• The KIPS Transactions:PartC
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• v.17C no.1
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• pp.129-134
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• 2010

Intelligent Power Switch (IPS) is a semiconductor device which contains a logic circuit in itself. It has received significant attention as a switching component to substitute the fuse and relay components in common automobile since the internal logic provides the controllability on the loads. However, a control system for the IPS status control and a network system to share the status information of IPS are required to fully exploit the capabilities of IPS. In this paper, we propose a control circuit and algorithm using IPS. Also the communication system between the control systems and IPS components using Control Area network (CAN) are proposed.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2000.05a
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• pp.115-118
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• 2000

본 논문에서는 4 개의 다이폴 소자로 구성한 4 섹터 지향성 절환 원형 배열 다이폴 안테나의 기본 특성을 검토하고 있다. 안테나의 방사 지향성이 순차적으로 4 섹터 절환이 가능하도록 하기 위해 급전 및 무급전 소자를 적절히 이용하고 있으며, 무급전 소자의 유도 전류에 의한 원형 배열 안테나의 특성 개선을 위해 급전 소자를 제외한 나머지 소자들을 단락 또는 개방시켜 방사 지향성 및 이득 특성 등을 계산하고 있다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.6 no.3
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• pp.3-12
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• 1991

현재 전자장비는 대부분 반도체소자로 구성되어 있어 이들 소자의 신뢰성이 매우 중요하다. 반도체소자의 신뢰성은 고장률로 표현되는데 실질적인 고장률은 사용현장에서 수집된 데이터에서 산출되지만 데이터 수집기간이 길고, 고장원인이 불분명하며, 수적으로도 빈약한 실정이다. 따라서 본고에서는 MIL-HDBK-217E의 고장률예측 모델을 이용하여 반도체소자를 제조기술, 패키지형태, 칩접착 상태별로 구분하여 고장률을 산출하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.7 no.3
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• pp.154-164
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• 1992

고온초전도체의 전자응용 예를 들면, 죠셉슨접합과 같은 diode-type 의 초전도소자 뿐만 아니라 반도체 트랜지스터와 같은 고온초전도 삼단자소자의 개발 및 실용화를 위해서 해결해야 할 당면문제는 많다. 그 중에서 특히, 실리콘 기판위에 고온초전도 단결정박막을 성장시키는 것과 양질의 유전체 buffer층을 제조하는 것등이 있다. 초전도체/반도체구조에서 초전도전자쌍은 근접효과에 의해 반도체속으로 확산되어 가며, 이러한 현상을 이용하여 초전도 트랜지스터와 초전도 전자파소자와 같은 신기능 초전도소자를 구현할 수 있다. 그리고 이들 소자의 동작원리는 반도체속에서의 초전도 파동함수(질서파라미터)의 제어에 기초를 두고 있다. 고온초전도 일렉트로닉스를 겨냥하며, 중요한 응용으로서 거론되고 있는 분야는 1) one-wafer computer의 꿈을 실현하기 위한 기반기술로 꼽고 있는 초전도배선연구, 2) 성능에서 반도체소자를 능가하는 초전도소자, 3) 21세기를 전망하면서 집적회로 연구자들의 타깃이 되고 있는 초전도집적회로 및 일렉트로닉스, 그리고 4) 광범위한 응용이 기대되는 초정밀 센서인 SQUID 소자 등이 있다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.8 no.4
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• pp.49-54
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• 1993

최근의 정보 통신 기기들은 정보 통신 서비스에 대한 요구에 따라 다기능, 고속 및 대용량화로 비약적인 발전을 하고 있으며 휴대 통신 단말기의 경우 이용자의 편리를 위하여 소형화 및 경박 단소화를 지향하고 있다. 따라서 부품에 대한 요구 사항도 이들 추세에 따라 소형화, 다기능화 및 고신뢰화를 요구하고 있다. 따라서, 하나의 소자로 복합적인 기능을 갖는 다기능성 소자의 개발이 바람직하다. $SrTiO_3$를 모체로 하는 세라믹 유전체는 반도체화 세라믹의 결정입계에 산화물로 절연층을 형성하여 하나의 소자로 Capacitor 와 Varistor 기능을 동시에 갖는 다기능 소자용 소재로 이용되고 있다. 본 실험에서는 $SrTiO_3$조성비 및 입계절연화제의 확산 온도에 따라 이들이 전기전도 특성에 미치는 영향에 대하여 검토하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.25 no.1
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• pp.124-131
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• 2010

지속적인 발전을 해 온 디스플레이 시장은 LCD 시장이 주도하고 있으며, LCD는 2006년 600억 달러에서 2009년에는 62% 성장한 약 980억 달러의 시장규모에 달할 것으로 전망되고 있다. 디스플레이 분야 중에서 최근에 각광받는 투명전자소자 관련 분야는 투명반도체, 투명전극, 투명유전체를 기반으로 제조된 전자소자에 관한 기술 분야이며, 투명전자소자는 정보인식, 정보처리, 정보표시의 기능을 투명한 전자기기로 구현함으로써 기존 전자기기의 공간적/시각적 제약을 해소할 수 있다. 투명전자소자는 u-IT 스마트 창에 사용될 수 있으며 스마트 창은 스마트 홈이나 스마트 자동차용 창으로 응용하는 것이 가능하다. 나아가서는 투명전자소자를 이용한 스마트 창, 스마트 쇼 윈도, 투명 내비게이터 등 투명 IT 전자기기는 2010년부터 시장을 형성해 2015년에 200억 달러 규모로 급성장될 것으로 예측되고 있다. 이에 본 고에서는 투명전자소자 분야에 대한 시장 동향과 전세계 특허 동향을 심층 분석해보고, 아울러 미국에 출원된 특허를 대상으로 해당 기술 분야에서 우리나라의 국제경쟁력을 분석하여 향후 투명전자소자 분야의 연구개발 방향을 모색해 보고자 한다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.106-107
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• 2000

현대 사회의 정보서비스 수요 증가는 1990년대 초반 2.5Gbps급 광통신 상용 시스템에서 10 Gbps 광통신 시스템 시험운영 단계를 지나, 21세기의 정보처리 수요를 해결하기 위해 파장다중(WDM; Wavelength Division Multiplexing) 광통신을 이용한 THz급 광통신 시스템 및 이에 관련된 소자의 연구를 필요로 하고 있다. (중략)

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.1
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• pp.74-85
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• 2012

차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$) 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. GaN 전자소자 기술동향에서는 먼저 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트 분석을 통한 RF 전력증폭기 연구개발 방향을 살펴보고, 후반부에서는 이동통신 기지국, 선박 및 군용 레이더 트랜시버용 고출력 RF 전력증폭기의 응용 분야에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 전자소자의 연구개발 방향과 조기상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2003.05a
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• pp.530-533
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• 2003

본 논문에서는 2GHz의 패치폭과 그라운드면의 폭이 같은 QMSA의 구조를 설계 및 제작하였고, QMSA의 구조를 변형하여 용량을 장하한 QMSA와 기생소자를 갖는 QMSA를 제안하였다. QMSA의 구조는 한 쪽 끝이 전기적으로 단락된 λ/4의 구조로 설계하였으며, 용량을 갖는 QMSA는 상측 평행 평판과 하측 평행 평판 사이의 용량을 구성시킴으로써 리턴로스와 공진주파수의 변화를 비교 평가하였다. 또한, 기생소자를 갖는 QMSA의 구조는 상측 평행 평판위에 기생소자를 가변함으로써 안테나를 소형화할 수 있었다. QMSA는 2GHz의 중심주파수를 갖고 2%의 대역폭을 갖으며, 용량의 변화와 기생소자의 길이에 따라 공진주파수의 변화를 보였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.28 no.5
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• pp.93-99
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• 2013

열전소자는 태양에너지를 이용한 발전뿐만 아니라, 체열, 차량 폐열 및 지열 등의 다양한 폐열을 이용한 발전 등으로 매우 다양하게 활용되고 있다. 하지만 상온부근에서 널리 사용되는 $Bi_2Te_3$의 재료 희귀성으로 인하여 산업화 기술로써의 활용에 어려운 측면이 있다. 이러한 이유로, 최근에는 $Bi_2Te_3$를 대체할 수 있는 새로운 열전재료를 전세계적으로 활발히 연구하고 있다. 본고에서는 최근 들어 나노기술 접목으로 새로이 주목받고 있는 열전소자의 동작 원리에 대한 간략한 소개와 특히, 실리콘을 이용한 나노기술의 접목을 통한 열전소자의 최근 연구 동향에 대하여 살펴보고자 한다.