}^2$/V.s, respectively. The visible transmittance of the ITO films was above 80%.. 80%..

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.13 no.5
• /
• pp.455-459
• /
• 2002

The transport and optical properties of $In_2O_3$:Zn(IZO) thin films grown by DC magnetron sputtering deposition have been studied. The deposition temperatures ($T_s$) were varied from room temperature to $400^{\circ}C$ in $50^{\circ}C$ steps. The IZO films are an amorphous phase for $T_s$<$300^{\circ}C$ and polycrystalline phase for $350^{\circ}C$＜$T_s$. In contrast to ordinary films, amorphous IZO films have lower resistivity and higher optical transmittance than polycrystalline IZO films. The resistivity of amorphous IZO was in the range of 0.29~0.4 m$\Omega$cm and that of polycrystalline IZO was in the range of 1~4 m$\Omega$cm. The carrier type for IZO film was found to be n-type, and the carrier density, was $3~5{\times}10^{20}/cm^3$. The Hall mobility, $({\mu}_H)$, was 20~$50\textrm{cm}^2$/V.sec. The predominant scattering mechanisms in both amorphous and polycrystalline IZO films were believed to be ionized impurity scattering and lattice scattering. The visible transmittance of the IZO films, which decreases with an increase of TS, was above 80%.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.34 no.5
• /
• pp.187-193
• /
• 2024

Lanthanide-doped upconversion nanoparticles (UCNPs) are capable of converting low energy near-infrared photons into relatively high energy visible and ultraviolet photon. Their unique optical properties have a broad range of applications such as volumetric display, security labelling and deep-tissue imaging. Herein, the optically active hexagonal phased NaYF₄:Nd³⁺, Yb³⁺@NaYF₄:Yb³⁺, Tm³⁺ core-shell nanoparticles were synthesized via facile co-precipitation method which can show upconversion luminescence upon 745 nm laser excitation. This is accomplished by taking advantages of the large absorption cross-section of Nd³⁺ ions between 720 to 760 nm plus efficient spatial energy transfer and migration which starts from Nd³⁺ ions to Yb³⁺ ions and Tm³⁺ ions. Also, the formation of inert NaYF₄ shell significantly enhance the upconversion efficiency. The core-shell-shell UCNPs were characterized with X-ray diffraction (XRD) patterns, scanning electron microscope (SEM), transmission electron microscope (TEM), absorbance, and photoluminescence spectra.

• Korean journal of food and cookery science
• /
• v.11 no.5
• /
• pp.472-478
• /
• 1995

녹두가루와 전분의 일반성분 및 무기성분을 조사하고 녹두가루의 농도(4-8%,건량기준), 녹두전분의 농도(3-8%,건량기준)에 따른 호화 특성 및 리올로지특성을 비교하였다. 녹두가루의 일반성분은 수분 6.8%, 단백질 25.0%,지방 1.21%,회분 1.77%,비타민 B$_1$과 B$_2$는 각각 0.57과 0.11 mg/100 g이었다. 전분의 비타민 함량은 B$_1$이 0.002 mg/100 g, B$_2$가 0.02 mg/100 g이었다. 가루의 무기질함량은 칼슘이 374.9 mg/100 g으로 가장 높았고 인(353.0 mg/100 g), 칼륨(176.3 mg/100 g), 마그네슘(116.9 mg/100 g), 나트륨(107.6 mg/100 g) 순서이었다. 전분현탁액의 광투과도로 부터 예측한 전분의 호화온도는 67$^{\circ}C$이었다 녹두가루와전분의 팽윤력은 60-8$0^{\circ}C$의 가열온도에서 직선적으로 증가하였으며 그 정도는 전분이 가루보다 컸다. 용해도는 $65^{\circ}C$이후부터 증가하여 녹두 가루는 8$0^{\circ}C$까지 지속적으로 증가하였으나 전분은 7$0^{\circ}C$ 이후에는 완만하게 증가하였다 녹두가루는 농도가 증가함에 따라 아밀로그래프의 최고 점도가 증가하였으나 전분은 6-8%의 농도에서 최고점도를 나타내지 않았으며92.5$^{\circ}C$에서 15분간 유지하는 동안 점도는 지속적으로 증가하였다. 최고점도의 대수값과 농도는 직선적인 관계를 나타냈으며 동일한 최고점도를 나타내는 농도는 전분이 가루보다 2.6ft'3도 낮았다. 녹두가루(4-8%, 건량기준)와 전분(3-8%, 건량기준)현탁액을 95$^{\circ}C$에서 40분간 유지시켜 호화시킨 액을 6$0^{\circ}C$에서 측정한 결과, 항복응력과 점조 도지수는 농도가 증가함에 따라 커졌고 유동지수값은 1.0보다 작아 녹두가 루와 전분호화액은 항복응력을 가진 의가소성 유체의 성질을 나타내었다 동일한 점조도지수값을 나타내는 농도는 전분이 가루보다 약 1.3%정도 낮았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2009.11a
• /
• pp.96-96
• /
• 2009

투명전도막은 FPD의 전자부품에서 전극으로 널리 사용되고 있으며 현재 대부분의 투명전도막으로는 ITO가 사용되고 있다. 하지만, ITO에 사용되는 In은 희유금속으로 지속적인 사용량 증가로 가격의 급등과 더불어 수급 불안정으로 인해 In을 대체하고자 하는 연구가 집중적으로 이루어지고 있다. 그러나 $In_2O_3$를 대체한 ZnO계 등은 비저항이 높아 대체 적용이 가능하지 못하고 있다. 이에 In의 양을 줄이면서 상대적으로 저가이면서 광학적 특성이 우수한 ZnO을 첨가하여 기존의 ITO에 상응하는 전기전도도와 광투과율을 얻을 수 있는 새로운 3성분계 TCO 에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 따라서, 본 연구그룹은 $In_2O_3$을 기본 조성으로 하는 $In_2O_3-ZnO-SnO_2$계를 선정하여 IZTO target을 제조 후 RF magnetron sputtering 방법으로 투명전도막을 제작하였다. 본 연구에서는 RF 파워와 동작압력, 동작시간 그리고 열처리온도의 증착 조건에 따른 IZTO 박막의 특성을 평가하였다. 박막의 특성 및 표면 미세구조를 관찰하기 위해 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하였으며, XRD(X-ray diffraction)을 이용하여 결정성을 분석하였고, 4 point-prove, Hall effect measurement와 UV/Visible spectrometer를 통해 전기적, 광학적 특성을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.397-397
• /
• 2012

에너지갭이 큰 SnO2 반도체는 빛 투과율이 우수하여 투명성이 좋으며 화학적으로 안정된 구조를 가지고 있어 전자소자 및 광소자 응용에 대단히 유용하다. SnO2 박막을 증착하는 방법은 Physical Vapor Deposition과 Chemical Vapor Deposition이 있으나 나노 구조를 가진 SnO2를 형성하기 어렵다. 전기 화학적 증착 (Electrochemical Deposition: ECD)은 낮은 온도에서 진공 공정이 필요하지 않기 때문에 경제적이며 빠른 성장 속도를 가지고 있기 때문에 SnO2 나노 구조를 효과적으로 형성 할 수 있다. 본 연구에서는 Indium Tin Oxide (ITO) 기판 위에 SnO2 나노 구조를 형성시켜 전기적 및 구조적 특성을 관찰하였다. 0.015 M의 Tin chloride pentahydrate(SnCl4 5H2O)를 타켓 물질로 사용하고 0.1 M의 KCl을 완충물질로 사용하여 SnO2 나노구조를 성장하였다. 타겟 물질이 잘 녹지 않으므로 DI water와 ethanol을 7：3의 비율로 용매 사용하였다. 전류-전압 곡선을 분석하여 최적의 성장조건을 확보하고, $65^{\circ}C$ 1기압 하에서 -2.5 V 부터 -1.0 V까지 0.5 V 간격으로 나누어서 SnO2 나노구조를 성장하였다. X-선 회절 분석결과에서 SnO2의 피크의 크기가 큰 전기화적적 성장 전압구간과, 주사전자현미경 분석 결과에서 나노 구조가 가장 잘 나타난 성장 전압구간을 다시 0.1 V 간격으로 세분화하여 최적화 조건을 분석하였다. X-선 회절 실험으로 형성한 SnO2 나노구조의 피크가 (110) (101) (200) (211) (310)로 나타났다. X-선 회절 분석의 intensity의 값이 (101)방향이 가장 크게 나타났으므로 우선적으로 (101) 방향으로 SnO2 나노구조가 성장됨을 알 수 있었다. 주사전자현미경상은 grain size가 50~100 nm 사이의 SnO2 나노구조가 형성되며, grain size가 전기화학적 증착 장치의 성장전압이 저 전압 구간에서 커지는 것을 알 수 있었다.